为了提高基于雪崩三极管级联的超宽带电磁脉冲源的输出功率,将其作为脉冲子源,提出对两路相同的脉冲子源进行功率合成,并分析了该脉冲子源的频率参数。根据输出脉冲宽频带、陡前沿的特点,利用ADS仿真软件对3节、4节和7节功率合成模块进...为了提高基于雪崩三极管级联的超宽带电磁脉冲源的输出功率,将其作为脉冲子源,提出对两路相同的脉冲子源进行功率合成,并分析了该脉冲子源的频率参数。根据输出脉冲宽频带、陡前沿的特点,利用ADS仿真软件对3节、4节和7节功率合成模块进行了仿真和优化设计,最终确定并研制了最优的3节功率合成模块。通过实际测试得出:在脉冲子源的工作频带内,其输入和输出端口回波损耗的最大值为–26 d B,传输损耗基本保持在–3.2 d B,输入端口间隔离度的最大值为–28 d B,该功率合成模块的仿真结果与实验验证基本一致。通过对比脉冲源原波形和合成后的输出波形可见,该功率合成模块可满足频带为200 MHz^1.2 GHz脉冲源的功率合成。展开更多
文摘为了提高基于雪崩三极管级联的超宽带电磁脉冲源的输出功率,将其作为脉冲子源,提出对两路相同的脉冲子源进行功率合成,并分析了该脉冲子源的频率参数。根据输出脉冲宽频带、陡前沿的特点,利用ADS仿真软件对3节、4节和7节功率合成模块进行了仿真和优化设计,最终确定并研制了最优的3节功率合成模块。通过实际测试得出:在脉冲子源的工作频带内,其输入和输出端口回波损耗的最大值为–26 d B,传输损耗基本保持在–3.2 d B,输入端口间隔离度的最大值为–28 d B,该功率合成模块的仿真结果与实验验证基本一致。通过对比脉冲源原波形和合成后的输出波形可见,该功率合成模块可满足频带为200 MHz^1.2 GHz脉冲源的功率合成。
文摘利用基于密度泛函的第一性原理,计算ⅥA族元素Se和Te在常压下的能带结构、电子态密度、弹性系数和德拜温度.能带结构和电子态密度的计算结果表明:Se为间接带隙半导体,Se费米面附近的导带和价带主要来自外层4p4电子的贡献,4s2电子对费米面附近的导带和价带贡献较少;Te为直接带隙半导体,Te费米面附近的导带和价带主要来自外层5p4电子的贡献,5s2电子对费米面附近的导带和价带贡献较少.弹性系数计算结果表明:常压下具有六角结构的Se和Te的力学性质稳定;其德拜温度分别为263 K和315 K.
