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多层耦合约化维度量子体系中的界面光学声子模及其与电子的相互作用(英文)
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作者 张立 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期243-250,共8页
采用传递矩阵方法,在介电连续近似下,推导并给出了n层耦台约化维度量子体系(包括耦合量子阱CQW, 耦合量子阱线CQWW和耦合量子点CQD)中的界面光学声子模与相应的电子-声子相互作用哈密顿的统一表达式。对由二层AlGaAs/GaAs构成的CQW,CQWW... 采用传递矩阵方法,在介电连续近似下,推导并给出了n层耦台约化维度量子体系(包括耦合量子阱CQW, 耦合量子阱线CQWW和耦合量子点CQD)中的界面光学声子模与相应的电子-声子相互作用哈密顿的统一表达式。对由二层AlGaAs/GaAs构成的CQW,CQWW与CQD进行了数值计算,并对界面光学声子频率对体系的波矢与量子数的信赖关系进行了分析,特别是对波矢与量子数趋于0与无穷大两个极端情况从数学与物理上进行了合理的解释与说明。 展开更多
关键词 光电子学 耦合约化维度量子系统 传递矩阵方法 电子-声子相互作用 凝聚态
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量子点量子阱中束缚态的能级结构(英文) 被引量:5
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作者 张立 谢洪鲸 +1 位作者 陈传誉 龚映清 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期338-344,共7页
在有效质量近似下,考察了一个特殊量子点量子阱体系中的电子与空穴束缚态能级结构,以CdS/HgS和ZnS/CdSe构成的量子点量子阱为例进行了数值计算。结果显示,束缚态的本征能量对量子点量子阱的尺寸依赖曲线存在一些拐点,这一结果与均匀量... 在有效质量近似下,考察了一个特殊量子点量子阱体系中的电子与空穴束缚态能级结构,以CdS/HgS和ZnS/CdSe构成的量子点量子阱为例进行了数值计算。结果显示,束缚态的本征能量对量子点量子阱的尺寸依赖曲线存在一些拐点,这一结果与均匀量子点体系明显不同;对某个固定的量子点量子阱结构,随量子数n的增加,CdS/HgS量子点量子阱体系中的束缚电子态的能级间隔不是单调增加的,在某些量子数n处存在峰值,而ZnS/CdSe量子点量子阱体系中的空穴束缚态的能级间隔则是单调增加的,这是由构成量子点量子阱的材料的有效质量比率不同造成的。 展开更多
关键词 能级结构 量子点量子阱 束缚态 电子 数值计算 ZnS/CdSe 硫化锌 碲化镉
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施加电场的半抛物量子阱中束缚态的能级结构 被引量:4
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作者 张立 谢洪鲸 《大学物理》 北大核心 2004年第4期21-24,共4页
采用位移谐振子与数值求解相结合的方法,研究和讨论了施加电场的半抛物量子阱中束缚态的能级结构,得到了体系的本征能量与本征函数的表达式.数值结果显示,随着电场强度的增大,束缚态的能量几乎线性地下降,电场对半抛物束缚势频率较低的... 采用位移谐振子与数值求解相结合的方法,研究和讨论了施加电场的半抛物量子阱中束缚态的能级结构,得到了体系的本征能量与本征函数的表达式.数值结果显示,随着电场强度的增大,束缚态的能量几乎线性地下降,电场对半抛物束缚势频率较低的系统以及系统的高能级的影响较大,相邻能级间隔也随着电场强度的增大而减小,这与施加电场的抛物量子阱中的情况明显不同. 展开更多
关键词 半抛物量子阱 能级结构 电场
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n层耦合量子阱中的极化光学声子振动:电-声子相互作用哈密顿(英文) 被引量:1
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作者 张立 谢洪鲸 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期699-706,共8页
