半透型光干涉防伪颜料的设计与性能分析

1

作者 林振鹏 许英朝 孙卫平 《激光杂志》 北大核心 2025年第2期34-39,共6页

采用5层全介质膜系结构,高低折射率膜层交替堆叠,高折射率层材料选择二氧化钛,低折射率层选择二氧化硅,制得设计主波长为665 nm,随角异色效果为紫红色至黄绿色的高波段半透型光干涉防伪颜料。用Shimadzu UV-3600i Plus紫外可见近红外分... 采用5层全介质膜系结构,高低折射率膜层交替堆叠,高折射率层材料选择二氧化钛,低折射率层选择二氧化硅,制得设计主波长为665 nm,随角异色效果为紫红色至黄绿色的高波段半透型光干涉防伪颜料。用Shimadzu UV-3600i Plus紫外可见近红外分光光度计检测样品位于薄膜,膜粉,颜料三状态的透射光谱和反射光谱,对颜料片混合光固化油墨后所制成油墨的实际应用效果进行了刮样测试。结果表明,所制备颜料在保留鲜艳颜色且随角异色效果明显的前提下,能清晰地显示底板上的文字或图案,涂敷该颜料能在保留标志防伪设计效果的前提下,为标志提供随角异色防伪效果,提高标志防伪能力。 展开更多

关键词 全介质膜系 半透明 薄膜干涉 随角异色 防伪颜料

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一种提高目标图像识别准确率的数据增强技术 被引量：12

2

作者 吴天雨 许英朝 晁鹏飞 《激光杂志》 北大核心 2020年第5期96-100,共5页

针对当下使用神经网络算法检测目标时,普遍存在的真实数据量缺乏,人为采集难度大,图像标注工作繁琐等问题,提出一种基于卷积神经网络的图像数据增强方法。通过对原始图像数据进行几何变换、水平翻转,改变图像像素位置并保证其对应特征不... 针对当下使用神经网络算法检测目标时,普遍存在的真实数据量缺乏,人为采集难度大,图像标注工作繁琐等问题,提出一种基于卷积神经网络的图像数据增强方法。通过对原始图像数据进行几何变换、水平翻转,改变图像像素位置并保证其对应特征不变,实现数据量呈指数型增长。通过模拟不同的光照条件和拍摄角度,丰富数据库种类的多样性,提高实际检测的鲁棒性。实验结果表明,在对图像数据进行增强处理后,训练出的神经网络模型对于目标的检测性能更高。 展开更多

关键词 神经网络 目标检测 图像标注 数据增强 几何变换 光照强度

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反常热猝灭Sr_(2)Ga_(2)SiO_(7)∶Sm^(3)+红色荧光粉的合成及发光性能 被引量：1

3

作者 李婧 许英朝 +2 位作者 洪俊煌 刘月 张贤玉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1456-1466,共11页

采用高温固相法合成了系列Sr_(2-x)Ga_(2)SiO_(7)∶xSm^(3)+红色荧光粉,通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)光谱、高温荧光光谱、荧光量子效率和荧光衰减寿命等一系列表征手段对合成荧光粉的物相及晶体结构、发光... 采用高温固相法合成了系列Sr_(2-x)Ga_(2)SiO_(7)∶xSm^(3)+红色荧光粉,通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)光谱、高温荧光光谱、荧光量子效率和荧光衰减寿命等一系列表征手段对合成荧光粉的物相及晶体结构、发光性能和热稳定性进行研究。一系列结果表明,在404 nm紫外光激发下,Sr_(2-x)Ga_(2)SiO_(7)∶xSm^(3)+荧光粉在598 nm处发出明亮的红色光。Sr_(2-x)Ga_(2)SiO_(7)∶xSm^(3)+荧光粉发光强度随Sm^(3)+离子浓度变化,在x=0.03时发生浓度猝灭,是由电偶极-电偶极相互作用导致的。随着温度逐渐上升,系列荧光粉表现出反常的热猝灭现象,在393 K时发光强度达到最大,强度为室温下的102.5%;在473 K时,发光强度仍可以保持室温下的101.3%。此外,最佳样品的荧光量子效率可达72.5%。研究表明,Sr_(2-x)Ga_(2)SiO_(7)∶xSm^(3)+红色荧光粉是一种具有高热稳定性、高量子效率可用于WLED的发光材料。 展开更多

