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点阵式液晶显示模块的旋转式菜单设计 被引量:10
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作者 张平均 黄家骏 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期342-345,共4页
采用ATMEL公司的89C51单片机和内置HD61102驱动芯片的CGM12864液晶模块,设计出了液晶模块与单片机之间的硬件接口电路,并用C语言实现了液晶旋转式菜单的显示程序。系统中实际运用的旋转式菜单由8个界面组成,按照设定的顺序进行界面间的... 采用ATMEL公司的89C51单片机和内置HD61102驱动芯片的CGM12864液晶模块,设计出了液晶模块与单片机之间的硬件接口电路,并用C语言实现了液晶旋转式菜单的显示程序。系统中实际运用的旋转式菜单由8个界面组成,按照设定的顺序进行界面间的旋转转换,很好地解决了多幅菜单的同屏切换问题,具有动态显示的特征,在家用电子产品中取得了良好的应用效果。 展开更多
关键词 液晶显示模块 单片机 旋转式菜单
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平行/同杆双回线的单线故障精确测距算法 被引量:10
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作者 林军 程传玲 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2008年第7期69-72,共4页
平行/同杆双回线的一条线路发生故障时,由于非故障线路包含了对侧系统的信息,可以实现利用单端故障信息实现故障测距。介绍平行/同杆双回线的单线故障的一种故障测距算法,算法采用正、负、零序分量的分布参数模型和传输线方程,利用线路... 平行/同杆双回线的一条线路发生故障时,由于非故障线路包含了对侧系统的信息,可以实现利用单端故障信息实现故障测距。介绍平行/同杆双回线的单线故障的一种故障测距算法,算法采用正、负、零序分量的分布参数模型和传输线方程,利用线路单端的故障信息,根据实际故障点的纯电阻特征,得到平行/同杆双回线单线故障时距离测量点的距离。用特征模量分解方法解决同杆双回线的零序分量网络中存在互阻抗和互电纳的难题。算法的精度不受分布电容影响和对端系统阻抗变化的影响。精确计算表明,线路换位(相序排列)对测距精度的影响可以用误差校正曲线或表格的方法校正。 展开更多
关键词 超高压 双回线 故障测距 分布参数模型
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磁场后处理增强碳纳米管场发射特性的研究 被引量:4
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作者 林金阳 张永爱 +1 位作者 杨尊先 郭太良 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期96-99,共4页
采用磁场后处理法改变碳纳米管的表面结构,增强了碳纳米管场发射性能。采用SEM对样品的处理前后的形貌进行了表征,场发射的数据显示,相对于,未经过任何处理的碳纳米管阴极,磁场后处理过的碳纳米管冷阴极的开启电场(电流密度为0.1 mA/cm... 采用磁场后处理法改变碳纳米管的表面结构,增强了碳纳米管场发射性能。采用SEM对样品的处理前后的形貌进行了表征,场发射的数据显示,相对于,未经过任何处理的碳纳米管阴极,磁场后处理过的碳纳米管冷阴极的开启电场(电流密度为0.1 mA/cm2时的电场)由1.05降低到0.73 V/μm,场增强因子从1656增加到2045,场发射的亮度及均匀度均得到改善。相对其它后处理方法,磁场后处理法是一种简单、经济且有效的增强碳纳米管的场发射特性的方法。 展开更多
关键词 碳纳米管 场致发射 磁场TB332
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热蒸发法原位生长一维氧化锌纳米材料及其场发射特性研究 被引量:3
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作者 林金阳 王灵婕 +1 位作者 张永爱 郭太良 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1500-1503,共4页
利用磁控溅射在ITO电极上沉积氧化锌薄膜,以氧化锌薄膜为种子层,采用热蒸发法合成ZnO一维纳米材料,利用XRD和SEM方法对氧化锌一维纳米材料的微观结构进行分析,测试其场发射性能。结果显示,氧化锌纳米材料为钉子状结构,每个氧化锌纳米钉... 利用磁控溅射在ITO电极上沉积氧化锌薄膜,以氧化锌薄膜为种子层,采用热蒸发法合成ZnO一维纳米材料,利用XRD和SEM方法对氧化锌一维纳米材料的微观结构进行分析,测试其场发射性能。结果显示,氧化锌纳米材料为钉子状结构,每个氧化锌纳米钉由几微米大的钉帽和细棒组成,垂直于基底生长。场发射性能研究表明它具有较低的开启场强,高的发射电流和好的稳定性,是一种优良的冷阴极电子发射源。 展开更多