在介电连续近似下,推导和讨论了任意层的耦合量子阱系统中的受限纵光学(LO)声子模与界面光学(IO)声子模。为了描述受限纵光学声子的振动,采用了一个正确的LO声子势函数,同时,为了处理系统中的界面光学声子,采用了行列式解线性方程组的方... 在介电连续近似下,推导和讨论了任意层的耦合量子阱系统中的受限纵光学(LO)声子模与界面光学(IO)声子模。为了描述受限纵光学声子的振动,采用了一个正确的LO声子势函数,同时,为了处理系统中的界面光学声子,采用了行列式解线性方程组的方法,得到了量子化的LO与IO声子场以及它们的电-声子相互作用哈密顿.本项工作可以看作是对以前一些工作的普遍化。它提供了一种解决声子效应对多层耦合量子阱系统影响问题的统一方法. 展开更多
关键词 耦合量子阱 极化光学声子 受限纵光学 界面光学 电-声子相互作用哈密顿
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电场对非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变的影响 被引量:2
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作者 张立 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期378-380,385,共4页
利用量子力学中密度矩阵及谐振子变换与数值求解相结合的方法,理论考察了带偏置电场的非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变特性.以GaAs材料参数计算了总折射率改变对入射光的强度、半抛物量子阱受限势频率、... 利用量子力学中密度矩阵及谐振子变换与数值求解相结合的方法,理论考察了带偏置电场的非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变特性.以GaAs材料参数计算了总折射率改变对入射光的强度、半抛物量子阱受限势频率、外加直流电场强度的依赖关系.结果发现,总折射率改变敏感地依赖于这些因素. 展开更多
关键词 非线性光学 半抛物量子阱 密度矩阵方法 电场 折射率改变
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氮化物耦合量子阱中的二次谐波产生极化率:压电与自发极化效应
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作者 张立 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期251-255,共5页
理论考察了存在强内建电场的纤锌矿GaN/InxGa1-xN耦合量子阱体系的二次谐波产生(SHG)特性,结果发现共振SHG系数达到了10-7m/V的量级,SHG系数对耦合量子阱的结构与掺杂组份呈现非单调的依赖关系.结果还表明,通过选择小尺寸垒宽与大尺寸... 理论考察了存在强内建电场的纤锌矿GaN/InxGa1-xN耦合量子阱体系的二次谐波产生(SHG)特性,结果发现共振SHG系数达到了10-7m/V的量级,SHG系数对耦合量子阱的结构与掺杂组份呈现非单调的依赖关系.结果还表明,通过选择小尺寸垒宽与大尺寸阱宽的耦合量子阱,并适当降低掺杂组份,可在氮化物耦合量子阱中获得较强的SHG极化率. 展开更多
关键词 密度矩阵方法 氮化物耦合量子阱 内建电场 二次谐振波产生
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氮化物半导体耦合量子阱中非线性光整流特性:压电效应与自发极化效应
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作者 张立 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期231-236,共6页
考虑了由于压电与自发极化引起的强内电场效应,基于密度矩阵与久期处理方法,理论考察了纤锌矿氮化物半导体耦合量子阱体系的非线性光整流特性。根据已经成功建立的耦合量子阱的内建电场模型,精确求解了体系的电子本征态。以典型的GaN/In... 考虑了由于压电与自发极化引起的强内电场效应,基于密度矩阵与久期处理方法,理论考察了纤锌矿氮化物半导体耦合量子阱体系的非线性光整流特性。根据已经成功建立的耦合量子阱的内建电场模型,精确求解了体系的电子本征态。以典型的GaN/InxGa1-xN纤锌矿氮化物耦合量子阱为例进行了数值计算,结果发现共振光整流系数达到了10-6m/V的量级(体系的偶极矩阵元大小超过了2nm),这比同样尺寸的单氮化物量子阱的相应值高一个数量级。而且,计算还发现光整流系数对耦合量子阱的结构与掺杂组分呈现非单调的依赖关系,这一特性被归结为体系的强内建电场与量子尺寸效应对载流子受限特性的强烈竞争。计算结果还表明,通过选择小尺寸阱宽与垒宽的耦合量子阱,适当降低掺杂组分,可在氮化物耦合量子阱中获得较强的光整流效应。 展开更多
关键词 氮化物半导体 耦合量子阱 内建电场 光整流效应
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