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用于微电子封装的化学镀纯镍工艺 被引量:3
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作者 刘巧明 夏传义 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期14-16,共3页
研究了一种能获得厚的纯镍化学镀溶液,讨论了溶液中各种化学成分、操作温度、稳定剂对沉积速度的影响,在此基础上确定了最佳配方及操作程序.对电子元件引线镀镍、镀金后的拉力进行了测试,对镀层硬度、方阻进行了测定.此方法适用于电子... 研究了一种能获得厚的纯镍化学镀溶液,讨论了溶液中各种化学成分、操作温度、稳定剂对沉积速度的影响,在此基础上确定了最佳配方及操作程序.对电子元件引线镀镍、镀金后的拉力进行了测试,对镀层硬度、方阻进行了测定.此方法适用于电子封装中W、Mo-Mn金属化及Cu、Ni、可伐等金属上的镀覆. 展开更多
关键词 镀镍 封装 微电子 镍合金 电镀
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台湾半导体工业现状(续)
2
作者 李栓庆 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期6-7,共2页
台湾半导体工业现状(续)石家庄电子工业部第十三研究所(石家庄050051)李栓庆1994年台湾产值突破百亿,增长率达到231%。需求量增大给半导体制造商带来新的机会和希望。台湾的半导体厂家都认识到了只有大投入才能得到... 台湾半导体工业现状(续)石家庄电子工业部第十三研究所(石家庄050051)李栓庆1994年台湾产值突破百亿,增长率达到231%。需求量增大给半导体制造商带来新的机会和希望。台湾的半导体厂家都认识到了只有大投入才能得到较大的回报,所以许多半导体厂家纷纷... 展开更多
关键词 半导体工业 台湾 电子工业
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伪码扩频调制的连续波雷达在电子战环境中的效能
3
作者 业德骅 《电子对抗技术》 1995年第4期13-18,共6页
简述伪码扩频连续波雷达的特点,分析伪码扩频体制连续波雷达在现代电子战中的抗干扰与抗截获性能,展望在未来战场的应用前景.
关键词 电子战 连续波雷达 伪码扩频 低截获概率
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直流磁控溅射中氩气压力对WSi/GaAs系统的影响 被引量:1
4
作者 宫俊 孙铁囤 +2 位作者 张文敏 周南生 马振昌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期35-38,共4页
以WSi复合材料作为靶源,采用直流磁控溅射工艺成膜,研究了在不同氩气(载能粒子)压力条件下,800℃、17min退火前后WSi薄膜及WSi/GaAs系统的性能。包括用显微照像观察不同氩气压力下淀积膜退火前后表面变化;... 以WSi复合材料作为靶源,采用直流磁控溅射工艺成膜,研究了在不同氩气(载能粒子)压力条件下,800℃、17min退火前后WSi薄膜及WSi/GaAs系统的性能。包括用显微照像观察不同氩气压力下淀积膜退火前后表面变化;SEM分析系统断面、AES分析膜层与GaAs衬底的界面情况;并通过肖特基二极管I-V特性的测量研究其整流特性。实验结果表明,在1.3~1.6pa氩气压力下淀积的WSi膜层与GaAs衬底所构成的系统具有良好的物理、化学和电学性能,能够满足自对准GaAsMESFET的工艺要求。 展开更多
关键词 溅射 硅化钨薄膜 氩气压力 直流磁控溅射
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抛物环面天线交叉极化特性的研究 被引量:1
5
作者 杜彪 杨可忠 钟顺时 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第12期12-16,共5页
本文利用物理光学法导出了抛物环面天线的交叉极化辐射场公式,并用其对该天线的交叉极化特性进行了深入的研究,得出了一些有意义的结论和数值结果,为这种天线实现低交叉极化性能奠定了理论基础。
关键词 单偏置天线 抛物环面天线 交叉极化
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GaAs经硫和硒钝化处理后的光致发光 被引量:2
6
作者 邢东 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期44-46,共3页
研究了用Na_2S·9H_2O,(NH_4)_2S_x和Se钝化的GaAs的光致发光。这种钝化是经湿法化学处理来进行的。硫和硒处理后,我们观察到光致发光强左有明显的增强。同时我们也比较了三种钝化方法的效果。经分析... 研究了用Na_2S·9H_2O,(NH_4)_2S_x和Se钝化的GaAs的光致发光。这种钝化是经湿法化学处理来进行的。硫和硒处理后,我们观察到光致发光强左有明显的增强。同时我们也比较了三种钝化方法的效果。经分析认为,这种增强是由于表面复合中心密度的减小而造成的。 展开更多
关键词 钝化处理 GAAS 光致发光 表面处理
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频谱仪测量低电平的精度研究 被引量:3
7
作者 秦顺友 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期108-111,共4页
本文利用正弦信号加高斯噪声的包络概率密度函数,导出了频谱仪测量低电平的修正因子计算公式.给出了数值修正曲线,并用实验结果验证了理论计算的正确性.