关键词 氧化锌 热蒸发法 场发射
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利用中性点电抗器实现高压输电线单相自适应重合闸 被引量:5
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作者 林军 郑荣进 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2009年第3期89-92,共4页
对带并联电抗器和中性点电抗器的超高压输电线,为了避免重合于永久性故障,在单相重合闸之前合上中性点电抗器与地之间装设的接地开关S,根据断开相电压值可以有效地判别线路故障的性质和绝缘水平,防止重合于故障线路。通过设定被短接电... 对带并联电抗器和中性点电抗器的超高压输电线,为了避免重合于永久性故障,在单相重合闸之前合上中性点电抗器与地之间装设的接地开关S,根据断开相电压值可以有效地判别线路故障的性质和绝缘水平,防止重合于故障线路。通过设定被短接电抗的百分比或者经过阻尼电阻短接部分电抗可以控制断开相振荡电压水平,防止断开相过电压。ATP-EMTP暂态仿真结果表明:如果是瞬时性故障,只要两侧中性点电抗器开关S的动作时间差小于30ms,或者后合一侧的中性点电抗器开关S在电压振荡幅值最低时刻附近合上,断开相电压值可以振荡到额定电压的水平,单相重合闸可以成功;反之,若断开相电压值保持在很低的水平,则必然是永久性故障。 展开更多
关键词 超高压输电线 自动重合闸 中性点电抗器 绝缘 单相接地故障
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相序排列对超高压线路环网电流分布影响 被引量:11
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作者 林军 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期560-564,共5页
超高压线路因换位困难而用不换位的架线方式,由此引起的线路参数不平衡造成各相电流不平衡。为此介绍了一种采用特征模量分解手段精确计算不换位线路构成的超高压环网中各线路不同相电流分布的方法和相关公式。计算分析表明:各线路电流... 超高压线路因换位困难而用不换位的架线方式,由此引起的线路参数不平衡造成各相电流不平衡。为此介绍了一种采用特征模量分解手段精确计算不换位线路构成的超高压环网中各线路不同相电流分布的方法和相关公式。计算分析表明:各线路电流的零序分量很小,不会产生电磁兼容问题;各线路电流的负序分量不会大到影响保护的程度;而负荷端三相电流基本平衡,负序和零序电流都不大。因此在超高压线路形成环网后,可不换位,相序排列可以根据工程实际情况任意选择。以上结果尚待工程实践的验证。 展开更多
关键词 超高压线路 相序排列 电流分布 环网线路 特征模量分析 换位
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氧化锡薄膜场致发射研究 被引量:4
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作者 林金阳 王灵婕 +1 位作者 张永爱 郭太良 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期368-371,共4页
利用直流磁控反应溅射法,制备氧化锡薄膜,利用扫描电镜等方法对氧化锡薄膜微观结构进行分析。在低真空下,对不同厚度的氧化锡薄膜进行场致发射测试,结果显示,在氧化锡薄膜厚度为60nm时,场致发射性能最佳,当电流密度为10μA/m2时,开启电... 利用直流磁控反应溅射法,制备氧化锡薄膜,利用扫描电镜等方法对氧化锡薄膜微观结构进行分析。在低真空下,对不同厚度的氧化锡薄膜进行场致发射测试,结果显示,在氧化锡薄膜厚度为60nm时,场致发射性能最佳,当电流密度为10μA/m2时,开启电压为4.5 V/μm,阴阳两极电场为7 V/μm时,有较佳的场发射密度,同时发光亮度达到2180 cd/m2,结果表明,氧化锡薄膜在场发射平板显示及真空电子器件方面具有较好的应用潜力。 展开更多
关键词 氧化锡薄膜场致发射磁控反应溅射
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超高压同杆双回线任意故障的直接精确计算 被引量:5
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作者 林军 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1982-1986,共5页
