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La_(2)(ZrO_(3))_(3)掺杂BST基介电陶瓷介电性能的研究
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作者 陈映义 陈磊 +4 位作者 彭道华 陈甲天 陈应和 黄新友 牛继恩 《中国陶瓷》 北大核心 2025年第2期33-38,45,共7页
通过传统固相法制备La_(2)(ZrO_(3))_(3)掺杂(Ba_(0.79)Sr_(0.21))TiO_(3)(BST)陶瓷。采用XRD、SEM等研究了掺杂La_(2)(ZrO_(3))_(3)(LZO)对BST基陶瓷的物相和微观结构及介电性能影响。结果表明:随着LZO掺杂量增加,BST基介电陶瓷介电常... 通过传统固相法制备La_(2)(ZrO_(3))_(3)掺杂(Ba_(0.79)Sr_(0.21))TiO_(3)(BST)陶瓷。采用XRD、SEM等研究了掺杂La_(2)(ZrO_(3))_(3)(LZO)对BST基陶瓷的物相和微观结构及介电性能影响。结果表明:随着LZO掺杂量增加,BST基介电陶瓷介电常数首先降低而后增加再又降低,介质损耗首先减小而后增大又再减小,BST基介电陶瓷的电阻率首先增大然后减小而后又再增大,耐压的强度首先增大然后减小。当LZO掺杂量为0.5 wt%时,BST基介电陶瓷具有最大介电常数,为6138;当LZO掺杂量为4.0 wt%的时候,BST基介电陶瓷的介质损耗最小,为0.0058,介电陶瓷的电阻率最大,为3609 GΩ·cm;当LZO掺杂量为3 wt%时,BST基介电陶瓷的耐压强度最大,为E_(b)=7.8 KV/mm(DC),容温变化率是+33.67%,-47.38%。掺杂LZO的BST基介电陶瓷是钙钛矿结构。随着掺杂量的增加,BST基介电陶瓷的介电弛豫现象比较明显,移峰效应也比较显著,衍射角首先增大然后减小,晶粒尺寸先减小然后增大。 展开更多
关键词 钛酸锶钡 La_(2)(ZrO_(3))_(3)O_(3) 介电性能 掺杂 陶瓷
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Bi_(2)(SnO_(3))3掺杂(Ba,Sr)TiO_(3)介电陶瓷介电性能的研究
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作者 陈映义 陈磊 +4 位作者 彭道华 陈甲天 陈应和 黄新友 牛继恩 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期49-54,共6页
通过传统固相法制备Bi_(2)(SnO_(3))_(3)(BSO)掺杂(Ba_(0.79)Sr_(0.21))TiO_(3)((Ba,Sr)TiO_(3),BST)陶瓷。采用XRD、SEM等研究了Bi_(2)(SnO_(3))_(3)(BSO)掺杂对BST陶瓷的物相和微观结构及介电的性能影响。实验结果表明:随着BSO掺杂量... 通过传统固相法制备Bi_(2)(SnO_(3))_(3)(BSO)掺杂(Ba_(0.79)Sr_(0.21))TiO_(3)((Ba,Sr)TiO_(3),BST)陶瓷。采用XRD、SEM等研究了Bi_(2)(SnO_(3))_(3)(BSO)掺杂对BST陶瓷的物相和微观结构及介电的性能影响。实验结果表明:随着BSO掺杂量增加,BST基介电陶瓷的介电常数开始增大而后减小然后再增大随后再减小,陶瓷的介质损耗首先增大然后减小。当掺杂BSO的量是2 wt%的时候,BST基介电陶瓷具有较好的介电性能:介电常数是5430;介质损耗是0.0145,电容温度变化率是+20.64%,-45.58%。BSO掺杂的BST基介电陶瓷仍为钙钛矿结构。BSO的掺杂起到移峰和压峰的作用。 展开更多
关键词 钛酸锶钡 Bi_(2)(SnO_(3))_(3) 介电性能 掺杂 陶瓷
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MgNb_(2)O_(6)掺杂(Ba,Sr)TiO_(3)基电容器陶瓷介电性能的研究
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作者 陈映义 陈磊 +4 位作者 彭道华 陈甲天 陈应和 黄新友 牛继恩 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第5期704-709,共6页
采用固相法制备MgNb_(2)O_(6)(MNO)掺杂(Ba_(0.79)Sr_(0.21))TiO_(3)((Ba,Sr)TiO_(3))基电容器陶瓷。采用XRD、SEM等研究了MgNb_(2)O_(6)掺杂对(Ba,Sr)TiO_(3)基电容器陶瓷的物相、显微结构及介电性能影响。结果表明,随着MNO掺杂量的增... 采用固相法制备MgNb_(2)O_(6)(MNO)掺杂(Ba_(0.79)Sr_(0.21))TiO_(3)((Ba,Sr)TiO_(3))基电容器陶瓷。采用XRD、SEM等研究了MgNb_(2)O_(6)掺杂对(Ba,Sr)TiO_(3)基电容器陶瓷的物相、显微结构及介电性能影响。结果表明,随着MNO掺杂量的增加,(Ba,Sr)TiO_(3)基电容器陶瓷的介电常数逐渐减小,陶瓷的介电损耗先增大后减小再增大,陶瓷的电阻率先减小后增大再减小,陶瓷的耐压强度先减小后增大再减小。当MNO掺杂量(质量分数)为2.0%时,陶瓷的介电常数达到最大值(为1670),陶瓷的介电损耗有最小值(为0.0056)。当MNO掺杂量(质量分数)为8%时,陶瓷的电阻率有最大值(为65.23×10^(10)Ω·cm),耐压强度的最大值为7.7 kV/mm(DC)。当掺杂MNO量(质量分数)为10%时,陶瓷的电容温度变化率为+0.18%,-28.29%。MNO掺杂(Ba,Sr)TiO_(3)基电容器陶瓷是钙钛矿结构。掺杂MNO能够降低陶瓷的电容温度变化率。 展开更多
关键词 钛酸锶钡 MgNb_(2)O_(6) 介电性能 掺杂 陶瓷
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