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不同FBG色散补偿结构中OOK传输性能对比 被引量:5
1
作者 王现彬 王颖莉 +1 位作者 杨彦彬 贾英茜 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期87-91,共5页
光纤布拉格光栅(FBG)以其使用方便、造价低、可靠性高等优势在高速光纤通信系统中逐步得到应用,而其色散补偿能力也一直备受研究者关注。文章对比研究了NRZ、33%RZ和CSRZ三种开关键控(OOK)调制格式在预补偿、对称补偿和后补偿三种FBG色... 光纤布拉格光栅(FBG)以其使用方便、造价低、可靠性高等优势在高速光纤通信系统中逐步得到应用,而其色散补偿能力也一直备受研究者关注。文章对比研究了NRZ、33%RZ和CSRZ三种开关键控(OOK)调制格式在预补偿、对称补偿和后补偿三种FBG色散补偿结构中的传输性能,仿真结果表明OOK调制格式在FBG色散对称补偿结构中具有最好的传输性能。当在FBG色散对称补偿结构中单独考虑非线性效应和偏振模色散(PMD)时33%RZ具有较好的传输特性,而当综合考虑残留色散、非线性效应和PMD时,CSRZ系统传输性能最佳。 展开更多
关键词 光纤布拉格光栅 色散补偿 非线性效应 偏振模色散
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金-金热压键合技术在MEMS中的应用 被引量:4
2
作者 贾英茜 李莉 +1 位作者 李倩 杨志 《河北工业大学学报》 CAS 北大核心 2014年第2期17-20,共4页
微电子机械系统(MEMS)的发展对目前的加工工艺提出了很大的挑战,键合技术是微机械加工中的重要技术之一.由于对键合温度和键合表面的要求较低,金-金热压键合在MEMS器件的在加工中受到越来越多的重视.金-金热压键合工艺包括金属化前处理... 微电子机械系统(MEMS)的发展对目前的加工工艺提出了很大的挑战,键合技术是微机械加工中的重要技术之一.由于对键合温度和键合表面的要求较低,金-金热压键合在MEMS器件的在加工中受到越来越多的重视.金-金热压键合工艺包括金属化前处理、表面金属化、金属表面处理及热压键合几个步骤,文中对影响键合效果的因素进行分析.在分析的基础上采用苏斯公司的MA6/BA6键合台在300℃的键合温度下进行键合实验,键合强度达到体硅的强度,并以金-金热压键合工艺为基础,制作出THz波导和微机械谐振器. 展开更多
关键词 微电子机械系统 金-金热压键合 溅射 等离子体 紫外光照
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零知识性量子身份认证协议 被引量:5
3
作者 陈永志 温晓军 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期156-160,共5页
基于EPR纠缠光子对的相干特性,设计了一个量子身份认证协议。该协议具有零知识性。由于基于量子物理特性,不但满足传统的身份认证的基本性质,还具有无条件安全性,并可以抵抗各种可能的量子攻击。
关键词 量子光学 量子身份认证 零知识性 EPR纠缠光子对 量子测量
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基于量子隐形传态的零知识证明协议 被引量:2
4
作者 陈永志 范新灿 温晓军 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期173-178,共6页
零知识证明是构建密码协议的基础工具之一,在信息安全领域有着广泛应用。经典的零知识证明方案基于数学上的计算复杂性理论,随着计算能力的不断提高,特别是量子计算机等的出现,其安全性受到严重威胁。基于量子隐形传态原理提出了一个零... 零知识证明是构建密码协议的基础工具之一,在信息安全领域有着广泛应用。经典的零知识证明方案基于数学上的计算复杂性理论,随着计算能力的不断提高,特别是量子计算机等的出现,其安全性受到严重威胁。基于量子隐形传态原理提出了一个零知识证明协议。该协议利用量子物理特性实现零知识证明,具有无条件安全性,并可抵抗各种可能的量子攻击。 展开更多
关键词 量子光学 零知识证明 量子隐形传态 非正交基 量子测量
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钨CMP中碱性抛光液组分间化学作用及其影响 被引量:2
5
作者 贾英茜 牛新环 王现彬 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第5期334-338,共5页