关键词 反常热猝灭 高温固相法 硅酸盐 Sm^(3)+掺杂

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计算机制一步彩色彩虹全息的研究 被引量：1

4

作者 杨上供 甘亮勤 《激光杂志》 CAS 北大核心 2023年第6期99-102,共4页

针对现有的彩色全息技术中存在的制作过程复杂、色串扰、技术条件要求高等问题,提出了一种计算机制一步彩色彩虹全息技术。该技术将光学一步法彩虹全息技术和多次曝光彩色全息技术相结合,首先根据线全息图理论,确定每个物点的线全息图... 针对现有的彩色全息技术中存在的制作过程复杂、色串扰、技术条件要求高等问题,提出了一种计算机制一步彩色彩虹全息技术。该技术将光学一步法彩虹全息技术和多次曝光彩色全息技术相结合,首先根据线全息图理论,确定每个物点的线全息图在整个彩虹全息图中的区域范围,并计算线全息图,然后将每个物点的线全息图相加,直接获得计算机制一步彩虹全息图,大大减少了全息图的计算量。在此基础上,分别计算彩色物体的红、绿、蓝三分色计算全息图,并合成为彩色彩虹全息图,用白光再现获得真彩色全息再现像,大大简化了彩色彩虹全息图的制作过程、降低了技术条件要求,充分发挥了计算全息简单、灵活、方便的优点。给出了理论分析和实验结果。 展开更多

关键词 计算全息 彩色 线全息图 彩虹全息 计算

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ZnTe/Si(211)与ZnTe/GaAs(211)异质结构的热应变研究

5

作者 王元樟 庄芹芹 +1 位作者 黄海波 蔡丽娥 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第12期226-230,共5页

通过理论计算获得Zn Te/Si(211)与Zn Te/Ga As(211)异质结构样品室温下的热应变分布与曲率半径,并采用激光干涉仪测量两个样品室温下的曲率半径。研究发现,在(211)面上进行异质外延,两个互相垂直的晶向方向[1-1-1]和[01-1]的应变分布呈... 通过理论计算获得Zn Te/Si(211)与Zn Te/Ga As(211)异质结构样品室温下的热应变分布与曲率半径,并采用激光干涉仪测量两个样品室温下的曲率半径。研究发现,在(211)面上进行异质外延,两个互相垂直的晶向方向[1-1-1]和[01-1]的应变分布呈现各向异性,且沿两个方向上的表面曲率半径亦存在差异。Zn Te/Ga As(211)样品的激光干涉测量结果与理论计算较为吻合,均为同一数量级的表面曲率半径方向为负的张应变,Zn Te/Si(211)样品的测量结果则存在较大差异。由于Si衬底在高温脱氧的过程中产生了表面曲率半径方向为正的塑性形变,在一定程度上降低了外延Zn Te后异质结构的弯曲程度,减小了热失配应变。 展开更多

关键词 热应变 ZNTE SI GAAS 异质结构

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Sm^(3+)掺杂NaSr_(2)Nb_(5)O_(15)的新型橙红色荧光粉 被引量：3

6

作者 吴盼盼 孟宪国 +4 位作者 许英朝 周琼 陆逸 鹿晨东 刘月 《激光杂志》 CAS 北大核心 2022年第8期37-42,共6页

通过高温固相法制备了一系列的NaSr_(2-x)Nb_(5)O_(15):xSm^(3+)新型橙红光荧光粉,研究了该荧光粉的物相结构及其光学性质。根据光致发光光谱,确定了NaSr_(2-x)Nb_(5)O_(15):xSm^(3+)荧光粉的最佳掺杂浓度以及临界能量转移距离,并分析... 通过高温固相法制备了一系列的NaSr_(2-x)Nb_(5)O_(15):xSm^(3+)新型橙红光荧光粉,研究了该荧光粉的物相结构及其光学性质。根据光致发光光谱,确定了NaSr_(2-x)Nb_(5)O_(15):xSm^(3+)荧光粉的最佳掺杂浓度以及临界能量转移距离,并分析该浓度猝灭机制是电偶极相互作用。通过荧光衰减特性及色坐标结果表明,当最佳掺杂浓度为0.05时,平均荧光寿命为0.842 ms,所有样品的色坐标均在橙红色区域。此外,在303 K~423 K的温度范围内该荧光粉显示出了良好的热稳定性,最后,将该荧光粉与395 nm LED芯片进行简易封装,在正向偏置电流下发出明亮白光,且具有相关色温低、显色指数高等优点。综上结果表明该荧光粉在白光发光二极管中具有较好的应用前景。 展开更多

