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直流反应溅射沉积Al_2O_3薄膜及其在SS-AlN金属陶瓷太阳吸收涂层的应用被引量：3: 1; 作者池华敬郭帅 +3 位作者熊凯王双陈革章其初《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期385-389,共5页; 在沉积不锈钢-氮化铝(SS-AlN)金属陶瓷太阳吸收集热管的磁控溅射三靶镀膜机上,安装了UPS03反应溅射闭环控制单元,实现反应溅射Al2O3稳定反馈控制。采用国产直流电源在Al靶表面处于过渡态下,成功制备了吸收几乎为零的Al2O3薄膜。溅射功率... 展开更多; 关键词太阳吸收涂层 SS-AlN金属陶瓷反应溅射迟滞曲线闭环控制 AL2O3薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

量热法SS-AlN太阳吸收涂层半球发射比测量装置: 2; 作者周旭郭帅 +3 位作者王双池华敬陈革章其初《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期805-809,共5页; 采用稳态量热法,研制了一台真空集热管内管外表面SS-AlN太阳吸收涂层半球发射比测量装置。集热管内置三段式加热器,采用直流电源给加热器供电,测量在恒定温度时主加热器的加热功率,计算得到该温度下吸收涂层的半球发射比。多次测量同一... 展开更多; 关键词全玻璃真空集热管稳态量热法 SS-AlN吸收涂层半球发射比; 在线阅读下载PDF 职称材料

采用真空磁控反应溅射和热水氧化法制备AlN_xO_y增透膜被引量：4: 3; 作者池华敬熊凯 +4 位作者郭帅许丽王双陈革章其初《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期652-655,共4页; 在3.2mm厚的低铁玻璃衬底上采用金属Al靶在溅射气体Ar和反应气体N2的混合气体中,真空磁控反应溅射沉积半透明的Al-AlN金属陶瓷薄膜。再将沉积该薄膜的玻璃试样浸入沸腾的去离子水中,经一定时间氧化后,制备成表面粗糙的AlN和Al2O3的陶瓷... 展开更多; 关键词增透膜反应溅射沸水氧化薄膜金属陶瓷 Al-AlN ALN AL2O3 AlNxOy; 在线阅读下载PDF 职称材料

闭环控制靶电压直流磁控反应溅射沉积AlN薄膜: 4; 作者池华敬郭帅 +3 位作者熊凯王双陈革章其初《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1136-1140,共5页; 在原磁控溅射三靶镀膜机上安装了UPS03反应溅射闭环控制单元,替代原有的级差法控制流量计改变反应气体流量的方法,实现反应溅射AlN反馈控制。该控制单元由UPC03型控制器和PCV03型压电陶瓷阀组成。控制器实时采集直流电源的Al靶电压信号... 展开更多; 关键词反应溅射迟滞曲线闭环控制 ALN薄膜 SS-AlN金属陶瓷太阳吸收涂层; 在线阅读下载PDF 职称材料

压电陶瓷阀在真空磁控反应溅射中的特性被引量：3: 5; 作者刘洪金郭帅 +5 位作者池华敬焦存柱周旭王双陈革章其初《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期382-386,共5页; 在制备不锈钢-氮化铝(SS-AlN)金属陶瓷集热管的真空磁控溅射镀膜线上,采用PCV25型压电陶瓷阀作为反应气体氮气N2流量输出的驱动元件,实现反应溅射AlN反馈控制。研究了不同环境温度下压电阀偏置电压Vo对N2输出流量Q的影响。实验研究表明,... 展开更多; 关键词压电陶瓷阀真空磁控反应溅射迟滞特性温度特性闭环控制参数; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名直流反应溅射沉积Al_2O_3薄膜及其在SS-AlN金属陶瓷太阳吸收涂层的应用被引量：3: 1; 作者池华敬郭帅熊凯王双陈革章其初; 机构皇明太阳能股份有限公司镀膜研发中心; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期385-389,共5页; 文摘在沉积不锈钢-氮化铝(SS-AlN)金属陶瓷太阳吸收集热管的磁控溅射三靶镀膜机上,安装了UPS03反应溅射闭环控制单元,实现反应溅射Al2O3稳定反馈控制。