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ITO导电玻璃表面直接电沉积Au的机理
被引量：
9
1
作者
汤儆
田晓春
+2 位作者
周富庆
刘跃强
林建航
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期641-646,共6页
用循环伏安和电位阶跃法研究Au在氧化铟锡(ITO)透明导电膜玻璃表面的电沉积过程的初期阶段.发现在ITO表面Au的电沉积经历成核过程以及受[AuCl4]-扩散控制的晶核生长过程.通过改变扫描速率分析循环伏安曲线的变化,当扫描速率较快时,发现A...
用循环伏安和电位阶跃法研究Au在氧化铟锡(ITO)透明导电膜玻璃表面的电沉积过程的初期阶段.发现在ITO表面Au的电沉积经历成核过程以及受[AuCl4]-扩散控制的晶核生长过程.通过改变扫描速率分析循环伏安曲线的变化,当扫描速率较快时,发现Au在ITO表面的沉积过程经历[AuCl4]-→[AuCl2]-→Au两步进行;当扫描速率较慢时,受歧化反应作用影响而只表现为一步沉积[AuCl4]-→Au.通过电位阶跃实验,验证了Au的两步沉积过程,并求得[AuCl4]-的扩散系数为1.3×10-5cm2·s-1.将成核曲线与理论曲线对照,得出Au在ITO表面的沉积符合瞬时成核理论.通过场发射扫描电镜(FE-SEM)对Au核形貌进行分析,根据扫描电镜图可以得到阶跃时间和阶跃电位对电沉积Au的形貌的影响.
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关键词
氧化铟锡导电玻璃
金纳米粒子
电沉积
成核机理
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职称材料
ITO上AuPd合金和Au阵列图案的制备及电催化活性的SECM表征
被引量：
1
2
作者
苏通裕
肖孝建
+3 位作者
叶梦薇
田晓春
林建航
汤儆
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期325-330,共6页
利用电化学湿法印章技术在氧化铟锡(ITO)导电玻璃上制备AuPd合金和Au的双组分阵列图案.采用具有微浮雕图案的琼脂糖印章存储足够多的溶液,并通过控制电沉积的时间来控制图案厚度.应用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM),X射线能谱分析(EDX)...
利用电化学湿法印章技术在氧化铟锡(ITO)导电玻璃上制备AuPd合金和Au的双组分阵列图案.采用具有微浮雕图案的琼脂糖印章存储足够多的溶液,并通过控制电沉积的时间来控制图案厚度.应用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM),X射线能谱分析(EDX)和原子力显微镜(AFM)分别对ITO表面上的AuPd合金和Au的形貌和组分进行表征,并通过循环伏安(CV)技术和扫描电化学显微镜(SECM)研究比较了Au和AuPd合金的催化活性.利用扫描电化学显微镜(SECM)的针尖产生-基底收集(TG-SC)模式和氧化还原竞争(RC)模式,发现Au电极对二茂铁甲醇氧化物(FcMeOH+)电催化还原能力高于AuPd合金电极,而在AuPd合金上催化还原H2O2的能力显著高于Au.
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关键词
琼脂糖
AuPd合金阵列
电化学湿印章方法
扫描电化学显微镜
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职称材料
题名
ITO导电玻璃表面直接电沉积Au的机理
被引量：
9
1
作者
汤儆
田晓春
周富庆
刘跃强
林建航
机构
福州大学
化学化
工学院
福州大学
测试中心
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期641-646,共6页
基金
国家自然科学基金(20873112)
国家光电子晶体材料工程技术研究中心开放课题(2005DC105003)资助项目~~
文摘
用循环伏安和电位阶跃法研究Au在氧化铟锡(ITO)透明导电膜玻璃表面的电沉积过程的初期阶段.发现在ITO表面Au的电沉积经历成核过程以及受[AuCl4]-扩散控制的晶核生长过程.通过改变扫描速率分析循环伏安曲线的变化,当扫描速率较快时,发现Au在ITO表面的沉积过程经历[AuCl4]-→[AuCl2]-→Au两步进行;当扫描速率较慢时,受歧化反应作用影响而只表现为一步沉积[AuCl4]-→Au.通过电位阶跃实验,验证了Au的两步沉积过程,并求得[AuCl4]-的扩散系数为1.3×10-5cm2·s-1.将成核曲线与理论曲线对照,得出Au在ITO表面的沉积符合瞬时成核理论.通过场发射扫描电镜(FE-SEM)对Au核形貌进行分析,根据扫描电镜图可以得到阶跃时间和阶跃电位对电沉积Au的形貌的影响.
关键词
氧化铟锡导电玻璃
金纳米粒子
电沉积
成核机理
Keywords
Indium Tin Oxide
Au nano particle
Electrodeposition
Nucleation mechanism
分类号
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
ITO上AuPd合金和Au阵列图案的制备及电催化活性的SECM表征
被引量：
1
2
作者
苏通裕
肖孝建
叶梦薇
田晓春
林建航
汤儆
机构
福州大学化学化工学院 食品安全分析与检测教育部重点实验室
福州大学
测试中心
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期325-330,共6页
基金
国家自然科学基金(21173048
21073038)资助项目~~
文摘
利用电化学湿法印章技术在氧化铟锡(ITO)导电玻璃上制备AuPd合金和Au的双组分阵列图案.采用具有微浮雕图案的琼脂糖印章存储足够多的溶液,并通过控制电沉积的时间来控制图案厚度.应用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM),X射线能谱分析(EDX)和原子力显微镜(AFM)分别对ITO表面上的AuPd合金和Au的形貌和组分进行表征,并通过循环伏安(CV)技术和扫描电化学显微镜(SECM)研究比较了Au和AuPd合金的催化活性.利用扫描电化学显微镜(SECM)的针尖产生-基底收集(TG-SC)模式和氧化还原竞争(RC)模式,发现Au电极对二茂铁甲醇氧化物(FcMeOH+)电催化还原能力高于AuPd合金电极,而在AuPd合金上催化还原H2O2的能力显著高于Au.
关键词
琼脂糖
AuPd合金阵列
电化学湿印章方法
扫描电化学显微镜
Keywords
Agarose
AuPd alloy array
Electrochemical wet stamping method
Scanning electrochemical microscopy
分类号
O646.54 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ITO导电玻璃表面直接电沉积Au的机理
汤儆
田晓春
周富庆
刘跃强
林建航
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2011
9
在线阅读
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职称材料
2
ITO上AuPd合金和Au阵列图案的制备及电催化活性的SECM表征
苏通裕
肖孝建
叶梦薇
田晓春
林建航
汤儆
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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