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题名集成电路铜互连线脉冲电镀研究
被引量：7
- 1
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作者
曾磊
徐赛生
张立锋
张玮
张卫
汪礼康
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机构
罗门哈斯电子材料有限公司
复旦大学微电子研究院复旦-诺发互连研究中心
上海大学化学系
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期329-333,共5页
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基金
国家自然科学基金项目(60176013)
上海市科委AM基金(0304)
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文摘
针对先进纳米铜互连技术的要求,研究了脉冲电流密度对铜互连线电阻率、晶粒尺寸和表面粗糙度等性能的影响。实验结果表明,2～4A/dm2电流密度下的铜镀层拥有较小电阻率、较小的表面粗糙度和较大的晶粒尺寸。
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关键词
铜互连
脉冲电镀
电阻率
X射线衍射
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Keywords
copper interconnection： pulse plating： resistance
XRD
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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题名直流和脉冲电镀Cu互连线的性能比较
被引量：5
- 2
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作者
徐赛生
曾磊
张立锋
张卫
汪礼康
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机构
复旦大学微电子学系复旦-诺发互连研究中心
罗门哈斯电子材料上海有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第12期1070-1073,共4页
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基金
国家自然科学基金项目(90607019)
上海市科委AM基金(0304)
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文摘
针对先进纳米Cu互连技术的要求,比较了直流和脉冲两种电镀条件下Cu互连线的性能以及电阻率、织构系数、晶粒大小和表面粗糙度的变化。实验结果表明,在相同电流密度条件下,脉冲电镀所得Cu镀层电阻率较低,表面粗糙度较小,表面晶粒尺寸和晶粒密度较大,而直流电镀所得镀层(111)晶面的择优程度优于脉冲。在超大规模集成电路Cu互连技术中,脉冲电镀将有良好的研究应用前景。
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关键词
CU互连
电沉积Cu层
脉冲电镀
直流电镀
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Keywords
copper interconnect
electrodeposited copper
pulse plating
DC plating
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分类号
TN405.97
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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