期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
3
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
电感耦合等离子体刻蚀对InGaP/GaAs台面形貌的影响
被引量：
1
1
作者
李碧媛
张永宏
+3 位作者
魏育才
徐智文
蔡松智
周必顺
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第3期219-223,243,共6页
制作InGaP/GaAs台面时,若使用湿法刻蚀需分多步进行,且易发生钻蚀问题,使得台面上的金属覆盖层易断裂。为改善InGaP/GaAs的台面形貌,以N2/Cl2混合气体为刻蚀剂,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀,探讨了Cl2的体积分数、腔体压力、源功率和...
制作InGaP/GaAs台面时,若使用湿法刻蚀需分多步进行,且易发生钻蚀问题,使得台面上的金属覆盖层易断裂。为改善InGaP/GaAs的台面形貌,以N2/Cl2混合气体为刻蚀剂,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀,探讨了Cl2的体积分数、腔体压力、源功率和偏压功率等刻蚀条件对台面形貌的影响,并进一步研究刻蚀后台面形貌对金属台阶覆盖的影响。实验结果表明,Cl2的体积分数变化对刻蚀台面形貌影响最大,刻蚀后台面侧壁角的可控范围为64.1°~92.0°;而腔体压力、源功率和偏压功率对台面形貌的影响有限。当刻蚀台面侧壁角约为65°时,金属台阶覆盖良好;当刻蚀台面侧壁角约为75°时,金属台阶覆盖会出现裂纹;当刻蚀台面侧壁角约为90°时,金属台阶覆盖会断裂。
展开更多
关键词
ICP刻蚀
台面形貌
Cl2/N2
INGAP/GAAS
台阶覆盖
在线阅读
下载PDF
职称材料
应用于5G微波开关的GaAs pin开关二极管
被引量：
1
2
作者
陈建星
林伟铭
+5 位作者
邱文宗
林伟
林易展
郑伯涛
王淋雨
章剑清
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第6期460-465,共6页
研制了一种基于6英寸(1英寸=2.54 cm)GaAs外延片的具有高隔离度、低插入损耗的pin开关二极管。采用台面垂直结构以提高器件的工作频率、改善表面击穿电压。提出了采用分步腐蚀法对高台面腐蚀的深度和均匀性进行精准控制。金属互连线使...
研制了一种基于6英寸(1英寸=2.54 cm)GaAs外延片的具有高隔离度、低插入损耗的pin开关二极管。采用台面垂直结构以提高器件的工作频率、改善表面击穿电压。提出了采用分步腐蚀法对高台面腐蚀的深度和均匀性进行精准控制。金属互连线使用空气桥互连技术,解决高台面连线困难的问题。p型欧姆接触金属采用Ti/Pt/Au,比接触电阻约为5×10-6Ω·cm2。在无源器件部分制备了电容密度约为597.5 pF/mm2的金属-绝缘体-金属(MIM)电容和方块电阻约为48.5Ω/□的TaN电阻并进行了钝化。该pin开关二极管的开启电压约为1.1 V,反向击穿电压约为25 V。使用该pin二极管设计制备了一款单刀双掷(SPDT)开关,在35 GHz频率下,测得该SPDT开关的隔离度约为28 dB,插入损耗约为1.2 dB,适用于5G微波通信的开关设计制造。
展开更多
关键词
GAAS
PIN二极管
高台面
空气桥
单刀双掷(SPDT)开关
在线阅读
下载PDF
职称材料
一种GaAs基Si3N4薄膜斜坡电压测试方法及其应用
3
作者
林锦伟
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第11期899-904,共6页
为快速、准确地评估Si3N4薄膜的可靠性,参照联合电子设备工程委员会(JEDEC)的相关标准,采用斜坡电压法在5 V/s和0.5 V/s两种加压速率下对厚度为100 nm的GaAs基Si3N4薄膜进行测试,测试样品的总面积不小于20 cm2。结合斜坡电压法的测试结...
