脉冲对InGaZnO薄膜晶体管性能的影响

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作者 丘鹤元 谢鑫 +7 位作者 李宗祥 陈周煜 王宝强 王文超 刘正 刘耀 刘娜妮 王洋 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期466-471,共6页

超大尺寸IGZO(InGaZnO)产品在高温高湿(50℃/80%)信赖性评价中易发生异常显示不良(Abnormal Display,AD)。其不良原因主要是集成栅极驱动电路(Gate Driver On Array,GOA)的关键器件M2转移特性曲线(IDS-VGS)在评价中发生了严重正移。本... 超大尺寸IGZO(InGaZnO)产品在高温高湿(50℃/80%)信赖性评价中易发生异常显示不良(Abnormal Display,AD)。其不良原因主要是集成栅极驱动电路(Gate Driver On Array,GOA)的关键器件M2转移特性曲线(IDS-VGS)在评价中发生了严重正移。本文通过脉冲实验,模拟GOA关键器件M2的实际工作环境,重现了转移特性曲线严重正移的不良现象。通过设置不同的脉冲实验,揭示了造成不良的主要影响因素:M2器件关闭时,漏极与源极之间的压差VDS过大,使IGZO膜层内的氧空位V+O在电场作用下同时向IGZO与GI(Gate Insulator)的边界及源极端迁移,由于氧空位V+O对电子的捕获作用,最终导致转移特性曲线发生正移,并发现迁移的氧空位V+O经过加热后可以复原。此外,在不改变IGZO成膜条件下,通过减小M2器件关闭时的VDS压差,导入超大尺寸IGZO产品,高温高湿信赖性评价2000 h未发生AD不良。 展开更多

关键词 InGaZnO薄膜晶体管 集成栅极驱动电路 异常显示 阈值电压漂移

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基于模糊证据理论的储刀选刀系统故障率评估 被引量：3

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作者 陈炳锟 张英芝 +1 位作者 申桂香 秦猛猛 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期81-88,共8页

储刀选刀系统是加工中心的薄弱环节,准确评估其故障率对提升整机可靠性意义重大.然而,由于系统故障数据较少、复杂程度高等原因,评估其部件故障率存在不确定性.基于此,文中综合考虑引起故障的多源因素,采用证据理论有效处理不确定性信息... 储刀选刀系统是加工中心的薄弱环节,准确评估其故障率对提升整机可靠性意义重大.然而,由于系统故障数据较少、复杂程度高等原因,评估其部件故障率存在不确定性.基于此,文中综合考虑引起故障的多源因素,采用证据理论有效处理不确定性信息,通过投影加权法进行多源信息融合,同时采用可靠性模糊语言集理论进行故障率影响因素的模糊化处理,进而确定以区间数表达的部件故障率评估结果.最后以国产某加工中心储刀选刀系统为例进行了实例分析,验证了该方法的有效性和可行性. 展开更多

关键词 储刀选刀系统 故障率区间 不确定性 证据理论

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中国北极航线港口层次划分 被引量：2

3

作者 李振福 丁超君 曾茜 《中国航海》 CSCD 北大核心 2016年第3期128-134,共7页

为研究北极航线开通后我国沿海港口的受益情况,提出中国北极航线港口的概念,并确定上海港等27个港口为中国北极航线港口。在此基础上,分析影响中国北极航线港口划分的因素,并利用聚类分析对中国北极航线港口进行层次划分。研究成果能使... 为研究北极航线开通后我国沿海港口的受益情况,提出中国北极航线港口的概念,并确定上海港等27个港口为中国北极航线港口。在此基础上,分析影响中国北极航线港口划分的因素,并利用聚类分析对中国北极航线港口进行层次划分。研究成果能使中国北极航线港口明确发展方向,为我国在北极航线开通条件下充分利用沿海港口资源提供科学依据。 展开更多