采用国产直流电源在Al靶表面处于过渡态下,成功制备了吸收几乎为零的Al2O3薄膜。溅射功率在14kW时,反应溅射沉积Al2O3的靶电压波动可长时间稳定控制在±3 V范围内,沉积速率为5.4 nm/(min·kW),约为Al靶在无反应气体溅射下沉积Al薄膜速率的74%。采用Al2O3代替AlN作为减反射层,应用到SS-AlN太阳选择性吸收涂层中,进一步提高了复合膜的太阳光学性能,太阳吸收比由AlN作为减反射层的0.956提高到0.965,红外发射比不变,仍为0.044。; 关键词太阳吸收涂层 SS-AlN金属陶瓷反应溅射迟滞曲线闭环控制 AL2O3薄膜; Keywords Solar absorbing coatings, SS-AlN cermet, Reactive sputtering, Hysteresis, Close-loop control, A1203 thinfilms; 分类号 TK513.3 [动力工程及工程热物理—热能工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名量热法SS-AlN太阳吸收涂层半球发射比测量装置: 2; 作者周旭郭帅王双池华敬陈革章其初; 机构皇明太阳能股份有限公司镀膜研发中心; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期805-809,共5页; 文摘采用稳态量热法,研制了一台真空集热管内管外表面SS-AlN太阳吸收涂层半球发射比测量装置。集热管内置三段式加热器,采用直流电源给加热器供电,测量在恒定温度时主加热器的加热功率,计算得到该温度下吸收涂层的半球发射比。多次测量同一支SS-AlN集热管的选择性吸收涂层的80℃半球发射比εss-AlN(80℃)=0.0596±0.0004。另外,多次测量同一支Cu真空管的Cu涂层的半球发射比εCu(80℃)=0.0217±0.0002。采用该装置测量真空集热管的吸收涂层半球发射比,测量精度高。; 关键词全玻璃真空集热管稳态量热法 SS-AlN吸收涂层半球发射比; Keywords all-glass vacuum solar collector tubes calorimetric technique SS-A1N solar absorbing coatings hemispherical emittance; 分类号 TB43 [一般工业技术] TH73 [机械工程—精密仪器及机械]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名采用真空磁控反应溅射和热水氧化法制备AlN_xO_y增透膜被引量：4: 3; 作者池华敬熊凯郭帅许丽王双陈革章其初; 机构皇明太阳能股份有限公司镀膜研发中心; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期652-655,共4页; 文摘在3.2mm厚的低铁玻璃衬底上采用金属Al靶在溅射气体Ar和反应气体N2的混合气体中,真空磁控反应溅射沉积半透明的Al-AlN金属陶瓷薄膜。再将沉积该薄膜的玻璃试样浸入沸腾的去离子水中,经一定时间氧化后,制备成表面粗糙的AlN和Al2O3的陶瓷混合物增透膜AlNxOy。在3.2 mm厚的低铁玻璃上,溅射沉积厚度为120 nm的Al-AlN金属陶瓷薄膜,沸水氧化8 min,制备的单面增透膜AlNxOy试样的太阳透射比Te达93.5%,可见光透射比Tv达95.2%。制备的双面增透膜AlNxOy试样的Te,Tv进一步提高,Te高达95.6%,与未镀膜玻璃衬底的90.4%相比,增加了5.2%;Tv高达97.0%,与玻璃衬底的91.6%相比,增加了5.4%。; 关键词增透膜反应溅射沸水氧化薄膜金属陶瓷 Al-AlN ALN AL2O3 AlNxOy; Keywords Transmittance-increasing film Reactively sputtering Hydrothermal oxidation Thin films Cermet Al-AlN AlN Al2O3 AlNxOy; 分类号 TK513.3 [动力工程及工程热物理—热能工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名闭环控制靶电压直流磁控反应溅射沉积AlN薄膜: 4; 作者池华敬郭帅熊凯王双陈革章其初; 机构皇明太阳能股份有限公司镀膜研发中心; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1136-1140,共5页; 文摘在原磁控溅射三靶镀膜机上安装了UPS03反应溅射闭环控制单元,替代原有的级差法控制流量计改变反应气体流量的方法,实现反应溅射AlN反馈控制。