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TiB_2-W-Cu复合材料的导电/抗烧蚀性能研究 被引量:2
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作者 刘正伟 李明利 +3 位作者 周宇松 吴敏 王耀军 郭红燕 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2010年第3期34-36,共3页
通过"冷等静压成型-还原气氛烧结-形变强化"工艺制备得到TiB2-W-Cu复合材料致密样品,通过多次形变强化的方法提高铜基复合材料的硬度,并采用硬度计、电烧蚀装置等设备测试所制备的铜基纳米复合材料样品的硬度、软化温度、导... 通过"冷等静压成型-还原气氛烧结-形变强化"工艺制备得到TiB2-W-Cu复合材料致密样品,通过多次形变强化的方法提高铜基复合材料的硬度,并采用硬度计、电烧蚀装置等设备测试所制备的铜基纳米复合材料样品的硬度、软化温度、导电性以及电弧烧蚀等性能指标。样品的平均电导率4.76×103 S/m、硬度HV=142、软化温度≥950℃、电弧烧蚀≤40μg/C。 展开更多
关键词 铜基纳米复合材料 正交试验 形变强化 抗烧蚀性能
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W-Ni-Fe系纳米复合粉体的制备工艺研究 被引量:4
2
作者 逯庆国 李明利 +2 位作者 周宇松 周春江 刘正伟 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2011年第2期90-93,共4页
选择W-Ni-Fe系作为高密度钨合金材料体系,采用溶胶-凝胶方法制备出纳米氧化物复合粉体,用化学气相还原制备得到W-Ni-Fe系纳米复合粉体,研究了添加表面活性剂、还原温度、还原时间等工艺参数对粉体形貌粒径等物化性能的影响,确定了最佳... 选择W-Ni-Fe系作为高密度钨合金材料体系,采用溶胶-凝胶方法制备出纳米氧化物复合粉体,用化学气相还原制备得到W-Ni-Fe系纳米复合粉体,研究了添加表面活性剂、还原温度、还原时间等工艺参数对粉体形貌粒径等物化性能的影响,确定了最佳工艺参数。 展开更多
关键词 钨合金 溶胶-凝胶法 化学气相还原 纳米复合粉体
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BST-BSL体系的烧结行为和介电性能 被引量:1
3
作者 李明利 杜丕一 +2 位作者 纪松 钱坤明 周宇松 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2010年第2期1-4,共4页
采用草酸盐共沉淀工艺制备高反应活性Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)粉体,添加适量的B2O3-SiO2-Li2O(BSL)为烧结助剂,采用传统陶瓷制备工艺制备BST-BSL复相陶瓷。用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分别研究BST-BSL的微观形貌和相组成,并测试BST-BS... 采用草酸盐共沉淀工艺制备高反应活性Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)粉体,添加适量的B2O3-SiO2-Li2O(BSL)为烧结助剂,采用传统陶瓷制备工艺制备BST-BSL复相陶瓷。用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分别研究BST-BSL的微观形貌和相组成,并测试BST-BSL的介电性能参数。结果表明:添加的少量B2O3-Li2O-SiO2在烧结过程中与BST主晶相发生复杂的化学反应,使BST的烧结温度由1 350℃降低到1 000℃以下;B2O3-Li2O-SiO2的添加大幅改善BST的介电常数温度稳定性,引入的非铁电第二相对BST铁电性的‘稀释作用’使BST-BSL的可调率降低,但由于烧结助剂的添加量少,使BST-BSL在1 kV/mm外加偏场下的可调率仍在5%以上。 展开更多
