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基于热成像与灰度转换技术的光伏阵列缺陷检测方法 被引量:12
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作者 柳扬 陈美珍 +3 位作者 徐胜彬 郭俊锋 张永强 林金阳 《电子测量技术》 北大核心 2021年第11期96-102,共7页
光伏阵列的缺陷检测及其影响评估对于提高其系统的性能和可靠性具有重要意义。针对光伏阵列热斑缺陷的检测图像存在细节缺失和易受噪声干扰的问题,为了能够快速地识别缺陷,准确地分析其损坏程度,提出了一套系统性的检测方案。使用手持... 光伏阵列的缺陷检测及其影响评估对于提高其系统的性能和可靠性具有重要意义。针对光伏阵列热斑缺陷的检测图像存在细节缺失和易受噪声干扰的问题,为了能够快速地识别缺陷,准确地分析其损坏程度,提出了一套系统性的检测方案。使用手持热成像仪对光伏阵列进行拍摄,将所获取的图像传输到计算机上,并通过灰度化处理将原始红绿蓝色彩模式(RGB)图像转化为灰度图像。针对传统热成像检测技术存在效率低与缺少缺陷衡量标准等缺点,提出了一种灰度转换算法,首先将灰度图像进行K均值聚类(K-means),再进行线性增强,将各个区域灰度值线性增加,接着采用阈值分割算法将图像颜色簇进行灰度转换,最后根据所提出缺陷程度表对图像进行定量分析,数据与图形结合表示出光伏阵列的缺陷情况。实验结果表明该方法在缺陷程度检测方面与传统二值化处理算法相比,检测偏差小于2%,并且能详细地显示轻微缺陷与重度缺陷区域缺陷的细节。同时针对图像的非均匀性噪声干扰有较好的抑制效果,提高检测精度。 展开更多
关键词 热斑效应 热成像 K-MEANS聚类 图像增强 阈值分割
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喷墨打印垂直有机光晶体管及其性能优化
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作者 张国成 张平均 +1 位作者 何兴理 张红 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期104-113,共10页
通过旋涂透明源极并在其上采用喷墨打印的方式制备有源层及源漏电极,从而得到一种垂直结构光晶体管,并获得了较好的光电性能,其响应率为~1500 A/W,探测率可达1.6×10^14 Jones.向有源层中掺杂一定比例的电子捕获材料PCBM,使有源层... 通过旋涂透明源极并在其上采用喷墨打印的方式制备有源层及源漏电极,从而得到一种垂直结构光晶体管,并获得了较好的光电性能,其响应率为~1500 A/W,探测率可达1.6×10^14 Jones.向有源层中掺杂一定比例的电子捕获材料PCBM,使有源层中光生空穴复合减小,光生电流增大,从而进一步提高其光探测性能.研究发现当掺杂5wt%电子捕获材料时,垂直结构光晶体管性能达到最优,响应率为~6000 A/W,探测率可达1.4×10^15 Jones. 展开更多
关键词 喷墨打印 垂直结构晶体管 超短沟道 电子捕获 光晶体管
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批量高速二维码视觉检测识别系统 被引量:5
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作者 李建刚 黄诗浩 +3 位作者 郑启强 杨鑫 黄靖 周伯乐 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2021年第2期276-282,共7页
针对工业实际项目提出一种高效、准确的二维码识别方法,并开发了基于机器视觉的二维码高速、批量识别系统。首先根据被测二维码在目标子空间内的位置,提出利用几何关系定位每个二维码感兴趣区域并批量处理二维码的方法。在此基础上,采... 针对工业实际项目提出一种高效、准确的二维码识别方法,并开发了基于机器视觉的二维码高速、批量识别系统。首先根据被测二维码在目标子空间内的位置,提出利用几何关系定位每个二维码感兴趣区域并批量处理二维码的方法。在此基础上,采用添加高斯噪声的方式模拟生产实际中可能产生的噪声,评估系统抗噪能力。最后分析系统识别率与二维码运动速度的关系并比较实验结果。通过实验验证,在1800张的测试数据集中,二维码移动速度在296.8 mm/s情况下,无噪声图像中每个二维码定位识别平均时间为17.8 ms,有噪声图像为21.3 ms,识别率均为100%,该系统满足实时在线检测需求。 展开更多
关键词 机器视觉 条码识别 线阵相机 图像处理
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基于铁电材料P(VDF-TrFE)调控的多级光突触晶体管 被引量:1
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作者 何立铧 李恩龙 +2 位作者 俞礽坚 陈惠鹏 张国成 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第9期252-259,共8页
利用有机材料PDVT-10中固有的持续光电导效应,结合铁电材料P(VDF-TrFE)提供的极化电场,通过调整铁电材料的极化强度来实现对光突触器件驰豫特性的调控。模拟了突触的短期可塑性、双脉冲易化性等基本功能,并进一步实现了多级、可调光突... 利用有机材料PDVT-10中固有的持续光电导效应,结合铁电材料P(VDF-TrFE)提供的极化电场,通过调整铁电材料的极化强度来实现对光突触器件驰豫特性的调控。模拟了突触的短期可塑性、双脉冲易化性等基本功能,并进一步实现了多级、可调光突触。此外,持续光电导效应的驰豫现象与生物突触中Ca^(2+)的流动特性相类似,可以更好地模拟生物突触行为。研究结果为开发可调光突触提供了一个新的思路。 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 多级突触 溶液法 光输入 P(VDF-TrFE)
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绝缘层等离子处理对有机薄膜晶体管突触性能的影响 被引量:1