关键词 交通运输经济学 北极航线 港口 层次划分 发展策略

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中国北极航线港口界定 被引量：4

4

作者 李振福 曾茜 刘超 《地域研究与开发》 CSSCI 北大核心 2016年第6期7-11,53,共6页

随着北冰洋夏季冰层的逐渐消融,北极航线有望全线通航。北极航线的通航将促进东亚与欧洲、北美地区的贸易往来,从而降低传统航线的地位及作用,为我国战略资源采购提供新的通道;同时也将在一定程度上改变北极航线沿线及其延长线上港口的... 随着北冰洋夏季冰层的逐渐消融,北极航线有望全线通航。北极航线的通航将促进东亚与欧洲、北美地区的贸易往来,从而降低传统航线的地位及作用,为我国战略资源采购提供新的通道;同时也将在一定程度上改变北极航线沿线及其延长线上港口的地位及布局,但不同港口受此影响不尽相同,只有部分港口可能因为北极航线的利用实现地位提升。在假定北极航线全线开通的基础上提出北极航线港口概念,以港口所在城市的进出口贸易总额为基本界定指标,以航程缩短程度、航线密度、港口外贸箱吞吐量和港口油气吞吐能力作为竞争性界定指标进行综合评价,筛选出符合标准的中国北极航线港口,为中国利用北极航线和未来沿海港口布局提供借鉴及参考。 展开更多

关键词 北极航线 沿海港口 基本界定指标 竞争性界定指标 中国

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TFT-LCD公共电压耦合畸变的影响因素及与线残像关系的研究 被引量：3

5

作者 林鸿涛 陈曦 +3 位作者 庄子华 赖意强 袁剑峰 邵喜斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期277-284,共8页

为了解决TFT-LCD的线残像不良,对信号线与公共电极之间的电压耦合的大小和影响因素进行了研究。利用金属熔接技术,测量了屏内公共电极电压在信号线电压作用下发生的耦合畸变的大小,并将其与线残像的严重程度进行了对比。同时通过对不同... 为了解决TFT-LCD的线残像不良,对信号线与公共电极之间的电压耦合的大小和影响因素进行了研究。利用金属熔接技术,测量了屏内公共电极电压在信号线电压作用下发生的耦合畸变的大小,并将其与线残像的严重程度进行了对比。同时通过对不同的影响因素,即版图设计、信号线电压及反转方式、TFT工艺流程、TFT膜质调整分别进行了研究和测试。结果显示信号线和公共电极及绝缘层构成了MIS结构的电容,电容容值的变化导致的公共电压耦合程度与线残像的严重程度呈现明显的对应关系。通过改变非晶硅半导体层的介电常数或者尺寸设计,可以减小信号线与公共电极间的寄生电容(包括信号线金属与公共电极线金属的交叠电容和信号线与像素公共电极间的侧向电容),降低公共电极电压的耦合程度,改善线残像不良。其中提高信号电压转换频率和用紫外光照射半导体层的改善效果最为明显,耦合电压分别下降了55%和62%,线残像的消失灰阶从L172或更高转变为低于L127。研究成果对于大尺寸、高分辨率、高亮度、低功耗的TFT-LCD产品的设计和性能改善,有着重要的指导和参考意义。 展开更多

关键词 公共电极电压畸变 交叠和侧向电容 介电常数 线残像

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激光化学气相沉积法在TFT-LCD电路缺陷维修中的应用 被引量：5

6

作者 张伟 陈小英 +6 位作者 马永生 付婉霞 王磊 周贺 徐智俊 王博 阮毅松 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2019年第8期755-763,共9页

为了维修TFT-LCD电路缺陷,利用激光化学气相沉积法(LCVD)沉积钨薄膜,讨论成膜参数对基底损伤、钨薄膜电阻率的影响。在空气氛围下,波长为351nm的脉冲激光诱导W(CO)6裂解成膜,通过聚焦离子束-扫描电子显微镜(FIB-SEM)观察薄膜横截面研究... 为了维修TFT-LCD电路缺陷,利用激光化学气相沉积法(LCVD)沉积钨薄膜,讨论成膜参数对基底损伤、钨薄膜电阻率的影响。在空气氛围下,波长为351nm的脉冲激光诱导W(CO)6裂解成膜,通过聚焦离子束-扫描电子显微镜(FIB-SEM)观察薄膜横截面研究成膜参数对基底损伤的影响,再用高精度的电参数测试仪(EPM)测试不同参数下钨薄膜电阻。控制变量法表明,激光功率或激光束光斑尺寸越大,薄膜基底损伤越大,但电阻率越小,且不沉积薄膜时高功率激光辐射也不会造成基底损伤;激光辐射速度越大,基底损伤越小,但电阻率越大。通过平衡工艺参数,得到了电阻率为0.96Ω/μm、对基底无损伤的钨薄膜,成分分析表明此时W(CO)6已经完全裂解。 展开更多