关键词 钛酸锶钡 复相陶瓷 微观形貌 介电性能
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N_2O等离子体处理对富硅氮化硅薄膜发光的影响
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作者 蔡文浩 黄建浩 +1 位作者 李东升 杨德仁 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期132-134,共3页
采用PECVD方法制备富硅氮化硅(SiNx)薄膜,并研究了N2O等离子体处理对SiNx薄膜光致发光(PL)及电致发光(EL)的影响。研究结果表明,N2O等离子体处理前后SiNx薄膜的PL发光峰均位于430nm处,且强度变化不大。而其EL发光峰位于600nm处,处理后... 采用PECVD方法制备富硅氮化硅(SiNx)薄膜,并研究了N2O等离子体处理对SiNx薄膜光致发光(PL)及电致发光(EL)的影响。研究结果表明,N2O等离子体处理前后SiNx薄膜的PL发光峰均位于430nm处,且强度变化不大。而其EL发光峰位于600nm处,处理后强度有所提高。但经过高温热处理后,EL强度会大幅度降低。这主要是由于N2O等离子体处理在薄膜中引入N原子,这些N原子与Si原子结合,消除Si的悬挂键,降低了非辐射复合中心的浓度;而热处理后发生的原子重排,使得N原子与Si原子断开,进而与O原子结合,致使EL强度降低。 展开更多
关键词 富硅氮化硅 N2O等离子体 光致发光 电致发光
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二氧化硅@硫化镉核壳结构粒子的制备及表征
5
作者 胡梦 李东升 +1 位作者 杨德仁 阙端麟 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期217-219,共3页
本文利用化学水浴沉积法,在单分散的二氧化硅球表面包覆硫化镉,制备出二氧化硅@硫化镉核壳结构。通过改变反应物质的量以及反应温度等条件,得到了具有不同核壳比的二氧化硅@硫化镉核壳结构。实验发现随着二氧化硅@硫化镉核壳结构中硫化... 本文利用化学水浴沉积法,在单分散的二氧化硅球表面包覆硫化镉,制备出二氧化硅@硫化镉核壳结构。通过改变反应物质的量以及反应温度等条件,得到了具有不同核壳比的二氧化硅@硫化镉核壳结构。实验发现随着二氧化硅@硫化镉核壳结构中硫化镉晶粒尺寸的减小,其吸收边和光致发光峰都产生了蓝移;这主要是由于随着硫化镉晶粒尺寸的减小,该材料体系的光学特性由体效应向量子尺寸效应的转变造成的。 展开更多
关键词 硫化镉 二氧化硅 核壳结构
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球形纳米银粉的制备与微结构研究 被引量:8
6
作者 李明利 周宇松 +3 位作者 纪松 钱坤明 倪杨 杜丕一 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2010年第4期1-3,共3页
以硝酸银为原料,以对苯二酚C6H4(OH)2作为还原剂,添加链烷醇胺A作分散剂,液相化学还原法制备出分散性良好的球形纳米银粉。用激光粒度分布仪测试银粉的粒度分布与平均粒径,用透射电子显微镜(TEM)分析银粉的形貌、粒径和团聚状态,用多晶... 以硝酸银为原料,以对苯二酚C6H4(OH)2作为还原剂,添加链烷醇胺A作分散剂,液相化学还原法制备出分散性良好的球形纳米银粉。用激光粒度分布仪测试银粉的粒度分布与平均粒径,用透射电子显微镜(TEM)分析银粉的形貌、粒径和团聚状态,用多晶X射线衍射仪(XRD)检测粉体的晶相。实验结果表明:制备的纳米银粉为面心立方晶体结构,呈现规则球形,并且具有狭窄的粒度分布,其平均粒径约为100 nm,振实密度约为4.0 g/cm3。 展开更多
关键词 纳米粉体 化学还原 微结构
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化学共沉淀工艺制备钛酸锶钡纳米粉体 被引量:2
7
作者 李明利 杜丕一 +2 位作者 纪松 钱坤明 倪杨 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2010年第1期13-16,共4页
