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多芯片整体式Clip互连碳化硅功率模块反向耦合低感封装方法
1
作者
张彤宇
王来利
+2 位作者
苗昱
裴云庆
甘永梅
《电工技术学报》
北大核心
2025年第16期5106-5118,共13页
碳化硅功率器件凭借其优异的性能,成为传统硅器件有力的竞争者。然而,在封装过程中,因键合线以及引出端子等引入的额外寄生电感,致使封装后的碳化硅功率模块会产生较大的开关过冲与振荡,进而难以体现其理论上的优越性。为此,该文提出一...
碳化硅功率器件凭借其优异的性能,成为传统硅器件有力的竞争者。然而,在封装过程中,因键合线以及引出端子等引入的额外寄生电感,致使封装后的碳化硅功率模块会产生较大的开关过冲与振荡,进而难以体现其理论上的优越性。为此,该文提出一种具有极低电感的多芯片整体式Clip互连碳化硅功率模块封装方法,将功率模块内部键合铝线替换成Clip互连,并通过规划陶瓷基板布局,使Clip电流流向与陶瓷基板线路电流相反,利用电流反向耦合效应降低功率模块内部寄生电感。同时,利用电容直连结构消除外部回路寄生电感。经仿真得到的功率模块内部寄生电感为3.8 nH,功率回路电感为5.0 nH。实验测试得到1 200 V/600 A样机功率回路电感为4.53 nH,换流回路总电感5.87 nH,与传统布局功率模块相比电感降低了44.6%。
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关键词
碳化硅功率模块
寄生电感
整体式Clip互连
反向耦合
换流回路
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职称材料
题名
多芯片整体式Clip互连碳化硅功率模块反向耦合低感封装方法
1
作者
张彤宇
王来利
苗昱
裴云庆
甘永梅
机构
电工材料电气绝缘全国重点实验室(西安交
通
大学)
绍兴市通越宽禁带半导体研究院
出处
《电工技术学报》
北大核心
2025年第16期5106-5118,共13页
基金
国家自然科学基金国家杰出青年科学基金资助项目(52325705)。
文摘
碳化硅功率器件凭借其优异的性能,成为传统硅器件有力的竞争者。然而,在封装过程中,因键合线以及引出端子等引入的额外寄生电感,致使封装后的碳化硅功率模块会产生较大的开关过冲与振荡,进而难以体现其理论上的优越性。为此,该文提出一种具有极低电感的多芯片整体式Clip互连碳化硅功率模块封装方法,将功率模块内部键合铝线替换成Clip互连,并通过规划陶瓷基板布局,使Clip电流流向与陶瓷基板线路电流相反,利用电流反向耦合效应降低功率模块内部寄生电感。同时,利用电容直连结构消除外部回路寄生电感。经仿真得到的功率模块内部寄生电感为3.8 nH,功率回路电感为5.0 nH。实验测试得到1 200 V/600 A样机功率回路电感为4.53 nH,换流回路总电感5.87 nH,与传统布局功率模块相比电感降低了44.6%。
关键词
碳化硅功率模块
寄生电感
整体式Clip互连
反向耦合
换流回路
Keywords
SiC power module
parasitic inductance
integral Clip bonding
reverse coupling
commutation loop
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多芯片整体式Clip互连碳化硅功率模块反向耦合低感封装方法
张彤宇
王来利
苗昱
裴云庆
甘永梅
《电工技术学报》
北大核心
2025
0
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