关键词 TFT-LCD 激光化学气相沉积法 缺陷维修 W(CO)6 电阻率

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基于ANSYS液晶玻璃基板的应力分析 被引量：4

7

作者 刘洋 胡亮 +6 位作者 洪性坤 朱载荣 桂继维 陈栋 王维维 聂学政 章亭 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期188-194,共7页

为了管控紫外光固化工艺过程掩膜版的裂纹,基于ANSYS对受石英棒吸附的液晶玻璃基板的结构应力及升降温过程的热应力进行仿真分析,讨论了不同材料和不同厚度玻璃基板的结构应力及热应力变化。结构应力分析结果表明,基板挠度、等效应力和... 为了管控紫外光固化工艺过程掩膜版的裂纹,基于ANSYS对受石英棒吸附的液晶玻璃基板的结构应力及升降温过程的热应力进行仿真分析,讨论了不同材料和不同厚度玻璃基板的结构应力及热应力变化。结构应力分析结果表明,基板挠度、等效应力和弯曲应力最大值均出现在中部;基板厚度增加时,最大应力值显著减小。热应力分析结果表明,当玻璃基板存在温度梯度时,升温较大的区域,玻璃基板挠度更大;随着温度先增大后减小,玻璃基板挠度、等效应力与弯曲应力均先增大后减小,且升降温过程中基板应力变化显著,等效应力变化最大,弯曲压应力变化较小,弯曲拉应力变化最小。玻璃基板等效应力和弯曲拉应力最大值分别达到44.8 MPa和5.79 MPa。优化设备降温系统,降低玻璃基板各区域的温度梯度与基板升温值等可有效防止玻璃破裂的发生。 展开更多

关键词 ANSYS 玻璃基板 结构应力 热应力

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LaB_6复合型场发射阵列阴极的结构设计（英文）

8

作者 邓江 葛延槟 +1 位作者 虞游 王小菊 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期311-316,共6页

为了提高传统Spindt型场发射阵列阴极的稳定性,提出了一种新型的LaB_6复合型场发射阵列阴极结构,该结构包括非晶硅电阻层、钼过渡层和六硼化镧发射体层。基于ANSYS平台模拟了该阴极中电阻层、过渡层和发射体层厚度对热应力场分布的影响... 为了提高传统Spindt型场发射阵列阴极的稳定性,提出了一种新型的LaB_6复合型场发射阵列阴极结构,该结构包括非晶硅电阻层、钼过渡层和六硼化镧发射体层。基于ANSYS平台模拟了该阴极中电阻层、过渡层和发射体层厚度对热应力场分布的影响,并根据仿真结果进行了实验验证。仿真结果表明,电阻层厚度不影响热应力场的分布,只是改变热应力的大小;随着电阻层厚度的增加,阴极最大热应力会减小;过渡层可以有效减缓发射层的热应力,且过渡层的厚度会影响热应力场的分布;当电阻层厚度为72 nm,过渡层厚度为200 nm,发射层厚度为728 nm时,阴极最为稳定。薄膜热应力测试结果与模拟结果基本一致,证实了引入过渡层和电阻层对于减小阴极热应力的可行性。 展开更多

关键词 ANSYS 场发射阵列阴极 发射体层 电阻层 过渡层

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干法刻蚀工艺对TFT-LCD Flicker改善的研究 被引量：3

9

作者 李鑫 卞丽丽 +2 位作者 陈曦 吴成龙 贠向南 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期904-908,共5页