关键词 高温固相法 Sm^(3+) 白光发光二极管 橙红色荧光粉 光致发光

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低热猝灭新型Sr_(3)Ga_(2)Ge_(4)O_(14)∶Sm^(3+)橙红色荧光粉 被引量：9

7

作者 杨伟斌 熊飞兵 +4 位作者 杨寅 周琼 谢岚驰 凌爽 罗新 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期879-890,共12页

采用高温固相法制备一系列新型Sr_(3-x)Ga_(2)Ge_(4)O_(14)∶xSm^(3+)(x=0~0.20)及Sr_(2.88)Ga_(2)Ge_(4)O_(14)∶0.06Sm^(3+),0.06M(M=Li^(+),Na^(+),K^(+))荧光粉,通过物相形貌、荧光光谱、热稳定性及CIE色度坐标等分析手段对样品性... 采用高温固相法制备一系列新型Sr_(3-x)Ga_(2)Ge_(4)O_(14)∶xSm^(3+)(x=0~0.20)及Sr_(2.88)Ga_(2)Ge_(4)O_(14)∶0.06Sm^(3+),0.06M(M=Li^(+),Na^(+),K^(+))荧光粉,通过物相形貌、荧光光谱、热稳定性及CIE色度坐标等分析手段对样品性能进行了详细研究。根据不同掺杂浓度Sr_(3-x)Ga_(2)Ge_(4)O_(14)∶xSm^(3+)的荧光发射谱,发现Sm^(3+)最佳掺杂浓度为x=0.06,其荧光浓度猝灭归因于Sm^(3+)之间的电偶极-电偶极相互作用。研究发现,通过共掺杂M(M=Li^(+),Na^(+),K^(+))做电荷补偿离子可以提升Sr_(3-x)Ga_(2)Ge_(4)O_(14)∶xSm^(3+)的发光性能。此外,随着Sm^(3+)掺杂浓度提高,其荧光寿命不断减小。最后探讨了Sr_(3-x)Ga_(2)Ge_(4)O_(14)∶xSm^(3+)的CIE色度坐标和热稳定性,其CIE色度坐标位于橙红光区域,且在423 K的发光强度大概为其室温的95%。研究表明,Sr_(3-x)Ga_(2)Ge_(4)O_(14)∶xSm^(3+)作为新型橙红荧光粉有望应用于白光发光二极管(WLED)。 展开更多

关键词 Sr_(3)Ga_(2)Ge_(4)O_(14) Sm^(3+) 电荷补偿剂 光致发光 白光发光二极管(WLED)

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新型橙红色荧光粉Ba_(3-x)S_(r)Nb_(2)O_(9):xSm^(3+)光致发光研究 被引量：2

8

作者 王明明 许英朝 +4 位作者 孟宪国 周琼 吴盼盼 陆逸 鹿晨东 《激光杂志》 CAS 北大核心 2023年第3期44-49,共6页

采用高温固相法制备了一类新型橙红荧光粉Ba_(3-x)S_(r)Nb_(2)O_(9):xSm^(3+),通过XRD图谱鉴定了样品的纯相结构。根据激发发射光谱,紫外激发406 nm下,该荧光粉在596 nm处呈现出明亮的橙红光发射,Sm3+的猝灭浓度为0.04。结合变温光谱,... 采用高温固相法制备了一类新型橙红荧光粉Ba_(3-x)S_(r)Nb_(2)O_(9):xSm^(3+),通过XRD图谱鉴定了样品的纯相结构。根据激发发射光谱,紫外激发406 nm下,该荧光粉在596 nm处呈现出明亮的橙红光发射,Sm3+的猝灭浓度为0.04。结合变温光谱,分析得出在高温453 K下,其PL发射强度仍保持在室温下的76.5%,具有良好的热稳定性。此外,通过将样品与蓝色LED芯片简易封装,在激发电流160 mA下,Sm^(3+)掺杂荧光粉在色坐标(0.3314,0.3381)下发出明亮的白光,接近理想白光(x=0.33,y=0.33),显色指数高达93.3。结果表明,作为新型铌酸锶钡基质的荧光粉,在掺杂稀土Sm3+后,在紫外白光发光二极管(UV-WLEDs)中具有极高的应用可行性。 展开更多