CMP工艺水平很大程度上依赖于抛光液的组分及配比,组分之间的相互作用是化学机械抛光的研究内容之一。对以纳米SiO2为磨料、H2O2为氧化剂、有机碱为pH调节剂的钨碱性抛光液组分之间的化学相互作用进行理论分析。纳米SiO2表面存在不饱和... CMP工艺水平很大程度上依赖于抛光液的组分及配比,组分之间的相互作用是化学机械抛光的研究内容之一。对以纳米SiO2为磨料、H2O2为氧化剂、有机碱为pH调节剂的钨碱性抛光液组分之间的化学相互作用进行理论分析。纳米SiO2表面存在不饱和的羟基,和有机碱之间存在化学反应,在抛光过程中不仅起机械研磨的作用,同时以化学抛光作用对抛光产生影响。有机碱和H2O2之间的氧化还原反应会使抛光液中的OH-含量发生变化,氧化能力降低,从而影响钨的抛光速率。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) 碱性抛光液 钨插塞 pH值 抛光速率
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Ti/Al/Ni/Au在N-polarGaN上的欧姆接触 被引量:2
6
作者 王现彬 王颖莉 赵正平 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期14-16,共3页
N-polar GaN以其特有的材料特性和化学活性日益受到研究者关注,而N-polar GaN上欧姆接触也成为研究的热点。以Ti/Al/Ni/Au作为欧姆接触金属,分析了N-polar GaN上欧姆接触的最优退火条件,并借助剖面透射电子显微镜(TEM)和能量色散X射线... N-polar GaN以其特有的材料特性和化学活性日益受到研究者关注,而N-polar GaN上欧姆接触也成为研究的热点。以Ti/Al/Ni/Au作为欧姆接触金属,分析了N-polar GaN上欧姆接触的最优退火条件,并借助剖面透射电子显微镜(TEM)和能量色散X射线能谱仪(EDX)研究了金属和N-polar GaN之间的反应生成物。结果表明,当退火温度升高到860℃时,可得到比接触电阻率ρc为1.7×10^(-5)Ω·cm^2的最优欧姆接触特性。TEM和EDX测试发现,除了生成已报道的AlN,还会在界面处产生多晶AlO_x,两者共同作用会进一步拉高势垒,从而对N-polar GaN上欧姆接触产生不利影响。 展开更多
关键词 TI/AL/NI/AU 欧姆接触 氮极性 氧化铝
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硫脲ν_(N-C=S)红外光谱研究 被引量:3
7
作者 李莉 王震洲 +3 位作者 师鹏 刘子玮 宋亚环 于宏伟 《红外技术》 CSCD 北大核心 2017年第1期95-102,共8页
测定硫脲分子N-C=S伸缩振动模式(ν_(N-C=S))的红外光谱(IR)。研究发现:在1500 cm-1~1430 cm-1、1450 cm-1~1350 cm-1和1120 cm-1~1050 cm-1的频率范围内,硫脲分子ν_(N-C=S)分子中分别存在着3个特征谱带,分别归属于ν_(N-C=S)(Ⅰ)-1、... 测定硫脲分子N-C=S伸缩振动模式(ν_(N-C=S))的红外光谱(IR)。研究发现:在1500 cm-1~1430 cm-1、1450 cm-1~1350 cm-1和1120 cm-1~1050 cm-1的频率范围内,硫脲分子ν_(N-C=S)分子中分别存在着3个特征谱带,分别归属于ν_(N-C=S)(Ⅰ)-1、ν_(N-C=S)(Ⅱ)和ν_(N-C=S)(Ⅲ)。最后采用二维红外光谱技术(2D-IR)进一步来研究温度变化对于硫脲ν_(N-C=S)红外吸收强度及其变化顺序的影响。本项研究拓展了二维红外光谱技术在ν_(N-C=S)的研究范围。 展开更多
关键词 硫脲 红外光谱 二维红外光谱
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高速光纤系统中光双二进制传输性能分析 被引量:3
8
作者 卢智嘉 王现彬 +3 位作者 李莉 李玉萍 江锋 刘振永 《光通信技术》 北大核心 2015年第2期34-37,共4页
研究了光双二进制调制格式的传输性能,分析了光双二进制调制格式的不同实现形式及其对应的时频特性,并进行了仿真。在此基础上,讨论了采用低通滤波器实现光双二进制调制格式时滤波器带宽对调制码型的影响。
关键词 光双二进制 延时相加 低通滤波器 传输性能
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一分数阶四翼超混沌系统的同步控制 被引量:1
9
作者 杨志宏 屈双惠 +1 位作者 吴淑花 于津江 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期857-860,共4页