为了对TFT-LCD中的闪烁不良进行改善,本文通过研究TFT-LCD中干法刻蚀（Nplus Etch）对TFT特性的影响,以此对刻蚀条件（Power、Gas）进行优化,达到降低Photo-Ioff的目的。实验结果表明,当干法刻蚀主工艺条件为：Source/Bias=4k/5k、Press... 为了对TFT-LCD中的闪烁不良进行改善,本文通过研究TFT-LCD中干法刻蚀（Nplus Etch）对TFT特性的影响,以此对刻蚀条件（Power、Gas）进行优化,达到降低Photo-Ioff的目的。实验结果表明,当干法刻蚀主工艺条件为：Source/Bias=4k/5k、Press=90mT、SF6/O2=1.1k/3kml/min,AT Step条件为：Source/Bias=2k/2k、Press=100mT、SF6/O2=3k/3kmL/min时,Photo-Ioff由量产最初的58.15降至20.52,闪烁由15%-30%降至10%以下。干法刻蚀工艺条件的优化对TFT特性以及闪烁有明显改善效果。 展开更多

关键词 干法刻蚀 TFT特性 闪烁改善

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TFT-LCD背板设计对线残像改善的研究 被引量：3

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作者 吕耀朝 林鸿涛 +8 位作者 陈曦 杨虹 刘耀 张洪林 贠向南 刘文瑞 吴洪江 王进 廖加敏 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期625-630,共6页

线残像一直是TFT-LCD行业中一个重点改善的不良之一。为了解决该不良,本文通过对不同样品进行线残像评价及测试公共电极电压的畸变情况,从TFT-LCD背板设计方面研究了公共电极电压的畸变对线残像的影响。首先,通过激光熔接的方法将屏内... 线残像一直是TFT-LCD行业中一个重点改善的不良之一。为了解决该不良,本文通过对不同样品进行线残像评价及测试公共电极电压的畸变情况,从TFT-LCD背板设计方面研究了公共电极电压的畸变对线残像的影响。首先,通过激光熔接的方法将屏内的公共电极电压信号引出,然后测出在信号线电压作用下的公共电极电压发生畸变的幅值,最后将该幅值和实测的线残像水平进行了对比,同时对不同信号线数量、信号线和公共电极的交叠面积、信号线与公共电极的距离、外围电路补偿等相关设计的测试和研究。结果表明:公共电极电压的畸变程度与线残像水平具有对应性;信号线数量与公共电极电压畸变幅值成比例关系;信号线与公共电极线的单位交叠面积从66μm^2降到37μm^2时,其公共电极电压畸变程度降低了63%;增大公共电极与信号线之间的距离有助于改善甚至消除线残像,当距离从1.49μm增大到2.39μm时,公共电极电压畸变幅值减小了28%。通过降低信号线数量、降低信号线和公共电极线的交叠面积、增大信号线和公共电极的距离、外围电路补偿等方案均可改善线残像水平,对TFT-LCD画面显示品质的提高具有重要指导意义。 展开更多

关键词 线残像 公共电压畸变 背板设计

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大尺寸薄膜晶体管液晶显示器的一种条状显示不均的分析和改善研究 被引量：2

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作者 刘晓伟 田明 +4 位作者 李梁梁 付艳强 郭会斌 刘耀 袁剑峰 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2016年第11期1033-1037,共5页

研究了大尺寸薄膜晶体管液晶显示器产品开发中遇到的一种新的条状显示不均。通过扫描电子显微镜、四探针测试仪和分光光度计设备对这种显示不均进行了分析,这种显示不均与薄膜晶体管阵列基板上的金属配线的膜厚周期性波动有关,金属膜厚... 研究了大尺寸薄膜晶体管液晶显示器产品开发中遇到的一种新的条状显示不均。通过扫描电子显微镜、四探针测试仪和分光光度计设备对这种显示不均进行了分析,这种显示不均与薄膜晶体管阵列基板上的金属配线的膜厚周期性波动有关,金属膜厚的周期性波动导致了液晶显示器的液晶盒盒厚的不均匀,从而造成显示不均。这种膜厚的周期性波动与液晶高世代线广泛采用的平面靶材溅射设备构造有关。通过对设备结构的改造,提高了基板面内的金属膜厚的均一性,改善了此不良。 展开更多

关键词 大尺寸薄膜晶体管液晶显示器 磁控溅射 平面靶材 显示不均

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ADS TFT-LCD贴合产品按压漏光研究及改善 被引量：2