关键词 稀土掺杂 Sm^(3+) WLEDs 橙红色荧光粉 光致发光

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基于可调谐激光器扫频干涉绝对距离测量方法研究进展 被引量：6

9

作者 宋鲁明 张福民 +4 位作者 孙栋 林洪沂 黄晓桦 于淼 张乾 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2022年第5期316-330,共15页

绝对距离测量的精度对于航空航天科技、精密装备加工、卫星编队、行星空间定位等领域具有重要意义。近年来,基于可调谐激光器的扫频干涉(FSI)测距技术以其突破2π模糊度、无测量死区、不接触且不依赖导轨等优点成为国际研究热点。文中... 绝对距离测量的精度对于航空航天科技、精密装备加工、卫星编队、行星空间定位等领域具有重要意义。近年来,基于可调谐激光器的扫频干涉(FSI)测距技术以其突破2π模糊度、无测量死区、不接触且不依赖导轨等优点成为国际研究热点。文中在阐述FSI测距原理的基础上,简要分析了测距系统中部分器件的类型与性能,如可调谐激光器、探测器等,以及影响测距系统不确定度的因素,包括非线性扫频、多普勒频移、色散失配等方面,着重介绍了国内外对影响不确定度因素的相应补偿方法,并对补偿后的测量结果进行对比与总结。 展开更多

关键词 FSI 非线性扫频 多普勒频移 色散失配 不确定度

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硅缓冲层提高选区外延生长硅基锗薄膜质量 被引量：1

10

作者 许怡红 王尘 +1 位作者 陈松岩 李成 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第4期297-301,共5页

研究了Si缓冲层对选区外延Si基Ge薄膜的晶体质量的影响。利用超高真空化学气相沉积系统,结合低温Ge缓冲层和选区外延技术,通过插入Si缓冲层,在Si/SiO_2图形衬底上选择性外延生长Ge薄膜。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子... 研究了Si缓冲层对选区外延Si基Ge薄膜的晶体质量的影响。利用超高真空化学气相沉积系统,结合低温Ge缓冲层和选区外延技术,通过插入Si缓冲层,在Si/SiO_2图形衬底上选择性外延生长Ge薄膜。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)表征了Ge薄膜的晶体质量和表面形貌。测试结果表明,选区外延Ge薄膜的晶体质量比无图形衬底外延得到薄膜的晶体质量要高;选区外延Ge薄膜前插入Si缓冲层得到Ge薄膜具有较低的XRD曲线半高宽以及表面粗糙度,位错密度低至5.9×10~5/cm^2,且薄膜经过高低温循环退火后,XRD曲线半高宽和位错密度进一步降低。通过插入Si缓冲层可提高选区外延Si基Ge薄膜的晶体质量,该技术有望应用于Si基光电集成。 展开更多

关键词 硅缓冲层 锗(Ge) 选区外延生长 超高真空化学气相沉积 退火

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Dy^(3+)/Tm^(3+)掺杂Na_(2)Gd(PO_(4))(WO_(4))的制备及发光性能研究 被引量：1

11

作者 林翔宇 孟宪国 +5 位作者 许英朝 周琼 刘春辉 吴盼盼 王明明 王嘉伟 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第2期239-244,共6页

采用二次熔融的高温固相法合成了一系列Dy^(3+)/Tm^(3+)共掺钠-钆-磷钨酸盐(NGPW)荧光材料,研究了其光致发光特性和热稳定性,以及CIE与激发波长的映射关系。改变激发波长可以让NGPW∶2%Tm^(3+),xDy^(3+)(x=1%、2%、3%、4%、5%)荧光粉的... 采用二次熔融的高温固相法合成了一系列Dy^(3+)/Tm^(3+)共掺钠-钆-磷钨酸盐(NGPW)荧光材料,研究了其光致发光特性和热稳定性,以及CIE与激发波长的映射关系。改变激发波长可以让NGPW∶2%Tm^(3+),xDy^(3+)(x=1%、2%、3%、4%、5%)荧光粉的颜色从蓝色-冷白色-暖白色-黄色连续变化。在356nm和363nm激发下,可实现白光发射。对共掺杂荧光粉的荧光衰减曲线进行表征,验证了该荧光粉中Dy^(3+)和Tm^(3+)之间存在能量转移。详细研究了能量传递效率和能量传递机理。NGPW∶2%Tm^(3+),xDy^(3+)荧光粉有望成为极具潜力的色彩可调的单组分荧光粉。 展开更多