关键词 频谱仪 低电平测量
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微波功率器件及其电路 被引量:2
8
作者 党冀萍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第4期17-20,48,共5页
简要地介绍了国内外微波功率器件及其电路的发展现状,分析了在微波功率方面与国外的差距,并指出了造成目前差距的原因所在,对以后我国在微波功率方面的发展提出了建议。
关键词 微波功率器件 电路
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GaAs-InP复合材料的外延生长方法及金属半导体场效应晶体管器件制备
9
作者 陈松岩 李玉东 +3 位作者 王本忠 张玉贤 刘式墉 刘悦 《高技术通讯》 CAS CSCD 1995年第3期1-3,共3页
提出了一种新的生长过渡层的方法,并利用低压金属有机气相外延技术在InP衬底上生长出高质量GaAs外延材料,用X射线双晶衍射测得5μm厚GaAs外延层的(004)晶面衍射半峰高宽(FWHM)低至140arcsec。并制... 提出了一种新的生长过渡层的方法,并利用低压金属有机气相外延技术在InP衬底上生长出高质量GaAs外延材料,用X射线双晶衍射测得5μm厚GaAs外延层的(004)晶面衍射半峰高宽(FWHM)低至140arcsec。并制出GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET),其单位跨导为100ms/mm,可满足与长波长光学器件进行单片集成的需要。 展开更多
关键词 复合材料 金属半导体 场效应 晶体管 外延生长
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国军标器件3DG135的可靠性研究
10
作者 崔恩录 穆杰 +1 位作者 王于辉 秦仲波 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期16-18,共3页
较详细地叙述了3DG135在可靠性研究过程中,技术攻关的主要内容及所采取的工艺措施,并给出三个检验批次认证的实验结果。
关键词 国军标 硅超高频晶体管 半导体器件 可靠性
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中国半导体产业现状
11
作者 张汉三 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期1-5,共5页
从生产动向、生产预测、市场动向、器件和工艺技术、海外投资和面临的问题等方面,介绍了中国半导体产业的现状。
关键词 中国 半导体产业 动向 预测
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360°模拟移相器平衡插入损耗和拓宽频带的研究 被引量:1
12
作者 刘克 田小建 +1 位作者 衣茂斌 刘悦 《微波学报》 CSCD 北大核心 2000年第5期624-627,560,共5页
本文论证了用电阻补偿法平衡 360°模拟移相器插入损耗波动的正确性 ,并推导出确定移相器频带宽度的目标函数 ,籍 CAD给出移相器在最大带宽条件下的有关设计参量 ,通过直观曲线为选择变容二极管作理论依据。采用微波集成电路工艺制... 本文论证了用电阻补偿法平衡 360°模拟移相器插入损耗波动的正确性 ,并推导出确定移相器频带宽度的目标函数 ,籍 CAD给出移相器在最大带宽条件下的有关设计参量 ,通过直观曲线为选择变容二极管作理论依据。采用微波集成电路工艺制作的模拟移相器在 1.3~ 2 .1GHz范围内可获得 360°连续可变相移 ,最大调相电压 18V,中心频率线性度优于± 2 .5% ,插入损耗波动小于 3d B。 展开更多
关键词 频带 插入损耗波动 线性移相 模拟移相器
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声音广播的必由之路──数字声音广播 被引量:1
13
作者 孙金荣 李晓芳 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 1995年第5期107-111,共5页
本文介绍声音广播的一种新形式──数字声音广播,以及世界各国在研制数字声音广播和应用领域的发展状况;根据国外的情况,对我国的数字声音广播发展提出几种可能途径;并建议通过进一步的软件、硬件试验,确定我国的数字声音广播体制。
关键词 数字声音广播 声音广播 广播
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半导体科学技术的发展预测和对策 被引量:1
14
作者 金圣东 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第4期1-8,共8页
半导体科学技术的发展预测和对策石家庄电子工业部第13研究所(石家庄050051)金圣东在今后一段时期,半导体科学技术的发展仍会突飞猛进,产品的更新换代依然日新月异,市场的竞争将更加激烈,向应用领域的渗透无所不及,其在... 半导体科学技术的发展预测和对策石家庄电子工业部第13研究所(石家庄050051)金圣东在今后一段时期,半导体科学技术的发展仍会突飞猛进,产品的更新换代依然日新月异,市场的竞争将更加激烈,向应用领域的渗透无所不及,其在产业排序中将占居首位。如不了解空前... 展开更多
关键词 半导体 半导体物理 半导体材料
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光通信装置的安装技术
15
作者 张利民 柴广跃 张汉三 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第5期22-25,32,共5页
本文以混合集成技术为中心,介绍了光通信装置安装技术的现状和动向。作为一个例子,介绍了光信息传输,总线的构成与安装。
关键词 光通信装置 安装技术 混合集成
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