为快速、准确地评估Si3N4薄膜的可靠性,参照联合电子设备工程委员会(JEDEC)的相关标准,采用斜坡电压法在5 V/s和0.5 V/s两种加压速率下对厚度为100 nm的GaAs基Si3N4薄膜进行测试,测试样品的总面积不小于20 cm2。结合斜坡电压法的测试结果,评估该Si3N4薄膜生产工艺的可靠性风险程度和Si3N4薄膜的耐压水平、缺陷密度和良率水平,并且为经时击穿(TDDB)线性电场模型预估Si3N4薄膜的寿命提供可靠数据。结果表明,当目标良率为99.99%时,5 V/s和0.5 V/s下Si3N4薄膜的耐压值分别为23 V和18 V;当目标良率为95%时,5 V/s和0.5 V/s下Si3N4薄膜的耐压值分别为87 V和82 V。另外,该Si3N4薄膜的非本征击穿比例为0.11%,该类型的击穿数据可用于评估生产工艺的可靠性风险程度。
展开更多
关键词
斜坡电压法
SI3N4
击穿电压
可靠性
经时击穿(TDDB)
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
电感耦合等离子体刻蚀对InGaP/GaAs台面形貌的影响
被引量：
1
1
作者
李碧媛
张永宏
魏育才
徐智文
蔡松智
周必顺
机构
福建省
福联集成电路有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第3期219-223,243,共6页
文摘
制作InGaP/GaAs台面时,若使用湿法刻蚀需分多步进行,且易发生钻蚀问题,使得台面上的金属覆盖层易断裂。为改善InGaP/GaAs的台面形貌,以N2/Cl2混合气体为刻蚀剂,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀,探讨了Cl2的体积分数、腔体压力、源功率和偏压功率等刻蚀条件对台面形貌的影响,并进一步研究刻蚀后台面形貌对金属台阶覆盖的影响。实验结果表明,Cl2的体积分数变化对刻蚀台面形貌影响最大,刻蚀后台面侧壁角的可控范围为64.1°~92.0°;而腔体压力、源功率和偏压功率对台面形貌的影响有限。当刻蚀台面侧壁角约为65°时,金属台阶覆盖良好;当刻蚀台面侧壁角约为75°时,金属台阶覆盖会出现裂纹;当刻蚀台面侧壁角约为90°时,金属台阶覆盖会断裂。
关键词
ICP刻蚀
台面形貌
Cl2/N2
INGAP/GAAS
台阶覆盖
Keywords
ICP etching
mesa morphology
Cl2/N2
InGaP/GaAs
step coverage
分类号
TN405.98 [电子电信—微电子学与固体电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
应用于5G微波开关的GaAs pin开关二极管
被引量：
1
2
作者
陈建星
林伟铭
邱文宗
林伟
林易展
郑伯涛
王淋雨
章剑清
机构
福联集成电路有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第6期460-465,共6页
文摘
研制了一种基于6英寸(1英寸=2.54 cm)GaAs外延片的具有高隔离度、低插入损耗的pin开关二极管。采用台面垂直结构以提高器件的工作频率、改善表面击穿电压。提出了采用分步腐蚀法对高台面腐蚀的深度和均匀性进行精准控制。金属互连线使用空气桥互连技术,解决高台面连线困难的问题。p型欧姆接触金属采用Ti/Pt/Au,比接触电阻约为5×10-6Ω·cm2。在无源器件部分制备了电容密度约为597.5 pF/mm2的金属-绝缘体-金属(MIM)电容和方块电阻约为48.5Ω/□的TaN电阻并进行了钝化。该pin开关二极管的开启电压约为1.1 V,反向击穿电压约为25 V。使用该pin二极管设计制备了一款单刀双掷(SPDT)开关,在35 GHz频率下,测得该SPDT开关的隔离度约为28 dB,插入损耗约为1.2 dB,适用于5G微波通信的开关设计制造。
关键词
GAAS
PIN二极管
高台面
空气桥
单刀双掷(SPDT)开关
Keywords
GaAs
pin diode
high mesa
air bridge
single-pole double-throw(SPDT)switch
分类号
TN315. [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
一种GaAs基Si3N4薄膜斜坡电压测试方法及其应用
3
作者
林锦伟
机构
福建省
福联集成电路有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第11期899-904,共6页
文摘
为快速、准确地评估Si3N4薄膜的可靠性,参照联合电子设备工程委员会(JEDEC)的相关标准,采用斜坡电压法在5 V/s和0.5 V/s两种加压速率下对厚度为100 nm的GaAs基Si3N4薄膜进行测试,测试样品的总面积不小于20 cm2。结合斜坡电压法的测试结果,评估该Si3N4薄膜生产工艺的可靠性风险程度和Si3N4薄膜的耐压水平、缺陷密度和良率水平,并且为经时击穿(TDDB)线性电场模型预估Si3N4薄膜的寿命提供可靠数据。结果表明,当目标良率为99.99%时,5 V/s和0.5 V/s下Si3N4薄膜的耐压值分别为23 V和18 V;当目标良率为95%时,5 V/s和0.5 V/s下Si3N4薄膜的耐压值分别为87 V和82 V。另外,该Si3N4薄膜的非本征击穿比例为0.11%,该类型的击穿数据可用于评估生产工艺的可靠性风险程度。
关键词
斜坡电压法
SI3N4
击穿电压
可靠性
经时击穿(TDDB)
Keywords
voltage-ramp method
Si3N4
breakdown voltage
reliability
time dependent dielectric breakdown(TDDB)
分类号
TN307 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电感耦合等离子体刻蚀对InGaP/GaAs台面形貌的影响
李碧媛
张永宏
魏育才
徐智文
蔡松智
周必顺
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
应用于5G微波开关的GaAs pin开关二极管
陈建星
林伟铭
邱文宗
林伟
林易展
郑伯涛
王淋雨
章剑清
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
一种GaAs基Si3N4薄膜斜坡电压测试方法及其应用
林锦伟
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