关键词 荧光粉 Dy^(3+)掺杂 Tm^(3+)掺杂 能量转移

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GaN基LED芯片的光效提升研究 被引量：2

12

作者 崔悦 许英朝 +3 位作者 刘春辉 林苗茜 李洋洋 陈浩 《激光杂志》 CAS 北大核心 2021年第4期31-35,共5页

GaN基LED芯片具有制备工艺简单、低成本、良率高等优点,提高LED芯片的出光效率已成为国内外专家的研究重点。采用tracepro软件,并基于蒙特卡洛法对ITO表面具有微孔结构的LED芯片的光萃取效率进行模拟仿真,相比ITO层没有微孔结构的LED芯... GaN基LED芯片具有制备工艺简单、低成本、良率高等优点,提高LED芯片的出光效率已成为国内外专家的研究重点。采用tracepro软件,并基于蒙特卡洛法对ITO表面具有微孔结构的LED芯片的光萃取效率进行模拟仿真,相比ITO层没有微孔结构的LED芯片,有微孔结构的LED芯片的光萃取效率有明显的提升。通过光刻技术和湿法蚀刻技术制备ITO厚度为30 nm的LED芯片,在ITO层制作周期微结构。通过光电性检测,在通入20 m A电流时,相比ITO层没有微孔结构的LED芯片,有微孔结构的LED芯片样品的输出光功率分别提高3.9%、6.76%和4.66%,并在此基础上优化了的电极结构,使电流密度分布均匀得到有效提升。 展开更多

关键词 LED芯片 ITO TRACEPRO 微孔结构

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白光LED用Eu^(3+)掺杂CaSnSiO_(5)橙红色荧光粉性能研究 被引量：2

13

作者 鹿晨东 许英朝 +3 位作者 周琼 陆逸 吴盼盼 刘月 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第11期128-132,137,共6页

通过两步固相法制备了一系列的CaSnSiO_(5)∶xEu^(3+)荧光粉,研究了该荧光粉的物相结构及其光学性质。根据荧光光谱,确定了Eu^(3+)的最佳掺杂浓度、临界能量传递距离以及平均寿命,并分析出浓度猝灭机制是电偶极之间的相互作用。在LED可... 通过两步固相法制备了一系列的CaSnSiO_(5)∶xEu^(3+)荧光粉,研究了该荧光粉的物相结构及其光学性质。根据荧光光谱,确定了Eu^(3+)的最佳掺杂浓度、临界能量传递距离以及平均寿命,并分析出浓度猝灭机制是电偶极之间的相互作用。在LED可能的最大工作温度范围内(393~423K)样品显示出了良好的热稳定性,最后,将样品与商用蓝粉和黄绿粉封装到395nm LED芯片上,在不同的驱动电流下LED样品发出明亮暖白光,且具有显色指数高(CRI>80)、色容差小(SDCM≤7)等优点。综上,所制备的CaSnSiO_(5)∶xEu^(3+)荧光粉在WLED上具有较好的应用前景。 展开更多

关键词 荧光粉 CaSnSiO_(5)∶xEu^(3+) 白光LED

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共阴极节能LED显示屏设计研究 被引量：2

14

作者 王素彬 朱卫平 +2 位作者 许英朝 黄渝斐 洪荣辉 《激光杂志》 CAS 北大核心 2021年第12期186-189,共4页

传统共阳电路存在着屏体温度过高和功耗过大的缺点。而共阴电路能很好地解决这两个问题。就共阴电路led显示屏的原理、节能、低热低温升等方面进行了详细的阐述。测试结果表明,共阴电路屏体温度平均低于传统共阳电路14.6℃,功耗降低了40... 传统共阳电路存在着屏体温度过高和功耗过大的缺点。而共阴电路能很好地解决这两个问题。就共阴电路led显示屏的原理、节能、低热低温升等方面进行了详细的阐述。测试结果表明,共阴电路屏体温度平均低于传统共阳电路14.6℃,功耗降低了40%以上,很好地响应了国家节能环保政策,满足了客户对产品可靠性、使用寿命和显示一致性、节能环保等需求。 展开更多