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作者 桂继维 胡亮 +6 位作者 李利杰 洪性坤 董天松 刘洋 章亭 聂学政 王维维 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2020年第8期808-815,共8页

按压漏光是发生在ADS TFT-LCD贴合产品上的一种漏光不良,本文对8.5G工厂1225 mm(55 in)产品按压漏光的发生原因进行分析,发现漏光为玻璃基板固定位置受外部应力作用形变导致。同时分析了辅助封框胶排布、封框胶固化前外部应力对基板的... 按压漏光是发生在ADS TFT-LCD贴合产品上的一种漏光不良,本文对8.5G工厂1225 mm(55 in)产品按压漏光的发生原因进行分析,发现漏光为玻璃基板固定位置受外部应力作用形变导致。同时分析了辅助封框胶排布、封框胶固化前外部应力对基板的影响等。通过改变翻转台运动方式,能有效改善按压漏光发生程度,按压漏光发生等级由Level 2(L2,客户不接受等级)下降至Level 1(L1,客户接受等级)。该方法的首次导入,为后续其他产品漏光的解决提供了思路。 展开更多

关键词 按压漏光 应力 形变 翻转台

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ADS类面板色偏关键影响因素 被引量：2

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作者 宋聪 林丽锋 +4 位作者 宋文亮 刘炫 张鹏 张洪林 贠向南 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2019年第4期361-365,共5页

色偏是评价面板显示性能的重要指标之一。为评估面板关键因素对色偏的影响,使理论模拟结果符合实际测试结果,本文研究了ADS类产品子像素状态和偏光片本征模式对面板色偏的影响。首先,基于RGB&RGBW产品的模拟和测试结果,理论阐述了... 色偏是评价面板显示性能的重要指标之一。为评估面板关键因素对色偏的影响,使理论模拟结果符合实际测试结果,本文研究了ADS类产品子像素状态和偏光片本征模式对面板色偏的影响。首先,基于RGB&RGBW产品的模拟和测试结果,理论阐述了两种彩膜方案对色偏的影响,在此基础上提出一种新的ADS类产品色偏评价方法,即考虑不同灰阶相邻子像素的相互影响,对目标子像素的三刺激值进行叠加运算,进而输出色偏模拟值。在超大视角(θ=-80°,80°)下,ΔE模拟值与实测值的差值由现有方法的0.19和0.17降低为0.03和0.05。其次比较了偏光片本征模式对色偏的影响,结果表明ADS双畴设计下O-mode具有色偏优势。本文提出的色偏计算方法与现有方法相比,对面板色偏拟合效果更好,同时对于ADS类面板而言,偏光片O-mode模式是一种能够减轻色偏的设计。 展开更多

关键词 ADS液晶显示器 色偏模拟 偏光片本征模式

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ECCP干法刻蚀条件下的TFT基板绝缘层过孔腐蚀的改善 被引量：2

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作者 邱鑫茂 伍蓉 +7 位作者 付婉霞 吴洪江 王宝强 陈曦 李梁梁 刘耀 林鸿涛 廖加敏 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2019年第2期119-124,共6页

过孔搭接失效一直是TFT-LCD行业中重点改善的不良之一。为了解决该不良,本文分析了不同刻蚀模式(ICP和ECCP)对过孔形貌的影响,利用四因子法研究ECCP模式刻蚀参数(压力、偏置/源极射频功率及O_2/SF_6气体比例)对刻蚀速率和均一性的影响,... 过孔搭接失效一直是TFT-LCD行业中重点改善的不良之一。为了解决该不良,本文分析了不同刻蚀模式(ICP和ECCP)对过孔形貌的影响,利用四因子法研究ECCP模式刻蚀参数(压力、偏置/源极射频功率及O_2/SF_6气体比例)对刻蚀速率和均一性的影响,并得出ECCP过孔改善的最佳刻蚀参数。结果表明:ECCP模式下,氮化硅刻蚀过程中物理轰击对GI截面的下沿与Cu接触区域形成损伤后产生的缺陷,是诱发过孔腐蚀的主要因素,ICP模式无腐蚀。反应腔压力增大刻蚀速率增大,均一性下降;偏置射频功率增大,速率增大,均一性提高;源极射频功率增大,速率变化小,均一性下降;O_2/SF_6气体比例对速率影响小,O_2含量越高,均一性越高。为达到PR胶保护GI下沿截面的目的,反应压力增大到1.7Pa,偏置射频功率减小到30kW,源极功率增加到30kW,O_2/SF_6气体保持比例1∶1后,增加了氮化硅的刻蚀量,减小PR胶的内缩量,避免物理溅射表面损伤;同时刻蚀速率达到750nm/s,均一性达到10%,腐蚀发生率为10%～0,使ECCP刻蚀模式对过孔的腐蚀影响得到有效解决。 展开更多