文章提出了1个四维分数阶超混沌系统,系统的每个方程中都含有1个三次非线性交叉乘积项,具有真正的四翼混沌吸引子。利用非线性反馈控制法设计了控制器,得到了使响应系统与驱动系统实现同步时反馈控制增益的取值范围,数值仿真结果验证了... 文章提出了1个四维分数阶超混沌系统,系统的每个方程中都含有1个三次非线性交叉乘积项,具有真正的四翼混沌吸引子。利用非线性反馈控制法设计了控制器,得到了使响应系统与驱动系统实现同步时反馈控制增益的取值范围,数值仿真结果验证了该方法的可行性。 展开更多
关键词 分数阶超混沌系统 四翼混沌吸引子 非线性反馈控制
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两种实现方式的改进型光双二进制性能分析 被引量:2
10
作者 卢智嘉 王现彬 +3 位作者 李玉萍 李宁 杨洁 刘振永 《光通信研究》 北大核心 2015年第2期7-10,共4页
文章仿真研究了两种改进型光双二进制调制格式。首先对比分析了产生两种改进型光双二进制调制格式的发射机结构及两种调制格式的码型和频谱特性,随后进行了系统的传输性能仿真。仿真结果表明:当残留色散较大时,改进Ⅱ型光双二进制调制... 文章仿真研究了两种改进型光双二进制调制格式。首先对比分析了产生两种改进型光双二进制调制格式的发射机结构及两种调制格式的码型和频谱特性,随后进行了系统的传输性能仿真。仿真结果表明:当残留色散较大时,改进Ⅱ型光双二进制调制格式性能较为优异;而在-13.2~2.8dBm入纤光功率范围内,与改进Ⅱ型光双二进制和NRZ(非归零)码调制格式相比,改进Ⅰ型光双二进制的Q值最高,抗非线性效应能力最强。 展开更多
关键词 改进型光双二进制 调制格式 残留色散 非线性效应
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基于雾霾组分分析法的光伏发电消光特性研究 被引量:1
11
作者 刘振永 孙建起 耿亮 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第12期3276-3281,共6页
为研究雾霾对单晶硅太阳电池发电量的影响,首次提出雾霾组分分析法,以气溶胶不同组分的消光特性为研究对象,数值求解出气溶胶中各组分颗粒物的米散射消光系数,并通过朗伯特-比尔定律对其消光特性进行理论分析。继而利用Matlab模拟光照... 为研究雾霾对单晶硅太阳电池发电量的影响,首次提出雾霾组分分析法,以气溶胶不同组分的消光特性为研究对象,数值求解出气溶胶中各组分颗粒物的米散射消光系数,并通过朗伯特-比尔定律对其消光特性进行理论分析。继而利用Matlab模拟光照波长为460、660、860 nm,气溶胶粒径区间为0.1~2.5μm时,单晶硅太阳电池发电功率的衰减特性。实验部分采用SAC-Ⅲ型太阳电池系统对模拟数据进行对比验证。结果表明:1)当颗粒物粒径与入射光波长相近时,其对光照强度的消光程度最为明显;2)在浓度一定时,平均质量消光系数由大到小依次为有机碳、硝酸盐、硫酸盐、沙尘、元素炭、水,说明有机碳对光强的消光性能要高于其它几种组分;3)浓度在150~250μg/m3条件下,有机碳和水对光伏发电的影响分别占45.8%和5.2%。 展开更多
关键词 雾霾 光伏发电 单晶硅 太阳电池 数值模拟
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GaAs/AlGaAs核-壳结构纳米线的生长研究
12
作者 赵翠俭 孙素静 李小青 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期289-293,共5页
GaAs/AlGaAs核-壳结构纳米线是制作金属-半导体-金属(MSM)型高速光电探测器最简洁有效的光电材料之一。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备,在GaAs(111)B衬底上开展了GaAs/AlGaAs核-壳结构纳米线的生长研究,用场发射扫描电子显微镜(S... GaAs/AlGaAs核-壳结构纳米线是制作金属-半导体-金属(MSM)型高速光电探测器最简洁有效的光电材料之一。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备,在GaAs(111)B衬底上开展了GaAs/AlGaAs核-壳结构纳米线的生长研究,用场发射扫描电子显微镜(SEM)和微区光荧光谱仪(PL)对制备的GaAs/AlGaAs核-壳结构纳米线样品进行了测试分析。采用已优化的GaAs/AlGaAs核-壳结构纳米线的生长工艺参数,主要研究了AlGaAs壳材料的生长机制,获得了高质量的AlGaAs壳材料,AlGaAs壳材料生长速率约为50 nm/min,Al的原子数分数为14%。这些结果为将来多异质结构纳米线的生长和光电探测器的制备奠定了基础。 展开更多
关键词 GAAS A1GaAs纳米线 核-壳结构 生长机制 金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 光电探测器
