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1.74μm大应变InGaAs/InGaAsP半导体锁模激光器
1
作者
段阳
林中晞
苏辉
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2024年第6期90-97,共8页
针对光频梳、医学光声成像及痕量气体探测等应用需要,研制了一种InP基碰撞锁模半导体激光器,可在1.74μm波段实现重复频率为19.3GHz的高效锁模,其射频(RF)谱半高全宽(FWHM)约14kHz。在可饱和吸收区未加偏压时,激光器的阈值电流为83mA,...
针对光频梳、医学光声成像及痕量气体探测等应用需要,研制了一种InP基碰撞锁模半导体激光器,可在1.74μm波段实现重复频率为19.3GHz的高效锁模,其射频(RF)谱半高全宽(FWHM)约14kHz。在可饱和吸收区未加偏压时,激光器的阈值电流为83mA,最大出光功率可达到25.83mW。固定吸收区偏置电压在-1.6V,增益区驱动电流高于130mA时,锁模激光器开始输出微波射频信号,并且RF谱的FWHM随着电流增加可下降至十几kHz。固定驱动电流为520mA,在吸收区偏置电压从-1.4V降至-2V过程中,激光发射光谱逐渐展宽,在-2V偏压下,光谱的FWHM为9.88nm,包含40多个间隔为0.2nm的纵模。对比分析了不同驱动电流和偏置电压下的射频频谱和发射光谱的变化趋势,证明了该锁模器件具有高效、稳定的锁模机制。
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关键词
半导体激光器
碰撞锁模
InP基材料
InGaAs/InGaAsP多量子阱
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职称材料
大功率偏振不敏感O波段SOA芯片的制备
2
作者
杜圆圆
林中晞
+1 位作者
吴林福生
苏辉
《红外与激光工程》
2025年第10期139-146,共8页
为应对O波段半导体光放大器(SOA)实现偏振不敏感特性与高增益性能协同优化的挑战,开发了一种基于应变补偿量子阱与渐变脊宽波导结构的新型芯片。张应变量子阱虽可通过价带重构补偿模式增益差异,但会削弱TE主导增益路径,导致整体性能受...
为应对O波段半导体光放大器(SOA)实现偏振不敏感特性与高增益性能协同优化的挑战,开发了一种基于应变补偿量子阱与渐变脊宽波导结构的新型芯片。张应变量子阱虽可通过价带重构补偿模式增益差异,但会削弱TE主导增益路径,导致整体性能受限。为此,文中器件采用五阱四垒InGaAsP/InGaAsP应变补偿量子阱结构,将1310 nm处偏振相关增益(PDG)抑制至1 dB以下;在保证输入/输出光斑椭圆度≥80%的情况下,设计锥形渐变脊宽波导延缓增益饱和效应,使输出功率达22.86 dBm。文中研究通过能带-波导协同设计攻克了SOA偏振敏感性与功率输出的兼容性难题,显著提升了链路光功率余量,延长了传输距离,满足了弱光改造、基站拉远等应用场景的需要。
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关键词
O波段半导体光放大器
偏振不敏感
大功率
张应变量子阱
渐变式宽波导
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职称材料
题名
1.74μm大应变InGaAs/InGaAsP半导体锁模激光器
1
作者
段阳
林中晞
苏辉
机构
中国科学院
福建
物质结构研究所
光电
材料化学与物理重点实验室
中国科学院大学物理科学学院
中国
福建
光电
信息科学与技术创新实验室(闽都创新实验室)
福建中科光芯光电科技有限公司
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2024年第6期90-97,共8页
基金
国家重点研发计划项目(2023YFB2804803)
中国科学院海西研究院自主部署项目(CXZX-2022-GH09)
闽都创新实验室自主部署项目(2021ZR114)。
文摘
针对光频梳、医学光声成像及痕量气体探测等应用需要,研制了一种InP基碰撞锁模半导体激光器,可在1.74μm波段实现重复频率为19.3GHz的高效锁模,其射频(RF)谱半高全宽(FWHM)约14kHz。在可饱和吸收区未加偏压时,激光器的阈值电流为83mA,最大出光功率可达到25.83mW。固定吸收区偏置电压在-1.6V,增益区驱动电流高于130mA时,锁模激光器开始输出微波射频信号,并且RF谱的FWHM随着电流增加可下降至十几kHz。固定驱动电流为520mA,在吸收区偏置电压从-1.4V降至-2V过程中,激光发射光谱逐渐展宽,在-2V偏压下,光谱的FWHM为9.88nm,包含40多个间隔为0.2nm的纵模。对比分析了不同驱动电流和偏置电压下的射频频谱和发射光谱的变化趋势,证明了该锁模器件具有高效、稳定的锁模机制。
关键词
半导体激光器
碰撞锁模
InP基材料
InGaAs/InGaAsP多量子阱
Keywords
semiconductor laser
colliding pulse mode-locking
InP based material system
InGaAs
InGaAsP multi-quantum wells
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
大功率偏振不敏感O波段SOA芯片的制备
2
作者
杜圆圆
林中晞
吴林福生
苏辉
机构
福建中科光芯光电科技有限公司
出处
《红外与激光工程》
2025年第10期139-146,共8页
基金
国家重点研发计划项目(2023YFB2804803)。
文摘
为应对O波段半导体光放大器(SOA)实现偏振不敏感特性与高增益性能协同优化的挑战,开发了一种基于应变补偿量子阱与渐变脊宽波导结构的新型芯片。张应变量子阱虽可通过价带重构补偿模式增益差异,但会削弱TE主导增益路径,导致整体性能受限。为此,文中器件采用五阱四垒InGaAsP/InGaAsP应变补偿量子阱结构,将1310 nm处偏振相关增益(PDG)抑制至1 dB以下;在保证输入/输出光斑椭圆度≥80%的情况下,设计锥形渐变脊宽波导延缓增益饱和效应,使输出功率达22.86 dBm。文中研究通过能带-波导协同设计攻克了SOA偏振敏感性与功率输出的兼容性难题,显著提升了链路光功率余量,延长了传输距离,满足了弱光改造、基站拉远等应用场景的需要。
关键词
O波段半导体光放大器
偏振不敏感
大功率
张应变量子阱
渐变式宽波导
Keywords
O-band semiconductor optical amplifier
polarization-independent
high-power
tensile-strained quantum well
tapered ridge waveguide
分类号
TN365 [电子电信]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
1.74μm大应变InGaAs/InGaAsP半导体锁模激光器
段阳
林中晞
苏辉
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2024
0
在线阅读
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职称材料
2
大功率偏振不敏感O波段SOA芯片的制备
杜圆圆
林中晞
吴林福生
苏辉
《红外与激光工程》
2025
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职称材料
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