关键词 ECCP模式 过孔刻蚀 腐蚀改善

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TFT-LCD中驱动信号与线残像的关系研究 被引量：1

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作者 林琳琳 张洪林 +7 位作者 林鸿涛 贠向南 陈曦 赖意强 吴洪江 刘耀 庄子华 李大海 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期375-380,共6页

通过对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产品易产生线残像的问题进行研究,考察了不同驱动信号电压及反转方式与线残像之间的关系。结果表明,通过减小驱动信号线电压,或提高驱动信号的反转频率,均可降低公共电极与信号线的耦合程度。当灰... 通过对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产品易产生线残像的问题进行研究,考察了不同驱动信号电压及反转方式与线残像之间的关系。结果表明,通过减小驱动信号线电压,或提高驱动信号的反转频率,均可降低公共电极与信号线的耦合程度。当灰阶电压由L255减小为L46,耦合电压幅值由240mV降为34.8mV;当驱动信号方式由帧反转变为点反转时,耦合电压幅值由112.6mV降为63.1mV,有效地改善了线残像,并利用德拜弛豫公式分析了驱动信号反转对线残像的作用机理,为线残像的分析和改善提供了理论依据和解决方向。 展开更多

关键词 线残像 畸变 驱动信号反转方式 驱动信号电压

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TFT-LCD中电容对公共电压的影响 被引量：1

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作者 邱鑫茂 王巧妮 +4 位作者 刘娜妮 刘耀 王宝强 谢鑫 涂婷婷 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2022年第3期351-357,共7页

为分析TFT-LCD线残像,研究了画面驱动数据电压通过电容(C_(DC))对公共电压的影响。首先根据实际膜层分布,描述电容在膜层的具体构成,并建立电路等效模型,测量并分析TFT-LCD实际工作状态的电容。然后,建立方法测试棋盘格画面公共电压畸... 为分析TFT-LCD线残像,研究了画面驱动数据电压通过电容(C_(DC))对公共电压的影响。首先根据实际膜层分布,描述电容在膜层的具体构成,并建立电路等效模型,测量并分析TFT-LCD实际工作状态的电容。然后,建立方法测试棋盘格画面公共电压畸变并分析其造成线残像的机理。最后,设置“黑灰条”画面使畸变量最大化以便于分析畸变的形成过程和影响因素。实验结果表明TFT开关关闭时呈现高阻态,C_(DC)仅为公共电压和数据电压金属线交叠电容(C_(0)),电容值为55 fF;TFT完全打开时呈现低阻态,C_(DC)由存储电容和C_(0)并联构成,电容值为530 fF;当TFT处于中间态时,测试得到的电容值为中间值。电容值越大,数据电压转换速度越快,畸变量越大。降低转换速度(48 ns→53 ns),可减小畸变量(2.67 V→2.61 V)。 展开更多

关键词 TFT-LCD 线残像 电容 公共电压

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背光偏振特性对液晶显示器透过率的影响 被引量：1

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作者 王巧妮 林雅宾 +3 位作者 张新宇 黄建明 吴洪江 王宝强 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2020年第11期1127-1133,共7页