该控制单元由UPC03型控制器和PCV03型压电陶瓷阀组成。控制器实时采集直流电源的Al靶电压信号,与设定电压进行比较计算处理,输出电压控制信号至压电陶瓷阀,调节输出N2流量,实现Al靶电压稳定控制。在靶表面处于过渡态下,成功制备了吸收几乎为零的AlN薄膜。溅射功率14kW,反应溅射沉积AlN的靶电压波动可长时间稳定控制在±2V范围内,沉积速率高达4.5nm/(min·kW),约为Al靶在无反应气体溅射下沉积Al薄膜速率的80%。溅射沉积的AlN薄膜作为减反射层应用到SS-AlN太阳选择性吸收涂层中,使得太阳吸收比高达0.956。; 关键词反应溅射迟滞曲线闭环控制 ALN薄膜 SS-AlN金属陶瓷太阳吸收涂层; Keywords reactive sputtering hysteresis close-loop absorbing coatings as 0. 956. control AlN thin films SS-AlN cermet solar; 分类号 TB7 [一般工业技术—真空技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名压电陶瓷阀在真空磁控反应溅射中的特性被引量：3: 5; 作者刘洪金郭帅池华敬焦存柱周旭王双陈革章其初; 机构山东温屏节能玻璃有限公司皇明太阳能股份有限公司镀膜研发中心皇明太阳能股份有限公司真空管厂设备处; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期382-386,共5页; 文摘在制备不锈钢-氮化铝(SS-AlN)金属陶瓷集热管的真空磁控溅射镀膜线上,采用PCV25型压电陶瓷阀作为反应气体氮气N2流量输出的驱动元件,实现反应溅射AlN反馈控制。研究了不同环境温度下压电阀偏置电压Vo对N2输出流量Q的影响。实验研究表明,在Vo先增加再减少的过程中,Q相应变化呈现迟滞特性。同时,该迟滞特性受压电阀工作的环境温度影响,环境温度越低迟滞特性越明显。例如与40℃相比,当环境温度为25℃时,压电阀的阈值电压小,饱和电压大,有效工作范围宽,且在压电阀有效工作范围内,N2输出流量Q随偏置电压Vo变化速率小。结合压电陶瓷阀的特性,优化设置反应溅射反馈控制参数,在高于30kW的溅射功率下,实现反应溅射AlN工艺稳定,制备厚度约为70 nm的AlN薄膜在可见光和太阳光范围内吸收几乎为零。; 关键词压电陶瓷阀真空磁控反应溅射迟滞特性温度特性闭环控制参数; Keywords Piezoelectric ceramic valve, Vacuum magnetron reactive sputtering, Hystersis effect, Temperature effect,Closed loop control parameters; 分类号 TH138.52 [机械工程—机械制造及自动化]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	直流反应溅射沉积Al_2O_3薄膜及其在SS-AlN金属陶瓷太阳吸收涂层的应用	池华敬郭帅熊凯王双陈革章其初	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	量热法SS-AlN太阳吸收涂层半球发射比测量装置	周旭郭帅王双池华敬陈革章其初	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	采用真空磁控反应溅射和热水氧化法制备AlN_xO_y增透膜	池华敬熊凯郭帅许丽王双陈革章其初	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	闭环控制靶电压直流磁控反应溅射沉积AlN薄膜	池华敬郭帅熊凯王双陈革章其初	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	压电陶瓷阀在真空磁控反应溅射中的特性	刘洪金郭帅池华敬焦存柱周旭王双陈革章其初	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	3	在线阅读下载PDF 职称材料