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氮化铝薄膜的光学性能
被引量：
11
1
作者
颜国君
陈光德
+1 位作者
邱复生
Zhaoyan Fan
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期221-223,共3页
分别使用X衍射仪和紫外(190nm^800nm)分光光度仪,测量了用分子束外延法生长在SiC(001)基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的吸收谱.X衍射表明实验所用的AIN薄膜在c-轴存在应变和应力,该应变和应力主要是由于AIN的晶格常量与...
分别使用X衍射仪和紫外(190nm^800nm)分光光度仪,测量了用分子束外延法生长在SiC(001)基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的吸收谱.X衍射表明实验所用的AIN薄膜在c-轴存在应变和应力,该应变和应力主要是由于AIN的晶格常量与基底SiC的晶格常量不匹配所致.透射谱表明AIN薄膜的禁带宽度大约为6.2eV;而其对应的吸收谱在6.2eV处存在一个明显的台阶,此台阶被认为是AIN薄膜中的带边自由激子吸收所产生,忽略激子的结合能(与禁带宽度相比),则该值就对应为AIN的禁带宽度.而其对应的不同温度下(10k^293k)的吸收谱的谱线的形状和位置无明显的变化表明温度对AIN薄膜的禁带宽度亦无明显的影响,这主要是由于在AIN薄膜中存在着应力所致.
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关键词
AIN薄膜
透射谱
吸收谱
禁带带宽
自由激子
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职称材料
MOCVD生长AlGaN薄膜的X光电子能谱
被引量：
3
2
作者
苑进社
陈光德
+1 位作者
林景瑜
汪红星
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第8期925-927,共3页
用X光电子能谱和X射线衍射谱方法分析了MOCVD生长的AlGaN薄膜的实际表面形态和晶体结构 基于XPS测量结果 ,通过分析计算 ,发现实际表面除GaN外存在Ga2 O3和Al2 O3及其它与O有关的络合物构成的混合氧化物覆盖层 ,估计覆盖层厚度约 1.2nm...
用X光电子能谱和X射线衍射谱方法分析了MOCVD生长的AlGaN薄膜的实际表面形态和晶体结构 基于XPS测量结果 ,通过分析计算 ,发现实际表面除GaN外存在Ga2 O3和Al2 O3及其它与O有关的络合物构成的混合氧化物覆盖层 ,估计覆盖层厚度约 1.2nm XRD结果显示生长的AlGaN薄膜为以GaN(0 0 0 2 )取向为主的多晶结构 。
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关键词
MOCVD
A1GaN薄膜
X光电子能谱
X射线衍射谱
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职称材料
类铍Ar^（14＋）和类镁Ar^（6＋）离子双激发态能级的计算
3
作者
陈信义
苟秉聪
陈政
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第1期14-18,共5页
用组态相互作用方法计算了类铍Ａｒ１４＋离子双激发态１ｓ２３ｌ３ｌ＇和类镁Ａｒ６＋离子双激发态１ｓ２２ｓ２２ｐ６４ｌ４ｌ＇的能级。两个外层电子与内层原子实１ｓ２或１ｓ２２ｓ２２ｓ６电子的作用用模型势表示。Ａｒ１４＋的双...
用组态相互作用方法计算了类铍Ａｒ１４＋离子双激发态１ｓ２３ｌ３ｌ＇和类镁Ａｒ６＋离子双激发态１ｓ２２ｓ２２ｐ６４ｌ４ｌ＇的能级。两个外层电子与内层原子实１ｓ２或１ｓ２２ｓ２２ｓ６电子的作用用模型势表示。Ａｒ１４＋的双激发态可用量子数Ｋ，Ｔ和Ａ标记，而Ａｒ６＋的某些组态却不能用上述量子数表示。
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关键词
双激发态
类铍离子
类镁离子
能级
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职称材料
题名
氮化铝薄膜的光学性能
被引量：
11
1
作者
颜国君
陈光德
邱复生
Zhaoyan Fan
机构
西安交通
大学
理学院应用
物理
系
美国
西北
大学
电子与计算机工程
系
美国
堪萨斯州
立
大学物理
系
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期221-223,共3页
文摘
分别使用X衍射仪和紫外(190nm^800nm)分光光度仪,测量了用分子束外延法生长在SiC(001)基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的吸收谱.X衍射表明实验所用的AIN薄膜在c-轴存在应变和应力,该应变和应力主要是由于AIN的晶格常量与基底SiC的晶格常量不匹配所致.透射谱表明AIN薄膜的禁带宽度大约为6.2eV;而其对应的吸收谱在6.2eV处存在一个明显的台阶,此台阶被认为是AIN薄膜中的带边自由激子吸收所产生,忽略激子的结合能(与禁带宽度相比),则该值就对应为AIN的禁带宽度.而其对应的不同温度下(10k^293k)的吸收谱的谱线的形状和位置无明显的变化表明温度对AIN薄膜的禁带宽度亦无明显的影响,这主要是由于在AIN薄膜中存在着应力所致.
关键词
AIN薄膜
透射谱
吸收谱
禁带带宽
自由激子
Keywords
AIN film
Transmittance spectrum
Absorption spectrum
The direct band-gap energy
Free exciton
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
MOCVD生长AlGaN薄膜的X光电子能谱
被引量：
3
2
作者
苑进社
陈光德
林景瑜
汪红星
机构
西安交通
大学
应用
物理
系
美国堪萨斯州大学物理系
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第8期925-927,共3页
文摘
用X光电子能谱和X射线衍射谱方法分析了MOCVD生长的AlGaN薄膜的实际表面形态和晶体结构 基于XPS测量结果 ,通过分析计算 ,发现实际表面除GaN外存在Ga2 O3和Al2 O3及其它与O有关的络合物构成的混合氧化物覆盖层 ,估计覆盖层厚度约 1.2nm XRD结果显示生长的AlGaN薄膜为以GaN(0 0 0 2 )取向为主的多晶结构 。
关键词
MOCVD
A1GaN薄膜
X光电子能谱
X射线衍射谱
Keywords
MOCVD
AlGaN films
XPS
XRD
分类号
O72 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
类铍Ar^（14＋）和类镁Ar^（6＋）离子双激发态能级的计算
3
作者
陈信义
苟秉聪
陈政
机构
清华
大学物理
系
出处
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第1期14-18,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
用组态相互作用方法计算了类铍Ａｒ１４＋离子双激发态１ｓ２３ｌ３ｌ＇和类镁Ａｒ６＋离子双激发态１ｓ２２ｓ２２ｐ６４ｌ４ｌ＇的能级。两个外层电子与内层原子实１ｓ２或１ｓ２２ｓ２２ｓ６电子的作用用模型势表示。Ａｒ１４＋的双激发态可用量子数Ｋ，Ｔ和Ａ标记，而Ａｒ６＋的某些组态却不能用上述量子数表示。
关键词
双激发态
类铍离子
类镁离子
能级
Keywords
doubly excited states, model potential, beryllium -like ion, magnesium-like ion.
分类号
O562.4 [理学—原子与分子物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氮化铝薄膜的光学性能
颜国君
陈光德
邱复生
Zhaoyan Fan
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
11
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
MOCVD生长AlGaN薄膜的X光电子能谱
苑进社
陈光德
林景瑜
汪红星
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
3
在线阅读
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职称材料
3
类铍Ar^（14＋）和类镁Ar^（6＋）离子双激发态能级的计算
陈信义
苟秉聪
陈政
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
1994
0
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职称材料
已选择
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