期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
陶瓷单晶 ( 1 0 0 )基底上外延生长Pt薄膜(英文)
1
作者
赵昆
黄康权
张丽
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第4期690-693,共4页
用对靶溅射技术在MgAl2 O4(10 0 ) (MAO)和SrTiO3 (10 0 ) (STO)单晶基底上制备Pt薄膜。基底温度为 70 0℃时 ,Pt薄膜外延生长为 (2 0 0 )取向 ,Pt/STO薄膜的电阻率很低 ,而Pt/MAO薄膜表现出高电阻特征。此外 ,Pt(5 0nm) /La0 .67Ca0 .3...
用对靶溅射技术在MgAl2 O4(10 0 ) (MAO)和SrTiO3 (10 0 ) (STO)单晶基底上制备Pt薄膜。基底温度为 70 0℃时 ,Pt薄膜外延生长为 (2 0 0 )取向 ,Pt/STO薄膜的电阻率很低 ,而Pt/MAO薄膜表现出高电阻特征。此外 ,Pt(5 0nm) /La0 .67Ca0 .3 3 MnO3 (5 0nm) /STO的制备和研究表明 ,在包括庞磁电阻材料的器件设计中 ,Pt是一种较好的电极材料。
展开更多
关键词
陶瓷单晶
对靶溅射技术
MGAL2O4
铝酸镁
Pt薄膜
X射线衍射
原子力显微镜
庞磁电阻
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
陶瓷单晶 ( 1 0 0 )基底上外延生长Pt薄膜(英文)
1
作者
赵昆
黄康权
张丽
机构
聊城大学物理科学与信息工程学院磁电子学实验室
香港中文
大学物理
系
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第4期690-693,共4页
基金
theResearchFoundationofShandongProvincialEducationDepartmentofChina (No .0 3A0 5) ,ShandongScienceFundforDistinguishedYoungScientist (No .0 2BS0 50 ) ,andtheHongKongResearchGrantCouncil
文摘
用对靶溅射技术在MgAl2 O4(10 0 ) (MAO)和SrTiO3 (10 0 ) (STO)单晶基底上制备Pt薄膜。基底温度为 70 0℃时 ,Pt薄膜外延生长为 (2 0 0 )取向 ,Pt/STO薄膜的电阻率很低 ,而Pt/MAO薄膜表现出高电阻特征。此外 ,Pt(5 0nm) /La0 .67Ca0 .3 3 MnO3 (5 0nm) /STO的制备和研究表明 ,在包括庞磁电阻材料的器件设计中 ,Pt是一种较好的电极材料。
关键词
陶瓷单晶
对靶溅射技术
MGAL2O4
铝酸镁
Pt薄膜
X射线衍射
原子力显微镜
庞磁电阻
Keywords
Pt film
sputtering
X-ray diffraction
atomic force microscopy
colossal magnetoresistance
分类号
O484 [理学—固体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
陶瓷单晶 ( 1 0 0 )基底上外延生长Pt薄膜(英文)
赵昆
黄康权
张丽
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
