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电感耦合等离子体刻蚀对InGaP/GaAs台面形貌的影响
被引量：
1
1
作者
李碧媛
张永宏
+3 位作者
魏育才
徐智文
蔡松智
周必顺
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第3期219-223,243,共6页
制作InGaP/GaAs台面时,若使用湿法刻蚀需分多步进行,且易发生钻蚀问题,使得台面上的金属覆盖层易断裂。为改善InGaP/GaAs的台面形貌,以N2/Cl2混合气体为刻蚀剂,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀,探讨了Cl2的体积分数、腔体压力、源功率和...
制作InGaP/GaAs台面时,若使用湿法刻蚀需分多步进行,且易发生钻蚀问题,使得台面上的金属覆盖层易断裂。为改善InGaP/GaAs的台面形貌,以N2/Cl2混合气体为刻蚀剂,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀,探讨了Cl2的体积分数、腔体压力、源功率和偏压功率等刻蚀条件对台面形貌的影响,并进一步研究刻蚀后台面形貌对金属台阶覆盖的影响。实验结果表明,Cl2的体积分数变化对刻蚀台面形貌影响最大,刻蚀后台面侧壁角的可控范围为64.1°~92.0°;而腔体压力、源功率和偏压功率对台面形貌的影响有限。当刻蚀台面侧壁角约为65°时,金属台阶覆盖良好;当刻蚀台面侧壁角约为75°时,金属台阶覆盖会出现裂纹;当刻蚀台面侧壁角约为90°时,金属台阶覆盖会断裂。
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关键词
ICP刻蚀
台面形貌
Cl2/N2
INGAP/GAAS
台阶覆盖
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职称材料
CF4和O2等离子体刻蚀改善氮化硅薄膜形貌研究
被引量：
5
2
作者
魏育才
《集成电路应用》
2019年第7期40-43,共4页
探讨PA工艺因介电层高低差发生金属线路内部断裂的改善方案。以不同光刻条件和刻蚀条件为基础,对介电层(Si3N4)进行ICP刻蚀。研究表明,增加曝光焦距,刻蚀完的侧壁倾斜角改变不大;而光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比越高,刻蚀完氮化硅侧壁斜...
探讨PA工艺因介电层高低差发生金属线路内部断裂的改善方案。以不同光刻条件和刻蚀条件为基础,对介电层(Si3N4)进行ICP刻蚀。研究表明,增加曝光焦距,刻蚀完的侧壁倾斜角改变不大;而光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比越高,刻蚀完氮化硅侧壁斜角变化越大。当光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比为2.4时,刻蚀完氮化硅的侧壁斜角可控制在45°~65°。
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关键词
CF4和O2等离子刻蚀
ICP刻蚀
氮化硅刻蚀
掩膜退缩
PA工艺
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职称材料
一种GaAs基Si3N4薄膜斜坡电压测试方法及其应用
3
作者
林锦伟
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第11期899-904,共6页
为快速、准确地评估Si3N4薄膜的可靠性,参照联合电子设备工程委员会(JEDEC)的相关标准,采用斜坡电压法在5 V/s和0.5 V/s两种加压速率下对厚度为100 nm的GaAs基Si3N4薄膜进行测试,测试样品的总面积不小于20 cm2。结合斜坡电压法的测试结...