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DPSK在FBG色散补偿系统中传输性能
13
作者 王现彬 杨洁 +1 位作者 张晶 王颖莉 《激光杂志》 北大核心 2017年第4期13-16,共4页
研究了OOK-DPSK、33%RZ-DPSK和CSRZ-DPSK在光纤布拉格光栅(FBG)对称补偿、后补偿和预补偿等色散补偿系统中的传输性能。结果表明非线性效应较低时33%RZ-DPSK在三种FBG色散补偿系统中皆具有最佳传输特性,且在不同色散补偿系统中三种码型... 研究了OOK-DPSK、33%RZ-DPSK和CSRZ-DPSK在光纤布拉格光栅(FBG)对称补偿、后补偿和预补偿等色散补偿系统中的传输性能。结果表明非线性效应较低时33%RZ-DPSK在三种FBG色散补偿系统中皆具有最佳传输特性,且在不同色散补偿系统中三种码型各自存在一个"拐点"距离值,当传输距离小于该"拐点"值时,FBG色散对称补偿系统的传输性能最佳,当传输距离大于该"拐点"值时,则FBG色散后补偿系统的传输性能最优。而当非线性效应影响较大时,CSRZ-DPSK具有最好的传输特性。 展开更多
关键词 色散补偿 差分相移键控 光纤布拉格光栅 传输性能
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纤维铺放设备张力控制系统设计
14
作者 常宏杰 岳彦芳 +1 位作者 孙建起 杨光 《河北科技大学学报》 CAS 2015年第5期517-522,共6页
针对纤维自动铺放设备中纤维张力控制要求和传统张力控制系统存在的问题,设计了重锤式张力控制系统。该系统将重锤作为张力控制缓冲环节,通过控制重锤位置间接控制张力。系统以运动控制器为控制核心,交流伺服电机为执行元件,激光位移传... 针对纤维自动铺放设备中纤维张力控制要求和传统张力控制系统存在的问题,设计了重锤式张力控制系统。该系统将重锤作为张力控制缓冲环节,通过控制重锤位置间接控制张力。系统以运动控制器为控制核心,交流伺服电机为执行元件,激光位移传感器为检测元件。采用模糊PID作为重锤位置控制算法,以充分考虑重锤加速度对纤维张力的影响,避免张力波动。样机实验结果表明:该张力控制系统在有效避免铺放过程中的断线、松弛等问题的同时,其纤维张力的静差率和波动率均能满足工程实际要求。 展开更多
关键词 复合材料 纤维 张力控制 重锤 模糊PID 运动控制器
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芯-壳结构/GaAs-AlGaAs纳米线中AlGaAs壳材料均匀性研究
15
作者 赵翠俭 孙素静 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期34-37,共4页
Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线材料被认为是高速光电探测器最有前途的材料之一。采用金属有机化学气相沉积法在GaAs(111)B衬底上生长芯-壳结构/GaAs-AlGaAs纳米线材料,GaAs芯材料的生长机制为气相-液相-固相,而AlGaAs壳材料的生长机制为气相-固... Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线材料被认为是高速光电探测器最有前途的材料之一。采用金属有机化学气相沉积法在GaAs(111)B衬底上生长芯-壳结构/GaAs-AlGaAs纳米线材料,GaAs芯材料的生长机制为气相-液相-固相,而AlGaAs壳材料的生长机制为气相-固相。采用场发射扫描电子显微镜和微区光荧光谱仪等测试分析手段研究了AlGaAs壳材料横向、轴向和生长方向的均匀性,探讨了生长机制对均匀性的影响。在此基础上获得了组分均匀的高晶体质量的AlGaAs壳材料,其Al组分为0.14。 展开更多
关键词 纳米线 均匀性 GAAS-ALGAAS 芯-壳结构 金属有机化学气相沉积
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N-polar GaN基HEMT准二维电荷传输模型仿真
16
作者 王现彬 赵正平 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期133-136,共4页