关键词 共阴 共阳 节能 低温升

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GaN基蓝光LED吸湿失效分析及改善 被引量：1

15

作者 刘春辉 许英朝 +4 位作者 王嘉伟 周琼 林翔宇 王明明 吴盼盼 《激光杂志》 CAS 北大核心 2022年第2期21-26,共6页

湿气进入LED芯片内部会加速其老化失效,影响其可靠性。本研究模拟实验LED芯片在湿气环境中产生的GaN氧化、金属电极吸湿腐蚀和金属离子迁移等失效外观。利用ALD沉积Al_(2)O_(3)钝化层替代传统的PECVD沉积SiO_(2)钝化层。通过逆电解的方... 湿气进入LED芯片内部会加速其老化失效,影响其可靠性。本研究模拟实验LED芯片在湿气环境中产生的GaN氧化、金属电极吸湿腐蚀和金属离子迁移等失效外观。利用ALD沉积Al_(2)O_(3)钝化层替代传统的PECVD沉积SiO_(2)钝化层。通过逆电解的方式测试了其失效时间,通过高温高湿老化实验测试了其正向电压和亮度变化,实验结果表明:Al_(2)O_(3)钝化层的抗湿抗腐蚀能力优于SiO_(2),且Al_(2)O_(3)膜层越厚,效果越显著。 展开更多

关键词 LED 吸湿失效 钝化层 老化试验 AL O

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NiO-CuO纳米材料的制备及其电化学性能 被引量：1

16

作者 王建明 任治宇 +6 位作者 蔡鹤铭 柴松林 林一清 熊飞兵 张宏怡 李刚 程再军 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第8期771-777,共7页

过渡金属氧化物因具有丰富的氧化还原位点、高的理论容量等特性,常被用作超级电容器的电极材料。但是,单金属氧化物的导电性普遍较差,极大限制了其电化学性能。选用泡沫镍为基底,采用静电纺丝法制备出NiO纳米纤维,并通过掺杂氧化铜制备N... 过渡金属氧化物因具有丰富的氧化还原位点、高的理论容量等特性,常被用作超级电容器的电极材料。但是,单金属氧化物的导电性普遍较差,极大限制了其电化学性能。选用泡沫镍为基底,采用静电纺丝法制备出NiO纳米纤维,并通过掺杂氧化铜制备NiO-CuO双金属氧化物电极材料。实验结果表明:在2 mol/L KOH溶液中,当电流密度为0.5 A·g^(-1)时,NiO电极的质量比电容为202.8 F·g^(-1),5 000次循环充放电后电容保持率仅为30.28%。同等测试条件下,NiO-CuO电极的质量比电容高达410.4 F·g^(-1),电容保持率为60.48%。因而,合理构建双金属氧化物作为电极材料,可充分发挥两种过渡金属的协同效应,大幅提高电极材料导电性和稳定性,进而提升电化学性能。 展开更多

关键词 超级电容器 静电纺丝 纳米材料 双金属氧化物 电极材料

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GaN基LED芯片抗湿性能提升研究 被引量：1

17

作者 刘春辉 许英朝 +4 位作者 王嘉伟 周琼 林翔宇 王明明 吴盼盼 《激光杂志》 CAS 北大核心 2022年第3期38-41,共4页

吸湿失效是影响LED可靠性的一个重要问题。从LED芯片结构着手,在蒸镀钝化层之前在芯片切割走道边缘处镀12 nm厚度的TiO_(2),宽度分别是5μm和8μm,其目的是为了增强与SiO(2)钝化层的黏附性,同时减少切割带来的钝化层损坏。通过逆电解测... 吸湿失效是影响LED可靠性的一个重要问题。从LED芯片结构着手,在蒸镀钝化层之前在芯片切割走道边缘处镀12 nm厚度的TiO_(2),宽度分别是5μm和8μm,其目的是为了增强与SiO(2)钝化层的黏附性,同时减少切割带来的钝化层损坏。通过逆电解测试与高温高湿老化测试,测试结果均表明蒸镀TiO_(2)薄膜可以提高LED抗湿性能。 展开更多

关键词 LED 抗湿性能 逆电解 高温高湿老化 TiO_(2)

