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掺杂和辐照对MgB_2超导电性影响的研究进展
1
作者
刘志勇
刘翠芳
倪宝荣
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期20-23,共4页
分别从掺杂和辐照两个方面论述了改善MgB_2超导电性的研究进展。研究发现:虽然只有少数掺杂物可以提高MgB_2的临界转变温度,但几乎所有的掺杂都会提高样品的临界电流密度J_c和不可逆场H_(irr)。在所有的掺杂物中,SiC掺杂取得了最好的效...
分别从掺杂和辐照两个方面论述了改善MgB_2超导电性的研究进展。研究发现:虽然只有少数掺杂物可以提高MgB_2的临界转变温度,但几乎所有的掺杂都会提高样品的临界电流密度J_c和不可逆场H_(irr)。在所有的掺杂物中,SiC掺杂取得了最好的效果。另外研究发现,通过一定程度的辐照也可以提高MgB_2的超导电性,但辐照存在一个最佳的剂量,过量的辐照会产生破坏作用。
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关键词
MGB2
掺杂
辐照
超导电性
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职称材料
题名
掺杂和辐照对MgB_2超导电性影响的研究进展
1
作者
刘志勇
刘翠芳
倪宝荣
机构
桂林工学院有色金属
材料
及其加工新技术教育部重点实验室
福冈工业大学功能材料研究中心
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期20-23,共4页
基金
外国专家资助项目(S2007450073)
文摘
分别从掺杂和辐照两个方面论述了改善MgB_2超导电性的研究进展。研究发现:虽然只有少数掺杂物可以提高MgB_2的临界转变温度,但几乎所有的掺杂都会提高样品的临界电流密度J_c和不可逆场H_(irr)。在所有的掺杂物中,SiC掺杂取得了最好的效果。另外研究发现,通过一定程度的辐照也可以提高MgB_2的超导电性,但辐照存在一个最佳的剂量,过量的辐照会产生破坏作用。
关键词
MGB2
掺杂
辐照
超导电性
Keywords
MgB2, doping, irradiation, superconductivity
分类号
TM26 [一般工业技术—材料科学与工程]
O511.2 [理学—低温物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
掺杂和辐照对MgB_2超导电性影响的研究进展
刘志勇
刘翠芳
倪宝荣
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
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