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TiO_(2)缓冲层在SnS薄膜太阳能电池中的数值仿真研究: 1; 作者张红张国成宁宇《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第4期299-305,共7页; 低成本、环保的硫化亚锡(SnS),因具有较高的吸收系数与合适的禁带宽度,成为薄膜太阳能电池中很有潜力的光吸收层材料。但是目前已报道的SnS薄膜太阳能电池效率仍较低。本文对二氧化钛(TiO_(2))缓冲层在SnS薄膜太阳能电池中的应用进行数... 展开更多; 关键词硫化亚锡(SnS) 二氧化钛(TiO_(2)) 太阳能电池数值仿真; 在线阅读下载PDF 职称材料

绝缘层等离子处理对有机薄膜晶体管突触性能的影响被引量：1: 2; 作者饶智超汪秀梅 +4 位作者刘亚倩李恩龙俞礽坚陈惠鹏张国成《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第8期1093-1100,共8页; 在冯·诺依曼架构陷入瓶颈的时代背景下,受生物神经启发而演化的人工突触器件获得了广泛关注,加速了人们迈向人工智能时代的脚步。本文通过在P型有机薄膜晶体管(OTFT)绝缘层SiO2表面进行等离子处理,探究了界面处理引入羟基对OTFT突... 展开更多; 关键词有机薄膜晶体管人工突触表面修饰等离子处理; 在线阅读下载PDF 职称材料

喷墨打印金属氧化物异质结晶体管被引量：1: 3; 作者杨文宇张国成 +1 位作者崔宇陈惠鹏《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期497-503,共7页; 通过用喷墨打印制备的ZnO/IGZO异质结代替单层半导体沟道克服了氧化物缺陷导致的电子传输限制。ZnO/IGZO异质结晶体管表现出带状电子传输,迁移率比单层IGZO或ZnOTFT分别增大了约9倍和19倍,达到6.42cm^2/(V·s)。开关比分别增大了2个... 展开更多; 关键词金属氧化物半导体喷墨打印异质结二维电子气; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于有机薄膜晶体管的光写入多级存储器被引量：1: 4; 作者何伟欣何立铧 +1 位作者陈惠鹏张国成《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期95-102,共8页; 由于依靠不断缩小存储单元尺寸来提升单位面积存储能力的传统方法将会面临着器件尺寸的物理极限等瓶颈,人们逐渐将目光投向了能够在单一器件上实现高密度存储的多级存储器件。本文利用有机薄膜晶体管中存在的持续光电导率(PPC)效应制备... 展开更多; 关键词有机薄膜晶体管多级存储光写入存储; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于量子点浮栅的有机透明存储器: 5; 作者秦世贤马超 +2 位作者邢俊杰李博文张国成《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2023年第7期919-925,共7页; 为了适应新一代电子技术的日益发展,开发各种新型存储器显得日益重要。与传统存储器相比,新一代的存储器不但需要更高性能的记忆特性,还需要可以满足灵活性、透明性或神经形态功能等特定应用的需求。本文以有机半导体材料C8-BTBT作为半... 展开更多; 关键词有机薄膜晶体管存储器透明器件量子点浮栅; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名TiO_(2)缓冲层在SnS薄膜太阳能电池中的数值仿真研究: 1; 作者张红张国成宁宇; 机构福州大学物理与信息工程学院福建工程学院微电子技术研究中心; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第4期299-305,共7页; 基金福建省自然科学基金项目资助项目(2018J01535,2021J011082) 福州大学校人才基金资助项目(XRC-17047) 福建工程学院科研启动基金资助项目(GY-Z20041)。; 文摘低成本、环保的硫化亚锡(SnS),因具有较高的吸收系数与合适的禁带宽度,成为薄膜太阳能电池中很有潜力的光吸收层材料。但是目前已报道的SnS薄膜太阳能电池效率仍较低。本文对二氧化钛(TiO_(2))缓冲层在SnS薄膜太阳能电池中的应用进行数值仿真研究。首先对吸收层的厚度与掺杂浓度、缓冲层的厚度与掺杂浓度进行了讨论,优化后的光电转换效率达到15.66%。然后在此基础上仿真分析了环境温度、背接触金属功函数对电池性能的影响。由仿真结果可知,该电池效率的温度系数为-0.029%/K,当背接触功函数大于5.1 eV时,电池性能较好。这为以后研发高性能的SnS薄膜太阳能电池提供了理论指导与参考。; 关键词硫化亚锡(SnS) 二氧化钛(TiO_(2)) 太阳能电池数值仿真; Keywords stannous sulfide(SnS) titanium dioxide(TiO_(2)) solar cells numerical simulation; 分类号 TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名绝缘层等离子处理对有机薄膜晶体管突触性能的影响被引量：1: 2; 作者饶智超汪秀梅刘亚倩李恩龙俞礽坚陈惠鹏张国成; 机构福州大学平板显示技术国家地方联合工程实验室福建工程学院微电子技术研究中心; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第8期1093-1100,共8页; 基金福建省自然科学基金(No.2017J05097,No.2018J01535) 科研启动基金(No.GY-Z20041)。; 文摘在冯·诺依曼架构陷入瓶颈的时代背景下,受生物神经启发而演化的人工突触器件获得了广泛关注,加速了人们迈向人工智能时代的脚步。本文通过在P型有机薄膜晶体管(OTFT)绝缘层SiO2表面进行等离子处理,探究了界面处理引入羟基对OTFT突触性能的影响。具体对绝缘层不同等离子处理时长的OTFT进行了突触行为的模拟和对比,包括兴奋性后突触后电流(EPSC)、双脉冲易化(PPF)、长程可塑性(LTP)等。突触特性的产生是由于等离子处理给半导体层/绝缘层界面引入的羟基对电子进行了捕获。而随着等离子处理时间的增加,绝缘层表面更多的羟基使得OTFT表现出更强的记忆和保持能力、更高的线性度,更有利于其在类脑学习、神经计算等方面的应用。