建立了氮极性(N-polar)GaN基HEMT器件的准二维(Quasi-2-D)电荷传输模型,仿真研究了N-polar GaN基HEMT的直流特性。仿真结果表明,不同的极化效应会对输出特性曲线和转移特性曲线产生不同的影响,考虑自发极化效应(Psp)+压电极化效应(Ppe)... 建立了氮极性(N-polar)GaN基HEMT器件的准二维(Quasi-2-D)电荷传输模型,仿真研究了N-polar GaN基HEMT的直流特性。仿真结果表明,不同的极化效应会对输出特性曲线和转移特性曲线产生不同的影响,考虑自发极化效应(Psp)+压电极化效应(Ppe)、只考虑Ppe和只考虑Psp三种情况下的阈值电压分别为:-3.96V、-2.29V和-2.47V,而其对应的峰值跨导则分别为44mS/mm、41.2mS/mm和41.3mS/mm。该模型为N-polar GaN基HEMT器件仿真提供了理论参考。 展开更多
关键词 N极性 高电子迁移率晶体管 极化效应 直流特性
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N-polar GaN上的欧姆接触:材料制备、金属化方案与机理
17
作者 王现彬 赵正平 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期52-56,68,共6页
氮极性(N-polar)GaN与镓极性(Ga-polar)GaN极性相反,且具有较高的表面化学活性,使其在光电子、微电子及传感器等领域逐渐受到关注。文章结合一些相关研究报道,综述了N-polar GaN上欧姆接触的研究进展。首先对N-polar GaN材料的制备进行... 氮极性(N-polar)GaN与镓极性(Ga-polar)GaN极性相反,且具有较高的表面化学活性,使其在光电子、微电子及传感器等领域逐渐受到关注。文章结合一些相关研究报道,综述了N-polar GaN上欧姆接触的研究进展。首先对N-polar GaN材料的制备进行了分析,随后对N-polar GaN的欧姆接触电极的金属化方案及欧姆接触机理等内容进行了综合讨论,以期为实际N-polar GaN欧姆接触研究提供一些参考。 展开更多
关键词 氮极性 氮化镓 欧姆接触 氮化铝
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三种光双二进制码传输性能
18
作者 孙秀婷 王庆芬 卢智嘉 《光通信技术》 北大核心 2016年第5期25-28,共4页
对比研究了三种光双二进制码(Optical Duobinary Code,ODC)的发射机结构,并仿真了三种ODC的单信道系统传输性能。仿真结果表明,改进型ODC较普通ODC和滤波成型ODC具有更好的色散及非线性效应抑制能力,该仿真结果为光双二进制码实际应用... 对比研究了三种光双二进制码(Optical Duobinary Code,ODC)的发射机结构,并仿真了三种ODC的单信道系统传输性能。仿真结果表明,改进型ODC较普通ODC和滤波成型ODC具有更好的色散及非线性效应抑制能力,该仿真结果为光双二进制码实际应用提供了理论参考。 展开更多
关键词 光双二进制码 马赫曾德尔调制器 色散 非线性效应
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不同生长模式对AlN薄膜质量的影响
19
作者 赵翠俭 孙素静 袁凤坡 《科技通报》 北大核心 2014年第7期104-106,共3页
采用传统生长模式和脉冲生长模式开展了蓝宝石衬底上AlN薄膜外延生长研究。通过XRD、透射谱、Raman等分析手段,研究了不同生长模式对AlN薄膜质量的影响,研究发现采用脉冲生长模式的样品与采用传统生长模式的样品相比,晶体质量显著地提高... 采用传统生长模式和脉冲生长模式开展了蓝宝石衬底上AlN薄膜外延生长研究。通过XRD、透射谱、Raman等分析手段,研究了不同生长模式对AlN薄膜质量的影响,研究发现采用脉冲生长模式的样品与采用传统生长模式的样品相比,晶体质量显著地提高,AlNω(102)的FWHM从2093 arcsec减少到835 arcsec,有效的限制了深能级缺陷。由于采用脉冲生长模式样品中的位错密度较小,所以样品中的残余应力略有提高。研究结果表明脉冲生长模式能有效的提高蓝宝石衬底上AlN晶体质量。 展开更多
关键词 ALN 传统模式 脉冲模式 XRD
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热效应对AlGaN/GaN HEMT的影响
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作者 姜霞 贾英茜 +2 位作者 郭正红 张志伟 唐红梅 《中国新通信》 2015年第23期86-87,共2页
分析了载流子迁移率,薄层载流子浓度、饱和电子漂移速度,导带断续,沟道温度等与自热效应的关系,建立了模拟Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管直流I-V特性的解析模型。仿真结果同试验结果吻合良好,说明了该模型的正确性。
关键词 热效应 ALGAN/GAN HEMT I-V模型
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