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基于磁光效应的双路偏振输出激光器

18

作者 阮剑剑 龙慧 +3 位作者 黄晓桦 林洪沂 孙栋 刘虹 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2021年第11期1446-1449,共4页

基于TSAG磁光晶体的法拉第效应和Nd∶YVO_(4)晶体的偏振特性,本文研究了一种双路输出的激光器,其激光输出呈线性偏振。未加磁场时,激光器单路偏振输出。当加上磁场后,激光器则成双路偏振输出,且输出偏振角度和功率随磁场强度而变化。随... 基于TSAG磁光晶体的法拉第效应和Nd∶YVO_(4)晶体的偏振特性,本文研究了一种双路输出的激光器,其激光输出呈线性偏振。未加磁场时,激光器单路偏振输出。当加上磁场后,激光器则成双路偏振输出,且输出偏振角度和功率随磁场强度而变化。随着磁场强度的不断增大,一路光的输出功率不断减小,而另一路的输出功率则不断增大。双路偏振输出激光器可以应用于位移测量、区域环境监测和双光梳测距技术等领域。 展开更多

关键词 TSAG磁光晶体 法拉第效应 双路偏振 Nd∶YVO_(4)激光器

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Sr_(2)SiO_(4)∶Eu^(2+),Dy^(3+)的光存储特性

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作者 周琼 孟宪国 +4 位作者 许英朝 刘春辉 吴盼盼 王明明 林翔宇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第11期1774-1780,共7页

通过还原气氛下的高温固相反应制备了Sr_(1.994-x)SiO_(4)∶0.006Eu^(2+),xDy^(3+)(x=0.001~0.006)荧光粉。利用X射线衍射仪(XRD)和荧光分光光度计分析了Sr_(1.994-x)SiO_(4)∶0.006Eu^(2+),xDy^(3+)荧光粉的晶体结构和发光性能,通过光... 通过还原气氛下的高温固相反应制备了Sr_(1.994-x)SiO_(4)∶0.006Eu^(2+),xDy^(3+)(x=0.001~0.006)荧光粉。利用X射线衍射仪(XRD)和荧光分光光度计分析了Sr_(1.994-x)SiO_(4)∶0.006Eu^(2+),xDy^(3+)荧光粉的晶体结构和发光性能,通过光致发光(PL)谱和光激励发光(PSL)谱表明所有的发光中心都来源于Eu^(2+)离子。在320 nm和365 nm激发下,可以观察到以470 nm为中心的蓝光发射和530 nm为中心的绿光发射。热释光测试证明,Sr_(1.994-x)SiO_(4)∶0.006Eu^(2+),xDy^(3+)材料的俘获陷阱深,室温下受热扰动影响小,在800 nm红外光激发下,被俘获的电子释放,在发光中心中与空穴复合发光。在254 nm紫外线照射0.5 h后,用980 nm红外激光器照射,可以观察到绿色的光激励发光,结果表明Sr_(1.994-x)SiO_(4)∶0.006Eu^(2+),xDy^(3+)具有光存储特性。 展开更多

关键词 高温固相法 Sr_(2)SiO_(4) 光致发光 光激励发光 光存储

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一种全集成的麦克风可编程增益放大器设计 被引量：3

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作者 阮剑剑 魏聪 陈铖颖 《现代电子技术》 北大核心 2019年第13期173-176,共4页

针对麦克风应用,设计一种全集成、高精度的可编程放大器电路。该电路采用电容增益以及高通滤波器的设计方法,无须片外去耦合电容,实现可编程增益放大器的单片集成。可编程增益放大器电路采用SMIC0.13μm1P8MCMOS工艺实现。完成后仿真结... 针对麦克风应用,设计一种全集成、高精度的可编程放大器电路。该电路采用电容增益以及高通滤波器的设计方法,无须片外去耦合电容,实现可编程增益放大器的单片集成。可编程增益放大器电路采用SMIC0.13μm1P8MCMOS工艺实现。完成后仿真结果表明,在电源电压1V,增益18dB,输入信号频率2kHz,峰峰值50mV时,可编程增益放大器动态范围达到73dB,总谐波失真64dB,整体功耗206μW,满足麦克风全集成、高精度的应用需求。 展开更多

关键词 麦克风 全集成 高精度放大器 可编程增益放大器 晶体管 数字信号处理

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