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H型栅SOIMOS作为静电保护器件的维持电压的研究(英文)
1
作者
姜一波
曾传滨
+1 位作者
罗家俊
韩郑生
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期108-111,共4页
对绝缘体上硅工艺来说,静电保护可靠性是一个关键且具有挑战性的问题。着重于研究H型栅SOIMOS的维持电压,通过实验发现此器件的维持电压与栅宽紧密联系。结合TCAD仿真解释了器件的工作机理,通过建立集约模型并由HSPICE仿真,揭示了体电...
对绝缘体上硅工艺来说,静电保护可靠性是一个关键且具有挑战性的问题。着重于研究H型栅SOIMOS的维持电压,通过实验发现此器件的维持电压与栅宽紧密联系。结合TCAD仿真解释了器件的工作机理,通过建立集约模型并由HSPICE仿真,揭示了体电阻与维持电压之间的关系。
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关键词
绝缘体上硅
静电保护
维持电压
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职称材料
题名
H型栅SOIMOS作为静电保护器件的维持电压的研究(英文)
1
作者
姜一波
曾传滨
罗家俊
韩郑生
机构
硅器件及集成技术研究室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期108-111,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60927006)
文摘
对绝缘体上硅工艺来说,静电保护可靠性是一个关键且具有挑战性的问题。着重于研究H型栅SOIMOS的维持电压,通过实验发现此器件的维持电压与栅宽紧密联系。结合TCAD仿真解释了器件的工作机理,通过建立集约模型并由HSPICE仿真,揭示了体电阻与维持电压之间的关系。
关键词
绝缘体上硅
静电保护
维持电压
Keywords
SOI （silicon on insulator）
ESD （electrostatic discharge） protection
holding voltage
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
H型栅SOIMOS作为静电保护器件的维持电压的研究(英文)
姜一波
曾传滨
罗家俊
韩郑生
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
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