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40-200GHz硅锗双极电路生产工艺和应用
1
作者
张哲
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第10期35-37,43,共4页
首先描述先进的 0.18μm SiGe-BiCMOS 生产流程(SiGe 120)并讨论在设计SiGe 90 时如何对性能、成本和特性进行平衡以应对通信市场的需求。在此基础上,我们讨论了针对 40Gb 以上通讯应用而开发的当今世界领先的 200 GHz SiGe BiCM...
首先描述先进的 0.18μm SiGe-BiCMOS 生产流程(SiGe 120)并讨论在设计SiGe 90 时如何对性能、成本和特性进行平衡以应对通信市场的需求。在此基础上,我们讨论了针对 40Gb 以上通讯应用而开发的当今世界领先的 200 GHz SiGe BiCMOS 加工工艺。此工艺集成了双栅 0.13μm 的数字 CMOS 电路和 SiGe 晶体管电路。
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关键词
硅锗
CMOS电路
双栅
晶体管电路
双极
性能
通信市场
需求
成本
世界
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职称材料
题名
40-200GHz硅锗双极电路生产工艺和应用
1
作者
张哲
机构
美国
捷智
半导体
研发
(
上海
)
有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第10期35-37,43,共4页
文摘
首先描述先进的 0.18μm SiGe-BiCMOS 生产流程(SiGe 120)并讨论在设计SiGe 90 时如何对性能、成本和特性进行平衡以应对通信市场的需求。在此基础上,我们讨论了针对 40Gb 以上通讯应用而开发的当今世界领先的 200 GHz SiGe BiCMOS 加工工艺。此工艺集成了双栅 0.13μm 的数字 CMOS 电路和 SiGe 晶体管电路。
关键词
硅锗
CMOS电路
双栅
晶体管电路
双极
性能
通信市场
需求
成本
世界
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
TN710 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
40-200GHz硅锗双极电路生产工艺和应用
张哲
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004
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