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碳化硅高温钠盐腐蚀的电镜研究
被引量：
2
1
作者
孙荆
胡容明
Nancy J.Tighe
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1992年第1期33-36,共4页
用扫描电镜和分析电镜研究了碳酸钠对SiC的高温腐蚀,实验表明腐蚀反应首先发生在晶界上的石墨夹杂处。腐蚀的主要结构特徵是针孔腐蚀,针孔一般位于被反应消耗的颗粒及晶界处。电子显微镜研究发现,腐蚀产物除玻璃态硅酸钠外,还有结晶型...
用扫描电镜和分析电镜研究了碳酸钠对SiC的高温腐蚀,实验表明腐蚀反应首先发生在晶界上的石墨夹杂处。腐蚀的主要结构特徵是针孔腐蚀,针孔一般位于被反应消耗的颗粒及晶界处。电子显微镜研究发现,腐蚀产物除玻璃态硅酸钠外,还有结晶型硅酸钠、二氧化硅及少量的一氧化硅。从实验结果分析了碳酸钠对SiC腐蚀的反应过程。文章还介绍了带有脆性玻璃质为主的腐蚀产物的SiC的电子显微镜试样制备方法。
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关键词
碳化硅
碳酸钠
针孔腐蚀
电镜
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职称材料
题名
碳化硅高温钠盐腐蚀的电镜研究
被引量：
2
1
作者
孙荆
胡容明
Nancy J.Tighe
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所
上海测试技术研究所
美国显微结构实验室
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1992年第1期33-36,共4页
文摘
用扫描电镜和分析电镜研究了碳酸钠对SiC的高温腐蚀,实验表明腐蚀反应首先发生在晶界上的石墨夹杂处。腐蚀的主要结构特徵是针孔腐蚀,针孔一般位于被反应消耗的颗粒及晶界处。电子显微镜研究发现,腐蚀产物除玻璃态硅酸钠外,还有结晶型硅酸钠、二氧化硅及少量的一氧化硅。从实验结果分析了碳酸钠对SiC腐蚀的反应过程。文章还介绍了带有脆性玻璃质为主的腐蚀产物的SiC的电子显微镜试样制备方法。
关键词
碳化硅
碳酸钠
针孔腐蚀
电镜
Keywords
SiC sodium carbonate pin corrosion electron microscope
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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被引量
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1
碳化硅高温钠盐腐蚀的电镜研究
孙荆
胡容明
Nancy J.Tighe
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1992
2
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