以硝酸钡、硝酸锶、草酸和钛酸丁酯为原料,采用草酸盐共沉淀法制备草酸氧钛锶钡(BSTO,Ba0.6Sr0.4TiO(C2O4)2·4H2O)前躯体粉体,将该前躯体800℃煅烧4h得到钛酸锶钡(BST,Ba0.6Sr0.4TiO3)纳米粉体。用差热分析仪研究BSTO的热分解过程,... 以硝酸钡、硝酸锶、草酸和钛酸丁酯为原料,采用草酸盐共沉淀法制备草酸氧钛锶钡(BSTO,Ba0.6Sr0.4TiO(C2O4)2·4H2O)前躯体粉体,将该前躯体800℃煅烧4h得到钛酸锶钡(BST,Ba0.6Sr0.4TiO3)纳米粉体。用差热分析仪研究BSTO的热分解过程,用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)研究钛酸锶钡粉体的相组成和微观形貌。结果表明:BSTO前驱体的热分解过程可以分为失去结晶水、草酸氧钛跟(TiO(C2O4)22-)分解和BST结晶化3个阶段;所制备的钛酸锶钡粉体为高纯立方晶相,粉体呈类球状,平均粒径约为100nm。 展开更多
关键词 钛酸锶钡 化学共沉淀 纳米粉体 热分解
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BST-BZN复相陶瓷的烧结行为和介电性能
8
作者 李明利 杜丕一 +2 位作者 纪松 钱坤明 倪杨 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2009年第6期1-4,共4页
用草酸盐共沉淀工艺制备高反应活性Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)粉体,添加10%(质量分数)的Bi2O3·ZnNb2O6(BZN)为烧结助剂,采用传统陶瓷制备工艺制备BST-BZN复相陶瓷。用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)分别研究BST-BZN的微观形貌和晶相组... 用草酸盐共沉淀工艺制备高反应活性Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)粉体,添加10%(质量分数)的Bi2O3·ZnNb2O6(BZN)为烧结助剂,采用传统陶瓷制备工艺制备BST-BZN复相陶瓷。用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)分别研究BST-BZN的微观形貌和晶相组成,并测试BST-BZN复相陶瓷的介电性能参数。结果表明,添加BZN使BST的烧结温度由1350℃降低到1050℃,BST晶粒粒径约为1μm,烧结过程BZN与BST发生固溶反应,BST的XRD衍射峰向低角度偏移。BST-BZN具有良好的介电常数温度稳定性,但是由于少量Bi3+对Ba2+/Sr2+的取代、晶粒的细化、晶界相比例增多等原因导致BST-BZN可调率降低,1kV/mm的偏场作用下其可调率只有0.15%。 展开更多
关键词 钛酸锶钡 复相陶瓷 微观形貌 介电性能
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单分散硫化铜纳米晶的生长及调控 被引量:7
9
作者 张懿强 张辉 +2 位作者 于敬学 杨德仁 阙端麟 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期208-212,共5页
以氯化铜、油胺和硫粉为反应物,利用热注入化学反应制备单分散硫化铜纳米晶。通过加入其它表面活性剂可以对纳米晶的尺寸,形貌和稳定性进行调控。这些表面活性剂包括苄胺、油酸、硬脂酸、十二烷基硫醇、三辛基氧化膦和烷基胺等。在一定... 以氯化铜、油胺和硫粉为反应物,利用热注入化学反应制备单分散硫化铜纳米晶。通过加入其它表面活性剂可以对纳米晶的尺寸,形貌和稳定性进行调控。这些表面活性剂包括苄胺、油酸、硬脂酸、十二烷基硫醇、三辛基氧化膦和烷基胺等。在一定条件下硫化铜纳米晶还可以自组装为蛇状纳米结构和玉米棒状纳米结构。最后利用X射线衍射仪、透射电镜和高分辨透射电镜对硫化铜纳米晶的结构和形貌进行了表征。 展开更多
关键词 高温化学反应 单分散硫化铜纳米晶 表面活性剂
