采用高纯半导体碳纳米管薄膜和石墨烯构建复合结构光探测器,研究其光电响应特性。结果表明,在光照下,顶层石墨烯中的光生载流子通过碳纳米管与石墨烯之间薄的非晶硅层,隧穿至底层的碳纳米管薄膜中,在非晶硅层两侧分别富集电子和空穴,形...采用高纯半导体碳纳米管薄膜和石墨烯构建复合结构光探测器,研究其光电响应特性。结果表明,在光照下,顶层石墨烯中的光生载流子通过碳纳米管与石墨烯之间薄的非晶硅层,隧穿至底层的碳纳米管薄膜中,在非晶硅层两侧分别富集电子和空穴,形成光致栅压(Photogating),有效地改变了碳纳米管薄膜晶体管的电流。器件在可见光(633 nm)条件下得到响应度为83 m A/W,并在近红外波段范围内仍保持好的光响应特性。由于石墨烯具有宽谱光吸收特性,半导体碳纳米管薄膜晶体管具有小的暗电流,碳纳米管–石墨烯复合光探测器发挥了两种材料的优势,为今后高性能宽谱光电探测器的制备奠定了基础。展开更多
基于查表模型,利用SPICE(simulation program with integrated ciruit emphasis)电路模拟软件,首次模拟了互补型碳纳米管(CNT)场效应晶体管组成的反相器,模拟结果和实验结果吻合,实现了碳纳米管场效应晶体管的实际测量数据和半经验查表...基于查表模型,利用SPICE(simulation program with integrated ciruit emphasis)电路模拟软件,首次模拟了互补型碳纳米管(CNT)场效应晶体管组成的反相器,模拟结果和实验结果吻合,实现了碳纳米管场效应晶体管的实际测量数据和半经验查表模型的衔接。利用直流特性分析和瞬态特性分析等仿真手段研究了CNT CMOS反相器的功耗和门延迟特性随工作电压和器件阈值电压变化的关系,并对电路设计和工作状态提出了优化方案。进一步模拟了与非门和或非门,并提出了电路的优化方案。展开更多
文摘采用高纯半导体碳纳米管薄膜和石墨烯构建复合结构光探测器,研究其光电响应特性。结果表明,在光照下,顶层石墨烯中的光生载流子通过碳纳米管与石墨烯之间薄的非晶硅层,隧穿至底层的碳纳米管薄膜中,在非晶硅层两侧分别富集电子和空穴,形成光致栅压(Photogating),有效地改变了碳纳米管薄膜晶体管的电流。器件在可见光(633 nm)条件下得到响应度为83 m A/W,并在近红外波段范围内仍保持好的光响应特性。由于石墨烯具有宽谱光吸收特性,半导体碳纳米管薄膜晶体管具有小的暗电流,碳纳米管–石墨烯复合光探测器发挥了两种材料的优势,为今后高性能宽谱光电探测器的制备奠定了基础。
文摘基于查表模型,利用SPICE(simulation program with integrated ciruit emphasis)电路模拟软件,首次模拟了互补型碳纳米管(CNT)场效应晶体管组成的反相器,模拟结果和实验结果吻合,实现了碳纳米管场效应晶体管的实际测量数据和半经验查表模型的衔接。利用直流特性分析和瞬态特性分析等仿真手段研究了CNT CMOS反相器的功耗和门延迟特性随工作电压和器件阈值电压变化的关系,并对电路设计和工作状态提出了优化方案。进一步模拟了与非门和或非门,并提出了电路的优化方案。
