介绍了一种纳米MOSFET(场效应管)栅电流和电容的统一模型,该模型基于Schr d inger-Poisson方程自洽全量子数值解,特别适用于高k栅介质和多层高k栅介质纳米MOSFET。运用该方法计算了各种结构和材料高k介质的MOSFET栅极电流,并进行了分析...介绍了一种纳米MOSFET(场效应管)栅电流和电容的统一模型,该模型基于Schr d inger-Poisson方程自洽全量子数值解,特别适用于高k栅介质和多层高k栅介质纳米MOSFET。运用该方法计算了各种结构和材料高k介质的MOSFET栅极电流,并进行了分析比较。模拟得出栅极电流和电容与实验结果符合。展开更多
文摘介绍了一种纳米MOSFET(场效应管)栅电流和电容的统一模型,该模型基于Schr d inger-Poisson方程自洽全量子数值解,特别适用于高k栅介质和多层高k栅介质纳米MOSFET。运用该方法计算了各种结构和材料高k介质的MOSFET栅极电流,并进行了分析比较。模拟得出栅极电流和电容与实验结果符合。