在液晶显示产品中,透过率是一个重要的光学特性指标。为了满足视角等光学指标要求,液晶显示产品会设计改变其偏光片透过轴的方向。在屏内部设计不变的条件下,不同偏光片方向对产品的透过率具有显著的影响。偏光片与背光存在匹配性问题... 在液晶显示产品中,透过率是一个重要的光学特性指标。为了满足视角等光学指标要求,液晶显示产品会设计改变其偏光片透过轴的方向。在屏内部设计不变的条件下,不同偏光片方向对产品的透过率具有显著的影响。偏光片与背光存在匹配性问题。本文通过实验及理论研究,表明对于仅改变偏光片方向的产品而言,背光的偏振特性是影响相对透过率差异的主要因素,棱镜片是引起背光偏振特性的主要因素,背光主偏振方向与棱镜片方向近似垂直。在3°棱镜片背光架构下,相对透过率差异与背光偏振度呈线性关系,线性度达0.99以上。 展开更多

关键词 液晶显示 背光偏振特性 透过率

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铜工艺阵列基板上数据线和公共电极不可见的短路原因分析及改善

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作者 林忱 冯玉春 +5 位作者 陈曦 汤桂泉 李鑫 周贺 刘文瑞 贠向南 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2020年第10期1036-1043,共8页

本文针对铜工艺TFT-LCD制作过程中遇到的不可见的数据信号线和公共电极信号线短路(DCS),提出切割实验方案,精确定位不可见类型的DCS异常的实际位置。基于数据和失效模式分析结果,设计不同灰化工艺时间膜层形貌观察实验,探究发生机理。... 本文针对铜工艺TFT-LCD制作过程中遇到的不可见的数据信号线和公共电极信号线短路(DCS),提出切割实验方案,精确定位不可见类型的DCS异常的实际位置。基于数据和失效模式分析结果,设计不同灰化工艺时间膜层形貌观察实验,探究发生机理。本文产出的异常发生机理是灰化过程中反应气体SF6残留在“屋檐状”光刻胶下方对公共电极Cu金属造成腐蚀,在产线湿度高的情况下易加剧腐蚀,腐蚀产物向上生长,后续栅极绝缘层/活性层镀膜无法完全覆盖住腐蚀产物,造成源、漏(Source&Drain,SD)层镀膜后数据线与腐蚀产物相连接,最终形成TFT基板膜层正面不可见的DCS异常。依据以上调查结果进行灰化工艺SF6气体用量、产线相对湿度(RH)、灰化工序至2nd栅极湿刻工序等待时间和设计相关的改善验证,最终通过量产导入灰化工艺SF6气体用量降低、产线相对湿度(RH)降低、缩短灰化工序至2nd栅极湿刻工序等待时间和优化异常发生区域开槽设计以增大间距H等改善措施,大幅减少了不可见类型的DCS异常。 展开更多

关键词 铜工艺 不可见 数据线 公共电极 短路

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TFT阵列基板过孔电阻与耐流性能研究

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作者 陈运金 欧忠星 +6 位作者 冯玉春 林忱 刘耀 张千 陈曦 周贺 刘文瑞 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2022年第3期342-350,共9页

薄膜晶体管阵列基板过孔电阻大、耐流性差易发生过孔烧毁,引起显示异常。目前针对过孔电阻与耐流性影响因素及机理尚不明确,制约着未来高耐流性过孔的制备和应用。本文实验结果表明氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)膜方块电阻减小、过孔... 薄膜晶体管阵列基板过孔电阻大、耐流性差易发生过孔烧毁,引起显示异常。目前针对过孔电阻与耐流性影响因素及机理尚不明确,制约着未来高耐流性过孔的制备和应用。本文实验结果表明氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)膜方块电阻减小、过孔坡度角减小、ITO膜与金属接触面积增大均可降低过孔电阻、提升过孔耐流性。结合过孔结构及机理分析指出,过孔电阻主要由ITO膜层自身电阻(R_(ITO))及过孔接触电阻(R_(contact))组成,ITO膜方块电阻及过孔坡度角减小会使R_(ITO)减小,ITO膜与金属接触面积增大会使R_(contact)减小。基板中部过孔耐流性差与中部的ITO膜方块电阻及过孔坡度角偏大有关。在满足产品光学品质标准前提下,ITO膜厚增厚、调控绝缘层膜质以及干法刻蚀参数减小坡度角、加大过孔接触面积设计是降低过孔电阻、提升过孔耐流性的有效途径。 展开更多

关键词 TFT阵列 过孔电阻 耐流性能

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