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四针状氧化锌/碳纳米管复合阴极的制备及其场发射性能研究
被引量:
2
1
作者
林金堂
《光电子技术》
CAS
北大核心
2013年第4期255-259,共5页
采用丝网印刷技术制备四针状氧化锌(tetrapod-liked zinc oxide nanoneedles,TZnO)场发射阴极,通过向T-ZnO阴极表面电泳沉积碳纳米管(carbon nanotube,CNT)薄膜制备了T-ZnO/CNT复合阴极。扫描电子显微镜观察表明:与T-ZnO阴极相比,T-ZnO/...
采用丝网印刷技术制备四针状氧化锌(tetrapod-liked zinc oxide nanoneedles,TZnO)场发射阴极,通过向T-ZnO阴极表面电泳沉积碳纳米管(carbon nanotube,CNT)薄膜制备了T-ZnO/CNT复合阴极。扫描电子显微镜观察表明:与T-ZnO阴极相比,T-ZnO/CNT复合阴极与衬底电极之间具有较大的有效接触面积。采用二极场发射器件结构研究T-ZnO和T-ZnO/CNT的场发射特性,实验表明:相对于T-ZnO阴极,T-ZnO/CNT复合阴极发射电流密度大、开启场强与阈值场强低、发射点密度高,且具有良好的工作稳定性。
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关键词
四针状氧化锌
碳纳米管
复合阴极
场致电子发射
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职称材料
大屏幕场致发射显示器薄膜型精细金属电极的研制
2
作者
张永爱
许华安
郭太良
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期528-532,共5页
在洁净的玻璃基底溅射Cr-Cu-Cr复合薄膜,利用光刻和湿法刻蚀技术制备了大屏幕场致发射显示器薄膜型精细金属电极。讨论了不同腐蚀液对金属Cr刻蚀的影响,借助视频显微镜和台阶仪测试刻蚀后的电极形貌,结果表明,用质量比为6∶3∶100的KMnO...
在洁净的玻璃基底溅射Cr-Cu-Cr复合薄膜,利用光刻和湿法刻蚀技术制备了大屏幕场致发射显示器薄膜型精细金属电极。讨论了不同腐蚀液对金属Cr刻蚀的影响,借助视频显微镜和台阶仪测试刻蚀后的电极形貌,结果表明,用质量比为6∶3∶100的KMnO4、NaOH和H2O的混合液腐蚀Cr膜的刻蚀速率平稳,刻蚀后的Cr电极边缘整齐,内向侵蚀少。此外,分析了FeCl3刻蚀液对Cu膜的刻蚀机理,讨论了刻蚀液在静置和循环条件下对制备FED薄膜型精细电极的影响,借助视频显微镜测试刻蚀后的电极形貌,结果表明,FeCl3刻蚀液在循环条件下刻蚀Cu膜速度均匀,刻蚀后电极边缘整齐。
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关键词
FED
大屏幕
精细电极
湿法刻蚀
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职称材料
表面传导电子发射显示器微细结构光刻工艺的优化
3
作者
张永爱
许华安
郭太良
《光电子技术》
CAS
北大核心
2009年第2期125-129,共5页
研究了旋涂和光刻工艺对制备表面传导发射显示器(SED)微细结构的影响,分析正性光刻胶和旋涂工艺的作用机理,探讨光刻胶的平面旋涂工艺、曝光剂量、前烘对光刻图形的影响.借助旋涂技术将光刻胶转移在附有金属薄膜的玻璃基片上,利用紫外...
研究了旋涂和光刻工艺对制备表面传导发射显示器(SED)微细结构的影响,分析正性光刻胶和旋涂工艺的作用机理,探讨光刻胶的平面旋涂工艺、曝光剂量、前烘对光刻图形的影响.借助旋涂技术将光刻胶转移在附有金属薄膜的玻璃基片上,利用紫外光对其进行曝光,通过视频显微镜、台阶仪对实验结果分析,优化实验工艺参数.结果表明,光刻胶留膜率随旋转速度增大而减少,随光刻胶的粘度增大而增大,光刻图形宽度随曝光剂量的增大而变窄,曝光剂量40~50 mJ/cm2,前烘110 ℃保温25 min条件下光刻图形边缘平整,为研制SED微细结构奠定了基础.
