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用于微电子封装的化学镀纯镍工艺被引量：3: 1; 作者刘巧明夏传义《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期14-16,共3页; 研究了一种能获得厚的纯镍化学镀溶液,讨论了溶液中各种化学成分、操作温度、稳定剂对沉积速度的影响,在此基础上确定了最佳配方及操作程序.对电子元件引线镀镍、镀金后的拉力进行了测试,对镀层硬度、方阻进行了测定.此方法适用于电子... 展开更多; 关键词镀镍封装微电子镍合金电镀; 在线阅读下载PDF 职称材料

国军标器件3DG135的可靠性研究: 2; 作者崔恩录穆杰 +1 位作者王于辉秦仲波《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期16-18,共3页; 较详细地叙述了３ＤＧ１３５在可靠性研究过程中，技术攻关的主要内容及所采取的工艺措施，并给出三个检验批次认证的实验结果。; 关键词国军标硅超高频晶体管半导体器件可靠性; 在线阅读下载PDF 职称材料

台湾半导体工业现状（续）: 3; 作者李栓庆《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期6-7,共2页; 台湾半导体工业现状（续）石家庄电子工业部第十三研究所（石家庄０５００５１）李栓庆１９９４年台湾产值突破百亿，增长率达到２３１％。需求量增大给半导体制造商带来新的机会和希望。台湾的半导体厂家都认识到了只有大投入才能得到... 展开更多; 关键词半导体工业台湾电子工业; 在线阅读下载PDF 职称材料

360°模拟移相器平衡插入损耗和拓宽频带的研究被引量：1: 4; 作者刘克田小建 +1 位作者衣茂斌刘悦《微波学报》 CSCD 北大核心 2000年第5期624-627,560,共5页; 本文论证了用电阻补偿法平衡 360°模拟移相器插入损耗波动的正确性 ,并推导出确定移相器频带宽度的目标函数 ,籍 CAD给出移相器在最大带宽条件下的有关设计参量 ,通过直观曲线为选择变容二极管作理论依据。采用微波集成电路工艺制... 展开更多; 关键词频带插入损耗波动线性移相模拟移相器; 在线阅读下载PDF 职称材料

直流磁控溅射中氩气压力对WSi/GaAs系统的影响被引量：1: 5; 作者宫俊孙铁囤 +2 位作者张文敏周南生马振昌《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期35-38,共4页; 以ＷＳｉ复合材料作为靶源，采用直流磁控溅射工艺成膜，研究了在不同氩气（载能粒子）压力条件下，８００℃、１７ｍｉｎ退火前后ＷＳｉ薄膜及ＷＳｉ／ＧａＡｓ系统的性能。包括用显微照像观察不同氩气压力下淀积膜退火前后表面变化；... 展开更多; 关键词溅射硅化钨薄膜氩气压力直流磁控溅射; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs经硫和硒钝化处理后的光致发光被引量：2: 6; 作者邢东《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期44-46,共3页; 研究了用Ｎａ＿２Ｓ·９Ｈ＿２Ｏ，（ＮＨ＿４）＿２Ｓ＿ｘ和Ｓｅ钝化的ＧａＡｓ的光致发光。这种钝化是经湿法化学处理来进行的。硫和硒处理后，我们观察到光致发光强左有明显的增强。同时我们也比较了三种钝化方法的效果。经分析... 展开更多; 关键词硫硒钝化处理 GAAS 光致发光表面处理; 在线阅读下载PDF 职称材料

中国半导体产业现状: 7; 作者张汉三《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期1-5,共5页; 从生产动向、生产预测、市场动向、器件和工艺技术、海外投资和面临的问题等方面，介绍了中国半导体产业的现状。; 关键词中国半导体产业动向预测; 在线阅读下载PDF 职称材料

