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题名国军标器件3DG135的可靠性研究
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作者
崔恩录
穆杰
王于辉
秦仲波
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机构
石家庄电子工业部第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第2期16-18,共3页
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文摘
较详细地叙述了３ＤＧ１３５在可靠性研究过程中，技术攻关的主要内容及所采取的工艺措施，并给出三个检验批次认证的实验结果。
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关键词
国军标
硅超高频晶体管
半导体器件
可靠性
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分类号
TN306
[电子电信—物理电子学]
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题名台湾半导体工业现状（续）
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作者
李栓庆
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机构
石家庄电子工业部第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第2期6-7,共2页
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文摘
台湾半导体工业现状（续）石家庄电子工业部第十三研究所（石家庄０５００５１）李栓庆１９９４年台湾产值突破百亿，增长率达到２３１％。需求量增大给半导体制造商带来新的机会和希望。台湾的半导体厂家都认识到了只有大投入才能得到较大的回报，所以许多半导体厂家纷纷...
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关键词
半导体工业
台湾
电子工业
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分类号
F426.63
[经济管理—产业经济]
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题名360°模拟移相器平衡插入损耗和拓宽频带的研究
被引量：1
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作者
刘克
田小建
衣茂斌
刘悦
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机构
集成光电子国家重点联合实验室吉林大学实验区
石家庄电子工业部第十三研究所
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出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2000年第5期624-627,560,共5页
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基金
国家自然科学基金! ( 698760 14)
博士点基金!( 970 18311)资助项目
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文摘
本文论证了用电阻补偿法平衡 360°模拟移相器插入损耗波动的正确性 ,并推导出确定移相器频带宽度的目标函数 ,籍 CAD给出移相器在最大带宽条件下的有关设计参量 ,通过直观曲线为选择变容二极管作理论依据。采用微波集成电路工艺制作的模拟移相器在 1.3～ 2 .1GHz范围内可获得 360°连续可变相移 ,最大调相电压 18V,中心频率线性度优于± 2 .5% ,插入损耗波动小于 3d B。
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关键词
频带
插入损耗波动
线性移相
模拟移相器
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Keywords
Insertion loss fluctuation,Matching,Linear phase modulation
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分类号
TN454
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名GaAs经硫和硒钝化处理后的光致发光
被引量：2
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作者
邢东
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机构
石家庄电子工业部第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第1期44-46,共3页
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文摘
研究了用Ｎａ＿２Ｓ·９Ｈ＿２Ｏ，（ＮＨ＿４）＿２Ｓ＿ｘ和Ｓｅ钝化的ＧａＡｓ的光致发光。这种钝化是经湿法化学处理来进行的。硫和硒处理后，我们观察到光致发光强左有明显的增强。同时我们也比较了三种钝化方法的效果。经分析认为，这种增强是由于表面复合中心密度的减小而造成的。
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关键词
硫
硒
钝化处理
GAAS
光致发光
表面处理
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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题名光通信装置的安装技术
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作者
张利民
柴广跃
张汉三
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机构
石家庄电子工业部第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第5期22-25,32,共5页
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文摘
本文以混合集成技术为中心，介绍了光通信装置安装技术的现状和动向。作为一个例子，介绍了光信息传输，总线的构成与安装。
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关键词
光通信装置
安装技术
混合集成
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分类号
TN929.1
[电子电信—通信与信息系统]
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题名中国半导体产业现状
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作者
张汉三
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机构
石家庄电子工业部第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第1期1-5,共5页
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文摘
从生产动向、生产预测、市场动向、器件和工艺技术、海外投资和面临的问题等方面,介绍了中国半导体产业的现状。
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关键词
中国
半导体产业
动向
预测
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分类号
F426.61
[经济管理]
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