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关键词
表面传导电子发射显示器
光刻
旋涂
曝光剂量
前烘
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职称材料
刻蚀型介质后栅FED器件的研究
4
作者
胡利勤
《光电子技术》
CAS
北大核心
2010年第4期266-269,共4页
针对后栅型场致发射显示器(FED)器件介质层制作困难的问题,提出采用刻蚀型介质制作后栅型FED器件。该器件采用普通银浆制作栅极电极,以刻蚀型介质制作介质层,采用感光银浆制作阴极电极,并作为介质刻蚀的掩膜层,CNT为阴极发射材料。器件...
针对后栅型场致发射显示器(FED)器件介质层制作困难的问题,提出采用刻蚀型介质制作后栅型FED器件。该器件采用普通银浆制作栅极电极,以刻蚀型介质制作介质层,采用感光银浆制作阴极电极,并作为介质刻蚀的掩膜层,CNT为阴极发射材料。器件耐压测试结果表明该介质层耐压性能良好,场发射测试结果表明该器件场发射性能优良。
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关键词
刻蚀型介质
场致发射
后栅型
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职称材料
基于探针法的FED电极缺陷检测系统设计
5
作者
张永爱
张杰
+2 位作者
许华安
姚亮
郭太良
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期215-219,共5页
针对FED显示屏电极的特征,提出一种FED电极缺陷检测系统,用于检测FED电极的短路和断路等缺陷。系统分为硬件和软件两部分,硬件部分由CCD摄像头初始定位和对准模块、单片机数据测试和传输模块、计算机数据接收和处理模块组成;软件部分包...
针对FED显示屏电极的特征,提出一种FED电极缺陷检测系统,用于检测FED电极的短路和断路等缺陷。系统分为硬件和软件两部分,硬件部分由CCD摄像头初始定位和对准模块、单片机数据测试和传输模块、计算机数据接收和处理模块组成;软件部分包括单片机预处理部分的底层程序设计和计算机部分面向对象的高级程序设计。经过硬件设计安装和软件编程调试,该FED电极缺陷检测系统已经在实验中得到应用。
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关键词
FED电极
CCD
单片机
VISUAL
C++
缺陷检测
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职称材料
题名
四针状氧化锌/碳纳米管复合阴极的制备及其场发射性能研究
被引量:
2
1
作者
林金堂
机构
福州大学场致发射显示技术教育部工程研究中心
出处
《光电子技术》
CAS
北大核心
2013年第4期255-259,共5页
基金
国家高技术研究发展(863)计划资助项目(2013AA030601)
国家自然科学基金资助项目(61106053/F040305)
教育部高等学校博士点基金(20103514110007)
文摘
采用丝网印刷技术制备四针状氧化锌(tetrapod-liked zinc oxide nanoneedles,TZnO)场发射阴极,通过向T-ZnO阴极表面电泳沉积碳纳米管(carbon nanotube,CNT)薄膜制备了T-ZnO/CNT复合阴极。扫描电子显微镜观察表明:与T-ZnO阴极相比,T-ZnO/CNT复合阴极与衬底电极之间具有较大的有效接触面积。采用二极场发射器件结构研究T-ZnO和T-ZnO/CNT的场发射特性,实验表明:相对于T-ZnO阴极,T-ZnO/CNT复合阴极发射电流密度大、开启场强与阈值场强低、发射点密度高,且具有良好的工作稳定性。
关键词
四针状氧化锌
碳纳米管
复合阴极
场致电子发射
Keywords
tetrapod-liked zinc oxide nanoneedles
carbon nanotube
composite emitters
e-lectron field emission
分类号
O462.4 [理学—电子物理学]
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职称材料
题名
大屏幕场致发射显示器薄膜型精细金属电极的研制
2
作者
张永爱
许华安
郭太良
机构
福州大学场致发射显示技术教育部工程研究中心
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期528-532,共5页
基金
国家"863"计划平板显示重大专项(No.2008AA03A313)
福建省科技厅资助省属高校项目(No.2008F5001)
福州大学科技发展基金(No.2008-XY-11)
文摘
在洁净的玻璃基底溅射Cr-Cu-Cr复合薄膜,利用光刻和湿法刻蚀技术制备了大屏幕场致发射显示器薄膜型精细金属电极。讨论了不同腐蚀液对金属Cr刻蚀的影响,借助视频显微镜和台阶仪测试刻蚀后的电极形貌,结果表明,用质量比为6∶3∶100的KMnO4、NaOH和H2O的混合液腐蚀Cr膜的刻蚀速率平稳,刻蚀后的Cr电极边缘整齐,内向侵蚀少。此外,分析了FeCl3刻蚀液对Cu膜的刻蚀机理,讨论了刻蚀液在静置和循环条件下对制备FED薄膜型精细电极的影响,借助视频显微镜测试刻蚀后的电极形貌,结果表明,FeCl3刻蚀液在循环条件下刻蚀Cu膜速度均匀,刻蚀后电极边缘整齐。
