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采用场板和边缘终端技术的大电流Ni／4H-SiCSBDs
被引量：
2
1
作者
陈刚
秦宇飞
+2 位作者
柏松
李哲洋
韩平
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期611-614,共4页
研究了4H-SiC低缺陷密度外延层的制造和Ni/SiC肖特基势垒二极管的正、反向电学特性。采用了偏8°4H-SiC衬底上台阶控制外延方法进行同质外延,外延温度1580℃,最后得到了低缺陷密度的3英寸外延片。采用了原子力显微镜和扫描电子显微...
研究了4H-SiC低缺陷密度外延层的制造和Ni/SiC肖特基势垒二极管的正、反向电学特性。采用了偏8°4H-SiC衬底上台阶控制外延方法进行同质外延,外延温度1580℃,最后得到了低缺陷密度的3英寸外延片。采用了原子力显微镜和扫描电子显微镜进行了测试。在外延片上进行的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的制造,采用了B+离子注入形成的一个非晶区域作为边缘终端,然后使用经过1000℃下退火10min的PECVD生长的SiO2作为场板介质。最终得到的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的理想因子为1.03,势垒高度为1.6eV,在反向偏压1102V时,漏电流密度只有1.15×10-3A/cm2。在正向压降3.5V时得到了7.47A的大电流输出,特征导通电阻为6.22Ω.cm2。
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关键词
碳化硅
退火
肖特基势垒
理想因子
势垒高度
离子注入
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职称材料
题名
采用场板和边缘终端技术的大电流Ni／4H-SiCSBDs
被引量：
2
1
作者
陈刚
秦宇飞
柏松
李哲洋
韩平
机构
南京大学物理系
南京电子器件
研究所
空军第一航空学院飞机战伤抢修技术研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期611-614,共4页
文摘
研究了4H-SiC低缺陷密度外延层的制造和Ni/SiC肖特基势垒二极管的正、反向电学特性。采用了偏8°4H-SiC衬底上台阶控制外延方法进行同质外延,外延温度1580℃,最后得到了低缺陷密度的3英寸外延片。采用了原子力显微镜和扫描电子显微镜进行了测试。在外延片上进行的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的制造,采用了B+离子注入形成的一个非晶区域作为边缘终端,然后使用经过1000℃下退火10min的PECVD生长的SiO2作为场板介质。最终得到的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的理想因子为1.03,势垒高度为1.6eV,在反向偏压1102V时,漏电流密度只有1.15×10-3A/cm2。在正向压降3.5V时得到了7.47A的大电流输出,特征导通电阻为6.22Ω.cm2。
关键词
碳化硅
退火
肖特基势垒
理想因子
势垒高度
离子注入
Keywords
4H-SiC
anneal
Schottky barrier
ideal factor
barrier height
ion implantation
分类号
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
采用场板和边缘终端技术的大电流Ni／4H-SiCSBDs
陈刚
秦宇飞
柏松
李哲洋
韩平
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009
2
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