; 关键词有机薄膜晶体管人工突触表面修饰等离子处理; Keywords organic thin film transistor artificial synapse surface modification plasma treatment; 分类号 TN321.5 [电子电信—物理电子学] TH691.9 [机械工程—机械制造及自动化]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名喷墨打印金属氧化物异质结晶体管被引量：1: 3; 作者杨文宇张国成崔宇陈惠鹏; 机构福州大学平板显示技术国家地方联合工程实验室福建工程学院微电子技术研究中心长春工程技术学院; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期497-503,共7页; 基金国家重点研发计划(2016YFB0401103) 福建省自然科学基金(2016J01749)资助项目~~; 文摘通过用喷墨打印制备的ZnO/IGZO异质结代替单层半导体沟道克服了氧化物缺陷导致的电子传输限制。ZnO/IGZO异质结晶体管表现出带状电子传输,迁移率比单层IGZO或ZnOTFT分别增大了约9倍和19倍,达到6.42cm^2/(V·s)。开关比分别增大了2个和4个数量级,达到1.8×10^8。性能的显著改善源自于IGZO和ZnO异质界面间由于导带的大偏移量而形成的二维电子气。; 关键词金属氧化物半导体喷墨打印异质结二维电子气; Keywords metal oxide semiconductor inkjet printing heterojunction two-dimensional electron gas; 分类号 TN321.5 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于有机薄膜晶体管的光写入多级存储器被引量：1: 4; 作者何伟欣何立铧陈惠鹏张国成; 机构福州大学平板显示技术国家地方联合工程实验室福建工程学院微电子技术研究中心; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期95-102,共8页; 基金国家重点研发计划(2016YFB0401103) 国家自然科学基金(51503039) +1 种基金福建省自然科学基金(2016J01749) 福建省教育厅中青年项目(JA15350)资助~~; 文摘由于依靠不断缩小存储单元尺寸来提升单位面积存储能力的传统方法将会面临着器件尺寸的物理极限等瓶颈,人们逐渐将目光投向了能够在单一器件上实现高密度存储的多级存储器件。本文利用有机薄膜晶体管中存在的持续光电导率(PPC)效应制备了一个光写入操作的多级存储器件,有效地避免了电写入操作对器件的接触破坏性和较大功耗问题。研究了在不同功率(60,100,150μW/cm 2)和不同持续时间(50~1000 ms)700 nm光写入脉冲作用下的器件存储状态,器件在光功率为60μW/cm 2、持续时间为100 ms的光脉冲下展现出了低至0.189 nJ的极低工作功耗。通过对器件施加16个连续光写入脉冲证实器件具有16个有效的存储状态,实现了存储容量为4 bits的多级光写入存储功能。; 关键词有机薄膜晶体管多级存储光写入存储; Keywords organic thin film transistor multi-level storage optical storage; 分类号 TN321+.5 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于量子点浮栅的有机透明存储器: 5; 作者秦世贤马超邢俊杰李博文张国成; 机构福建工程学院微电子技术研究中心; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2023年第7期919-925,共7页; 基金福建省自然科学基金(No.2021J011082) 科研启动基金(No.GY-Z20041)。; 文摘为了适应新一代电子技术的日益发展,开发各种新型存储器显得日益重要。与传统存储器相比,新一代的存储器不但需要更高性能的记忆特性,还需要可以满足灵活性、透明性或神经形态功能等特定应用的需求。本文以有机半导体材料C8-BTBT作为半导体层,PVP量子点共混作为浮栅提出了一种有机透明存储器(透明度≥83%)。器件具有超过40 V的存储窗口,编写/擦除电流比大于103,在104 s后仍能稳定分辨开关态。本文工作为透明柔性器件提供了一种新的解决方案,并预示了它们在下一代透明有机电子领域的潜力。; 关键词有机薄膜晶体管存储器透明器件量子点浮栅; Keywords organic thin film transistor memory transparent device quantμm dots floating gate; 分类号 TN321.5 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	TiO_(2)缓冲层在SnS薄膜太阳能电池中的数值仿真研究	张红张国成宁宇	《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心	2022	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	绝缘层等离子处理对有机薄膜晶体管突触性能的影响	饶智超汪秀梅刘亚倩李恩龙俞礽坚陈惠鹏张国成	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2021	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	喷墨打印金属氧化物异质结晶体管	杨文宇张国成崔宇陈惠鹏	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2019	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于有机薄膜晶体管的光写入多级存储器	何伟欣何立铧陈惠鹏张国成	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2020	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	基于量子点浮栅的有机透明存储器	秦世贤马超邢俊杰李博文张国成	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料