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作者 饶智超 汪秀梅 +4 位作者 刘亚倩 李恩龙 俞礽坚 陈惠鹏 张国成 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第8期1093-1100,共8页
在冯·诺依曼架构陷入瓶颈的时代背景下,受生物神经启发而演化的人工突触器件获得了广泛关注,加速了人们迈向人工智能时代的脚步。本文通过在P型有机薄膜晶体管(OTFT)绝缘层SiO2表面进行等离子处理,探究了界面处理引入羟基对OTFT突... 在冯·诺依曼架构陷入瓶颈的时代背景下,受生物神经启发而演化的人工突触器件获得了广泛关注,加速了人们迈向人工智能时代的脚步。本文通过在P型有机薄膜晶体管(OTFT)绝缘层SiO2表面进行等离子处理,探究了界面处理引入羟基对OTFT突触性能的影响。具体对绝缘层不同等离子处理时长的OTFT进行了突触行为的模拟和对比,包括兴奋性后突触后电流(EPSC)、双脉冲易化(PPF)、长程可塑性(LTP)等。突触特性的产生是由于等离子处理给半导体层/绝缘层界面引入的羟基对电子进行了捕获。而随着等离子处理时间的增加,绝缘层表面更多的羟基使得OTFT表现出更强的记忆和保持能力、更高的线性度,更有利于其在类脑学习、神经计算等方面的应用。 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 人工突触 表面修饰 等离子处理
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喷墨打印金属氧化物异质结晶体管 被引量:1
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作者 杨文宇 张国成 +1 位作者 崔宇 陈惠鹏 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期497-503,共7页
通过用喷墨打印制备的ZnO/IGZO异质结代替单层半导体沟道克服了氧化物缺陷导致的电子传输限制。ZnO/IGZO异质结晶体管表现出带状电子传输,迁移率比单层IGZO或ZnOTFT分别增大了约9倍和19倍,达到6.42cm^2/(V·s)。开关比分别增大了2个... 通过用喷墨打印制备的ZnO/IGZO异质结代替单层半导体沟道克服了氧化物缺陷导致的电子传输限制。ZnO/IGZO异质结晶体管表现出带状电子传输,迁移率比单层IGZO或ZnOTFT分别增大了约9倍和19倍,达到6.42cm^2/(V·s)。开关比分别增大了2个和4个数量级,达到1.8×10^8。性能的显著改善源自于IGZO和ZnO异质界面间由于导带的大偏移量而形成的二维电子气。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体 喷墨打印 异质结 二维电子气
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基于有机薄膜晶体管的光写入多级存储器 被引量:1
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作者 何伟欣 何立铧 +1 位作者 陈惠鹏 张国成 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期95-102,共8页
由于依靠不断缩小存储单元尺寸来提升单位面积存储能力的传统方法将会面临着器件尺寸的物理极限等瓶颈,人们逐渐将目光投向了能够在单一器件上实现高密度存储的多级存储器件。本文利用有机薄膜晶体管中存在的持续光电导率(PPC)效应制备... 由于依靠不断缩小存储单元尺寸来提升单位面积存储能力的传统方法将会面临着器件尺寸的物理极限等瓶颈,人们逐渐将目光投向了能够在单一器件上实现高密度存储的多级存储器件。本文利用有机薄膜晶体管中存在的持续光电导率(PPC)效应制备了一个光写入操作的多级存储器件,有效地避免了电写入操作对器件的接触破坏性和较大功耗问题。研究了在不同功率(60,100,150μW/cm 2)和不同持续时间(50~1000 ms)700 nm光写入脉冲作用下的器件存储状态,器件在光功率为60μW/cm 2、持续时间为100 ms的光脉冲下展现出了低至0.189 nJ的极低工作功耗。通过对器件施加16个连续光写入脉冲证实器件具有16个有效的存储状态,实现了存储容量为4 bits的多级光写入存储功能。 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 多级存储 光写入存储
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基于量子点浮栅的有机透明存储器
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作者 秦世贤 马超 +2 位作者 邢俊杰 李博文 张国成 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2023年第7期919-925,共7页
为了适应新一代电子技术的日益发展,开发各种新型存储器显得日益重要。与传统存储器相比,新一代的存储器不但需要更高性能的记忆特性,还需要可以满足灵活性、透明性或神经形态功能等特定应用的需求。本文以有机半导体材料C8-BTBT作为半... 为了适应新一代电子技术的日益发展,开发各种新型存储器显得日益重要。与传统存储器相比,新一代的存储器不但需要更高性能的记忆特性,还需要可以满足灵活性、透明性或神经形态功能等特定应用的需求。本文以有机半导体材料C8-BTBT作为半导体层,PVP量子点共混作为浮栅提出了一种有机透明存储器(透明度≥83%)。器件具有超过40 V的存储窗口,编写/擦除电流比大于103,在104 s后仍能稳定分辨开关态。本文工作为透明柔性器件提供了一种新的解决方案,并预示了它们在下一代透明有机电子领域的潜力。 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 存储器 透明器件 量子点 浮栅
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