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用正交实验法优化多晶硅制备工艺参数
被引量：
2
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作者
金建东
周治平
寇文兵
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2003年第11期9-11,共3页
在研制多功能集成压力传感器过程中,对关键材料多晶硅来说,制备的工艺条件对其性能影响较大。讨论了沉积温度、反应气体流量和反应室工作压力对多晶硅的沉积速率、晶粒大小和表面粗糙度的影响程度。设计出正交试验,以优化出不同性能要...
在研制多功能集成压力传感器过程中,对关键材料多晶硅来说,制备的工艺条件对其性能影响较大。讨论了沉积温度、反应气体流量和反应室工作压力对多晶硅的沉积速率、晶粒大小和表面粗糙度的影响程度。设计出正交试验,以优化出不同性能要求的多晶硅制备工艺参数。
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关键词
正交试验
多晶硅
薄膜
制备工艺
压力传感器
集成电路
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职称材料
题名
用正交实验法优化多晶硅制备工艺参数
被引量：
2
1
作者
金建东
周治平
寇文兵
机构
中国
电子
科技集团公司第四十九
研究
所
美国佐治亚理工学院微电子研究中心
出处
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2003年第11期9-11,共3页
基金
国家留学基金管理委员会资助.
文摘
在研制多功能集成压力传感器过程中,对关键材料多晶硅来说,制备的工艺条件对其性能影响较大。讨论了沉积温度、反应气体流量和反应室工作压力对多晶硅的沉积速率、晶粒大小和表面粗糙度的影响程度。设计出正交试验,以优化出不同性能要求的多晶硅制备工艺参数。
关键词
正交试验
多晶硅
薄膜
制备工艺
压力传感器
集成电路
Keywords
orthogonal experiment
polysilicon
optimization
thin film
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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出处
发文年
被引量
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1
用正交实验法优化多晶硅制备工艺参数
金建东
周治平
寇文兵
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2003
2
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