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题名半导体Si载流子迁移率的统计模型计算模拟
被引量：1
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作者
罗衡
邓联文
易图林
黄生祥
胡照文
周克省
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机构
中南大学物理科学与技术学院粉末冶金国家重点实验室
空军雷达学院理学院
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出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期112-115,共4页
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基金
湖南省自然科学基金(10JJ5049)
国家自然科学基金(60771028)
+1 种基金
中南大学博士后基金(20091208)
粉末冶金国家重点实验室开放基金(PM200815)
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文摘
半导体材料载流子迁移率是表征其电导特性的重要参数,在半导体材料载流子散射机制理论基础上,基于玻耳兹曼方程和Mathiessen规则,通过对具有不同热运动速度的载流子漂移速度求统计平均值,建立了Si材料载流子迁移率的玻耳兹曼统计模型,计算了模拟载流子迁移率的影响因素和变化规律,并得出电场作用下的饱和漂移速度为vdn=1.1×107cm/s,vdp=8.7×106cm/s,与基于实验数据的经验公式导出的结果基本一致,表明玻耳兹曼统计模型具有良好的适用性。
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关键词
半导体si
载流子迁移率
玻耳兹曼方程
计算模拟
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Keywords
semiconductor Si, carrier mobility, Boltzmann statistical equation, calculation simulation
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分类号
TN373
[电子电信—物理电子学]
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