光通信装置的安装技术: 8; 作者张利民柴广跃张汉三《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第5期22-25,32,共5页; 本文以混合集成技术为中心，介绍了光通信装置安装技术的现状和动向。作为一个例子，介绍了光信息传输，总线的构成与安装。; 关键词光通信装置安装技术混合集成; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于微电子封装的化学镀纯镍工艺被引量：3: 1; 作者刘巧明夏传义; 机构石家庄电子工业部第十三研究所; 出处《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期14-16,共3页; 文摘研究了一种能获得厚的纯镍化学镀溶液,讨论了溶液中各种化学成分、操作温度、稳定剂对沉积速度的影响,在此基础上确定了最佳配方及操作程序.对电子元件引线镀镍、镀金后的拉力进行了测试,对镀层硬度、方阻进行了测定.此方法适用于电子封装中W、Mo-Mn金属化及Cu、Ni、可伐等金属上的镀覆.; 关键词镀镍封装微电子镍合金电镀; 分类号 TN405.94 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名国军标器件3DG135的可靠性研究: 2; 作者崔恩录穆杰王于辉秦仲波; 机构石家庄电子工业部第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期16-18,共3页; 文摘较详细地叙述了３ＤＧ１３５在可靠性研究过程中，技术攻关的主要内容及所采取的工艺措施，并给出三个检验批次认证的实验结果。; 关键词国军标硅超高频晶体管半导体器件可靠性; 分类号 TN306 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名台湾半导体工业现状（续）: 3; 作者李栓庆; 机构石家庄电子工业部第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期6-7,共2页; 文摘台湾半导体工业现状（续）石家庄电子工业部第十三研究所（石家庄０５００５１）李栓庆１９９４年台湾产值突破百亿，增长率达到２３１％。需求量增大给半导体制造商带来新的机会和希望。台湾的半导体厂家都认识到了只有大投入才能得到较大的回报，所以许多半导体厂家纷纷...; 关键词半导体工业台湾电子工业; 分类号 F426.63 [经济管理—产业经济]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名360°模拟移相器平衡插入损耗和拓宽频带的研究被引量：1: 4; 作者刘克田小建衣茂斌刘悦; 机构集成光电子国家重点联合实验室吉林大学实验区石家庄电子工业部第十三研究所; 出处《微波学报》 CSCD 北大核心 2000年第5期624-627,560,共5页; 基金国家自然科学基金! ( 698760 14) 博士点基金!( 970 18311)资助项目; 文摘本文论证了用电阻补偿法平衡 360°模拟移相器插入损耗波动的正确性 ,并推导出确定移相器频带宽度的目标函数 ,籍 CAD给出移相器在最大带宽条件下的有关设计参量 ,通过直观曲线为选择变容二极管作理论依据。采用微波集成电路工艺制作的模拟移相器在 1.3～ 2 .1GHz范围内可获得 360°连续可变相移 ,最大调相电压 18V,中心频率线性度优于± 2 .5% ,插入损耗波动小于 3d B。; 关键词频带插入损耗波动线性移相模拟移相器; Keywords Insertion loss fluctuation,Matching,Linear phase modulation; 分类号 TN454 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名直流磁控溅射中氩气压力对WSi/GaAs系统的影响被引量：1: 5; 作者宫俊孙铁囤张文敏周南生马振昌; 机构西安电子科技大学微电子所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期35-38,共4页; 文摘以ＷＳｉ复合材料作为靶源，采用直流磁控溅射工艺成膜，研究了在不同氩气（载能粒子）压力条件下，８００℃、１７ｍｉｎ退火前后ＷＳｉ薄膜及ＷＳｉ／ＧａＡｓ系统的性能。包括用显微照像观察不同氩气压力下淀积膜退火前后表面变化；ＳＥＭ分析系统断面、ＡＥＳ分析膜层与ＧａＡｓ衬底的界面情况；并通过肖特基二极管Ｉ－Ｖ特性的测量研究其整流特性。实验结果表明，在１．３～１．６ｐａ氩气压力下淀积的ＷＳｉ膜层与ＧａＡｓ衬底所构成的系统具有良好的物理、化学和电学性能，能够满足自对准ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的工艺要求。; 关键词溅射硅化钨薄膜氩气压力直流磁控溅射; Keywords Semicondctor equations Avalanche generation Mixed boundary value problem Global weak solution; 分类号 TN305.92 [电子电信—物理电子学] TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs经硫和硒钝化处理后的光致发光被引量：2: 6; 作者邢东; 机构石家庄电子工业部第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期44-46,共3页; 文摘研究了用Ｎａ＿２Ｓ·９Ｈ＿２Ｏ，（ＮＨ＿４）＿２Ｓ＿ｘ和Ｓｅ钝化的ＧａＡｓ的光致发光。这种钝化是经湿法化学处理来进行的。硫和硒处理后，我们观察到光致发光强左有明显的增强。同时我们也比较了三种钝化方法的效果。经分析认为，这种增强是由于表面复合中心密度的减小而造成的。; 关键词硫硒钝化处理 GAAS 光致发光表面处理; 分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名中国半导体产业现状: 7; 作者张汉三; 机构石家庄电子工业部第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期1-5,共5页; 文摘从生产动向、生产预测、市场动向、器件和工艺技术、海外投资和面临的问题等方面，介绍了中国半导体产业的现状。; 关键词中国半导体产业动向预测; Keywords comprehensive multicriterion estimation, nondimensionalization, synthesis; 分类号 F426.61 [经济管理—产业经济]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名光通信装置的安装技术: 8; 作者张利民柴广跃张汉三; 机构石家庄电子工业部第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第5期22-25,32,共5页; 文摘本文以混合集成技术为中心，介绍了光通信装置安装技术的现状和动向。作为一个例子，介绍了光信息传输，总线的构成与安装。; 关键词光通信装置安装技术混合集成; 分类号 TN929.1 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	用于微电子封装的化学镀纯镍工艺	刘巧明夏传义	《材料保护》 CAS CSCD 北大核心	1995	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	国军标器件3DG135的可靠性研究	崔恩录穆杰王于辉秦仲波	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1996	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	台湾半导体工业现状（续）	李栓庆	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1996	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	360°模拟移相器平衡插入损耗和拓宽频带的研究	刘克田小建衣茂斌刘悦	《微波学报》 CSCD 北大核心	2000	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	直流磁控溅射中氩气压力对WSi/GaAs系统的影响	宫俊孙铁囤张文敏周南生马振昌	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1995	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	GaAs经硫和硒钝化处理后的光致发光	邢东	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1995	2	在线阅读下载PDF 职称材料
7	中国半导体产业现状	张汉三	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1995	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	光通信装置的安装技术	张利民柴广跃张汉三	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1995	0	在线阅读下载PDF 职称材料