为快速、准确地评估Si3N4薄膜的可靠性,参照联合电子设备工程委员会(JEDEC)的相关标准,采用斜坡电压法在5 V/s和0.5 V/s两种加压速率下对厚度为100 nm的GaAs基Si3N4薄膜进行测试,测试样品的总面积不小于20 cm2。结合斜坡电压法的测试结果,评估该Si3N4薄膜生产工艺的可靠性风险程度和Si3N4薄膜的耐压水平、缺陷密度和良率水平,并且为经时击穿(TDDB)线性电场模型预估Si3N4薄膜的寿命提供可靠数据。结果表明,当目标良率为99.99%时,5 V/s和0.5 V/s下Si3N4薄膜的耐压值分别为23 V和18 V;当目标良率为95%时,5 V/s和0.5 V/s下Si3N4薄膜的耐压值分别为87 V和82 V。另外,该Si3N4薄膜的非本征击穿比例为0.11%,该类型的击穿数据可用于评估生产工艺的可靠性风险程度。
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关键词
斜坡电压法
SI3N4
击穿电压
可靠性
经时击穿(TDDB)
在线阅读
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职称材料
题名
电感耦合等离子体刻蚀对InGaP/GaAs台面形貌的影响
被引量：
1
1
作者
李碧媛
张永宏
魏育才
徐智文
蔡松智
周必顺
机构
福建省福联集成电路有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第3期219-223,243,共6页
文摘
制作InGaP/GaAs台面时,若使用湿法刻蚀需分多步进行,且易发生钻蚀问题,使得台面上的金属覆盖层易断裂。为改善InGaP/GaAs的台面形貌,以N2/Cl2混合气体为刻蚀剂,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀,探讨了Cl2的体积分数、腔体压力、源功率和偏压功率等刻蚀条件对台面形貌的影响,并进一步研究刻蚀后台面形貌对金属台阶覆盖的影响。实验结果表明,Cl2的体积分数变化对刻蚀台面形貌影响最大,刻蚀后台面侧壁角的可控范围为64.1°~92.0°;而腔体压力、源功率和偏压功率对台面形貌的影响有限。当刻蚀台面侧壁角约为65°时,金属台阶覆盖良好;当刻蚀台面侧壁角约为75°时,金属台阶覆盖会出现裂纹;当刻蚀台面侧壁角约为90°时,金属台阶覆盖会断裂。
关键词
ICP刻蚀
台面形貌
Cl2/N2
INGAP/GAAS
台阶覆盖
Keywords
ICP etching
mesa morphology
Cl2/N2
InGaP/GaAs
step coverage
分类号
TN405.98 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
CF4和O2等离子体刻蚀改善氮化硅薄膜形貌研究
被引量：
5
2
作者
魏育才
机构
福建省福联集成电路有限公司
出处
《集成电路应用》
2019年第7期40-43,共4页
基金
福建省科技型企业技术创新课题项目
文摘
探讨PA工艺因介电层高低差发生金属线路内部断裂的改善方案。以不同光刻条件和刻蚀条件为基础,对介电层(Si3N4)进行ICP刻蚀。研究表明,增加曝光焦距,刻蚀完的侧壁倾斜角改变不大;而光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比越高,刻蚀完氮化硅侧壁斜角变化越大。当光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比为2.4时,刻蚀完氮化硅的侧壁斜角可控制在45°~65°。
关键词
CF4和O2等离子刻蚀
ICP刻蚀
氮化硅刻蚀
掩膜退缩
PA工艺
Keywords
CF4 and O2 plasma etching
ICP etching
Si3N4 etching
mask retraction
PA process
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
一种GaAs基Si3N4薄膜斜坡电压测试方法及其应用
3
作者
林锦伟
机构
福建省福联集成电路有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第11期899-904,共6页
文摘
为快速、准确地评估Si3N4薄膜的可靠性,参照联合电子设备工程委员会(JEDEC)的相关标准,采用斜坡电压法在5 V/s和0.5 V/s两种加压速率下对厚度为100 nm的GaAs基Si3N4薄膜进行测试,测试样品的总面积不小于20 cm2。结合斜坡电压法的测试结果,评估该Si3N4薄膜生产工艺的可靠性风险程度和Si3N4薄膜的耐压水平、缺陷密度和良率水平,并且为经时击穿(TDDB)线性电场模型预估Si3N4薄膜的寿命提供可靠数据。结果表明,当目标良率为99.99%时,5 V/s和0.5 V/s下Si3N4薄膜的耐压值分别为23 V和18 V;当目标良率为95%时,5 V/s和0.5 V/s下Si3N4薄膜的耐压值分别为87 V和82 V。另外,该Si3N4薄膜的非本征击穿比例为0.11%,该类型的击穿数据可用于评估生产工艺的可靠性风险程度。
关键词
斜坡电压法
SI3N4
击穿电压
可靠性
经时击穿(TDDB)
Keywords
voltage-ramp method
Si3N4
breakdown voltage
reliability
time dependent dielectric breakdown(TDDB)
分类号
TN307 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电感耦合等离子体刻蚀对InGaP/GaAs台面形貌的影响
李碧媛
张永宏
魏育才
徐智文
蔡松智
周必顺
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
CF4和O2等离子体刻蚀改善氮化硅薄膜形貌研究
魏育才
《集成电路应用》
2019
5
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
一种GaAs基Si3N4薄膜斜坡电压测试方法及其应用
林锦伟
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020
0
在线阅读
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职称材料
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