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题名国产GaAs微波单片集成电路的氢中毒效应
被引量：1
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作者
丁有源
黄杰
席善斌
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机构
石家庄军代表室
国防大学联合勤务学院
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第12期976-981,共6页
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文摘
对基于GaAs异质结外延材料、0.15μm PHEMT工艺制造的国产低噪声放大器(LNA)和驱动放大器(DA)各3种型号的GaAs微波单片集成电路(MMIC)进行了温度为150℃、H2体积分数为2%、时间为100 h的氢气氛暴露试验。试验结果表明,低噪声放大器和驱动放大器对氢气氛较为敏感,试验后线性增益、1 dB压缩点输出功率和驱动电流均发生了不同程度的退化,表现出氢中毒效应。在试验过程中,一种型号的低噪声放大器的驱动电流表现出先小幅度波动后快速下降,最终稳定基本不再变化的趋势。对GaAs MMIC发生氢中毒的作用机理进行了详细地探讨和分析,认为H原子引起载流子浓度的减少和肖特基肖势垒高度的改变是导致参数退化的主要原因。最后,给出了几种降低电路因氢气氛暴露所引起的可靠性风险的方法。
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关键词
GaAs
微波单片集成电路(MMIC)
低噪声放大器(LNA)
驱动放大器(DA)
氢中毒
可靠性
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Keywords
GaAs
monolithic microwave integrated circuit(MMIC)
low noise amplifier(LNA)
driver amplifier(DA)
hydrogen poisoning
reliability
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分类号
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN406
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名一种基于间接Volterra学习算法的前置补偿器
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作者
张建志
崔霞霞
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机构
空军驻石家庄地区军代表室
中国电子科技集团公司第五十四所
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出处
《无线电通信技术》
2007年第4期57-58,共2页
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文摘
非线性补偿技术对于的非线性通过补偿信道的非线性特性来提高通信信道的性能越来越重要,非线性补偿器可分为2大类:均衡器和前置补偿器。前者位于非线性信道的输出端而后者则位于非线性信道的输入端。在前置补偿器的基础上,提出一种新的基于Volterra级数前置补偿器,它利用间接学习算法来解决一类前置补偿问题——即信道的特性预先是未知的。这一点P阶逆算法是无法做到的,然后又以正交幅度调制信号(16QAM)验证这种新算法的性能优于P阶逆算法。
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关键词
P阶逆算法
前置补偿器
正交幅度调制
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Keywords
pth-order inverse algorithm
predistorter
16-quadrature amplitude modulation
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分类号
TN76
[电子电信—电路与系统]
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