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Au@SiO_2@LaF_3:Eu纳米核壳结构的制备及其发光性能 被引量:2
10
作者 崔天蜂 张辉 +2 位作者 杜宁 李东升 杨德仁 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期861-864,共4页
本文利用化学法合成了Au纳米颗粒、Au@SiO2、以及Au@SiO2@LaF3:Eu的纳米核壳结构,并利用透射电镜、紫外可见吸收谱以及荧光光谱对它们的形貌、吸收和发光性能进行了表征。研究表明:通过控制柠檬酸和氯金酸以及正硅酸乙酯和氨水比例可以... 本文利用化学法合成了Au纳米颗粒、Au@SiO2、以及Au@SiO2@LaF3:Eu的纳米核壳结构,并利用透射电镜、紫外可见吸收谱以及荧光光谱对它们的形貌、吸收和发光性能进行了表征。研究表明:通过控制柠檬酸和氯金酸以及正硅酸乙酯和氨水比例可以对Au纳米颗粒的尺寸以及SiO2层的厚度分别进行调控。当Au纳米颗粒的尺寸和SiO2层厚度增加时,Au表面等离子体共振吸收峰发生红移。在Au@SiO2@LaF3:Eu纳米核壳结构中,Au表面等离子体共振对LaF3:Eu纳米颗粒的发光产生减弱作用。另外,Eu掺杂浓度对Au@SiO2@LaF3:Eu纳米核壳结构的5D0→7F2和5D0→7F1跃迁强度比有很大的影响。 展开更多
关键词 Au@SiO2@LaF3:Eu 表面等离子体共振 发光
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半导体纳米晶体在薄膜晶体管中的应用 被引量:3
11
作者 栾庆彬 皮孝东 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第21期1-7,共7页
以非晶硅薄膜为核心的薄膜晶体管技术目前已经相当成熟,在该技术投入使用并且得以很好地优化之后,要想进一步提高薄膜晶体管的性能,就有必要开发新型的薄膜材料。近年来,由半导体纳米晶体构成的新型薄膜材料在晶体管中的应用越来越受到... 以非晶硅薄膜为核心的薄膜晶体管技术目前已经相当成熟,在该技术投入使用并且得以很好地优化之后,要想进一步提高薄膜晶体管的性能,就有必要开发新型的薄膜材料。近年来,由半导体纳米晶体构成的新型薄膜材料在晶体管中的应用越来越受到人们关注。利用半导体纳米晶体制备的薄膜晶体管有着较高的载流子迁移率和开关电流比,同时在其制备过程中可以在较低温度下大面积成膜,能够使用塑料等柔性衬底,因而具有明显的成本优势,发展前景广阔。着重介绍了几种颇具潜力的半导体(如硒化镉、碲化汞、硒化铅、锗、硅)纳米晶体在制备薄膜晶体管方面的应用。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 有源层 半导体 纳米晶体 硒化镉 碲化汞 硒化铅
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SiN_x:Tb^(3+)薄膜中Tb^(3+)与银表面等离激元耦合
12
作者 任常瑞 胡翔 +1 位作者 李东升 杨德仁 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期139-141,共3页
本文采用PECVD方法在石英衬底上生长不同剂量比的氮化硅薄膜SiNx,并利用离子注入方法在SiNx中注入Tb3+离子。然后通过在SiNx薄膜表面沉积银岛膜,研究了银表面等离激元和SiNx:Tb3+发光的相互作用。研究发现,银岛膜的存在降低了SiNx:Tb3+... 本文采用PECVD方法在石英衬底上生长不同剂量比的氮化硅薄膜SiNx,并利用离子注入方法在SiNx中注入Tb3+离子。然后通过在SiNx薄膜表面沉积银岛膜,研究了银表面等离激元和SiNx:Tb3+发光的相互作用。研究发现,银岛膜的存在降低了SiNx:Tb3+发光荧光寿命,而且SiNx:Tb3+发光荧光寿命随着银岛膜厚度的增加而减小。而氮化硅薄膜中的硅纳米晶也会影响Tb3+的光模密度,并对SiNx:Tb3+发光荧光寿命产生影响。 展开更多
关键词 SiNx:Tb^3+薄膜 银岛膜 衰减时间 表面等离激元
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