为解决同杆双回线任意故障形式故障(包括纵向、横向和多处故障)的精确计算问题,采用了精确的分布参数模型和特征模量分解方法,将分布电容和线路换位的影响计算在内从而精确计算同杆双回线任意故障下的工频电量。以跨线并接地的横向故障... 为解决同杆双回线任意故障形式故障(包括纵向、横向和多处故障)的精确计算问题,采用了精确的分布参数模型和特征模量分解方法,将分布电容和线路换位的影响计算在内从而精确计算同杆双回线任意故障下的工频电量。以跨线并接地的横向故障和该故障线的一侧断路器断开后的复杂故障为例阐明了该算法的原理。两个a相接地同时m侧a相断路器断开的复杂故障的算例:其中一个是无负荷电流时的故障,另一个是有负荷电流时的故障,证明该方法是正确的。将计算结果与ATP-EMTP仿真比较,证明了方法的正确性。 展开更多
关键词 同杆双回线 精确计算 任意故障 分布参数模型 特征模量分析 超高压
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带并补的超高压输电线非全相运行的暂态分析模型 被引量:2
9
作者 林军 熊启新 朱菁 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2010年第2期48-52,共5页
带并联电抗器和中性点电抗器的超高压输电线,在瞬时性故障电弧熄灭后的非全相运行状态下,由并联电抗器、中性点电抗器、线路的分布电容和阻抗形成了复杂的网络。为了探讨该电路特性,通过化简,建立了便于分析、相对精确的、集中参数的暂... 带并联电抗器和中性点电抗器的超高压输电线,在瞬时性故障电弧熄灭后的非全相运行状态下,由并联电抗器、中性点电抗器、线路的分布电容和阻抗形成了复杂的网络。为了探讨该电路特性,通过化简,建立了便于分析、相对精确的、集中参数的暂态分析电路模型。由此推导出拉普拉斯方程,计算出该电路的特征根,得到这种超高压输电线运行状态的特性。与ATP仿真结果比较,证明了电路模型的正确性。根据该方法计算出的故障相电压的自然分量的频率,由此可以提取电压的自然分量与强制分量,自然分量电压幅值与强制分量电压幅值比较值可以作为故障相电弧熄灭的判据。 展开更多
关键词 超高压输电线 自动重合闸 中性点电抗器 单相接地故障 暂态模型
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基于积分的锅炉水位自整定模糊PID控制 被引量:3
10
作者 陈平 《电子测量技术》 2008年第11期9-11,40,共4页
常见的二维模糊控制器采用误差和误差微分作为输入语言变量,规则数较多且没有积分作用,类似于PD控制器,控制精度不够理想。根据锅炉水位控制的特点,设计了一种基于误差及误差积分的自整定模糊PID控制,对误差、误差积分进行模糊推理,用... 常见的二维模糊控制器采用误差和误差微分作为输入语言变量,规则数较多且没有积分作用,类似于PD控制器,控制精度不够理想。根据锅炉水位控制的特点,设计了一种基于误差及误差积分的自整定模糊PID控制,对误差、误差积分进行模糊推理,用两个一维模糊控制器的输出调整PI控制器的比例系数和积分系数。MATLAB仿真结果表明,这种模糊PID控制器响应速度快,对虚假水位的控制效果有明显提高,同时由于采用的是一维模糊控制器,规则数减少。 展开更多
关键词 汽包水位 自整定 模糊PID MATLAB
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氧化铋纳米线的制备及场发射性能研究
11
作者 林金阳 张永爱 +1 位作者 王灵婕 郭太良 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期757-759,共3页
以NaOH和Bi(NO3)3.5H2O为原料,以庚烷、油酸和丙酮为分散剂,在室温下,制备氧化铋纳米线材料。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射分析仪(XRD)分析产物结构和形貌,分析可知该氧化铋纳米线直径约50nm,长度几微米至几十微米之间。通过丝... 以NaOH和Bi(NO3)3.5H2O为原料,以庚烷、油酸和丙酮为分散剂,在室温下,制备氧化铋纳米线材料。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射分析仪(XRD)分析产物结构和形貌,分析可知该氧化铋纳米线直径约50nm,长度几微米至几十微米之间。通过丝网印刷,制备氧化铋纳米线阵列,并进行场发射性能测试,结果表明,当电流密度0.1μA/cm2时,开启电场2.6V/μm,良好的场发射性能说明氧化铋纳米线在场发射平板显示及真空电子器件方面具有较好的应用潜力。 展开更多
关键词 氧化铋 纳米线 场发射 开启电场
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