关键词
FED
大屏幕
精细电极
湿法刻蚀
Keywords
FED
large screen
fine electrode
wet chemical etching
分类号
TN873.95 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
表面传导电子发射显示器微细结构光刻工艺的优化
3
作者
张永爱
许华安
郭太良
机构
福州大学
出处
《光电子技术》
CAS
北大核心
2009年第2期125-129,共5页
基金
国家“863”计划平板显示重大专项(2008AA03A313)
福建省科技厅资助省属高校项目(2008F5001)
福州大学科技发展基金(2008-XY-11)
文摘
研究了旋涂和光刻工艺对制备表面传导发射显示器(SED)微细结构的影响,分析正性光刻胶和旋涂工艺的作用机理,探讨光刻胶的平面旋涂工艺、曝光剂量、前烘对光刻图形的影响.借助旋涂技术将光刻胶转移在附有金属薄膜的玻璃基片上,利用紫外光对其进行曝光,通过视频显微镜、台阶仪对实验结果分析,优化实验工艺参数.结果表明,光刻胶留膜率随旋转速度增大而减少,随光刻胶的粘度增大而增大,光刻图形宽度随曝光剂量的增大而变窄,曝光剂量40~50 mJ/cm2,前烘110 ℃保温25 min条件下光刻图形边缘平整,为研制SED微细结构奠定了基础.
关键词
表面传导电子发射显示器
光刻
旋涂
曝光剂量
前烘
Keywords
SED
lithography
spin coating
exposure dose
prebak
分类号
TN27 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
刻蚀型介质后栅FED器件的研究
4
作者
胡利勤
机构
福州大学场致发射显示技术教育部工程研究中心
出处
《光电子技术》
CAS
北大核心
2010年第4期266-269,共4页
基金
国家863计划重大专项(2008AA03A313)
文摘
针对后栅型场致发射显示器(FED)器件介质层制作困难的问题,提出采用刻蚀型介质制作后栅型FED器件。该器件采用普通银浆制作栅极电极,以刻蚀型介质制作介质层,采用感光银浆制作阴极电极,并作为介质刻蚀的掩膜层,CNT为阴极发射材料。器件耐压测试结果表明该介质层耐压性能良好,场发射测试结果表明该器件场发射性能优良。
关键词
刻蚀型介质
场致发射
后栅型
Keywords
etching dielectric layer
field emission
under-gate
分类号
TN104 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于探针法的FED电极缺陷检测系统设计
5
作者
张永爱
张杰
许华安
姚亮
郭太良
机构
福州大学场致发射显示技术教育部工程研究中心
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期215-219,共5页
基金
国家"863"计划平板显示重大专项(No.2008AA03A313)
福建省科技厅资助省属高校项目(No.2008F5001)
福州大学科技发展基金(No.2008-XY-11)
文摘
针对FED显示屏电极的特征,提出一种FED电极缺陷检测系统,用于检测FED电极的短路和断路等缺陷。系统分为硬件和软件两部分,硬件部分由CCD摄像头初始定位和对准模块、单片机数据测试和传输模块、计算机数据接收和处理模块组成;软件部分包括单片机预处理部分的底层程序设计和计算机部分面向对象的高级程序设计。经过硬件设计安装和软件编程调试,该FED电极缺陷检测系统已经在实验中得到应用。
关键词
FED电极
CCD
单片机
VISUAL
C++
缺陷检测
Keywords
FED electrodes
CCD
single-chip microcomputer
Visual C++
defect inspection
分类号
TP391 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
四针状氧化锌/碳纳米管复合阴极的制备及其场发射性能研究
林金堂
《光电子技术》
CAS
北大核心
2013
2
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职称材料
2
大屏幕场致发射显示器薄膜型精细金属电极的研制
张永爱
许华安
郭太良
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
表面传导电子发射显示器微细结构光刻工艺的优化
张永爱
许华安
郭太良
《光电子技术》
CAS
北大核心
2009
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
刻蚀型介质后栅FED器件的研究
胡利勤
《光电子技术》
CAS
北大核心
2010
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
5
基于探针法的FED电极缺陷检测系统设计
张永爱
张杰
许华安
姚亮
郭太良
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
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职称材料
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