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多层耦合约化维度量子体系中的界面光学声子模及其与电子的相互作用(英文): 1; 作者张立《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期243-250,共8页; 采用传递矩阵方法,在介电连续近似下,推导并给出了n层耦台约化维度量子体系(包括耦合量子阱CQW, 耦合量子阱线CQWW和耦合量子点CQD)中的界面光学声子模与相应的电子-声子相互作用哈密顿的统一表达式。对由二层AlGaAs/GaAs构成的CQW,CQWW... 展开更多; 关键词光电子学耦合约化维度量子系统传递矩阵方法电子-声子相互作用凝聚态; 在线阅读下载PDF 职称材料

施加电场的半抛物量子阱中的二阶非线性光学极化率(英文) 被引量：6: 2; 作者张立谢洪鲸陈传誉《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期437-440,共4页; 利用量子力学中的紧致密度矩阵方法 ,研究了施加电场的半抛物量子阱中的二阶非线性光学极化率 (光整流系数 ) ,得到了此系统的光整流系数的解析表达式数值计算的结果表明 ,随着电场强度的增加 ,光整流系数几乎线性随之增加 ,而且在同... 展开更多; 关键词二阶非线性光学极化率半抛物量子阱电场强度光整流系数紧致密度矩阵方法数值计算量子光学; 在线阅读下载PDF 职称材料

量子点量子阱中束缚态的能级结构(英文) 被引量：5: 3; 作者张立谢洪鲸 +1 位作者陈传誉龚映清《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期338-344,共7页; 在有效质量近似下,考察了一个特殊量子点量子阱体系中的电子与空穴束缚态能级结构,以CdS/HgS和ZnS/CdSe构成的量子点量子阱为例进行了数值计算。结果显示,束缚态的本征能量对量子点量子阱的尺寸依赖曲线存在一些拐点,这一结果与均匀量... 展开更多; 关键词能级结构量子点量子阱束缚态电子数值计算 ZnS/CdSe 硫化锌碲化镉; 在线阅读下载PDF 职称材料

n层耦合量子阱中的极化光学声子振动:电-声子相互作用哈密顿(英文) 被引量：1: 4; 作者张立谢洪鲸《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期699-706,共8页; 在介电连续近似下,推导和讨论了任意层的耦合量子阱系统中的受限纵光学(LO)声子模与界面光学(IO)声子模。为了描述受限纵光学声子的振动,采用了一个正确的LO声子势函数,同时,为了处理系统中的界面光学声子,采用了行列式解线性方程组的方... 展开更多; 关键词耦合量子阱极化光学声子受限纵光学界面光学电-声子相互作用哈密顿; 在线阅读下载PDF 职称材料

电场对非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变的影响被引量：2: 5; 作者张立《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期378-380,385,共4页; 利用量子力学中密度矩阵及谐振子变换与数值求解相结合的方法,理论考察了带偏置电场的非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变特性.以GaAs材料参数计算了总折射率改变对入射光的强度、半抛物量子阱受限势频率、... 展开更多; 关键词非线性光学半抛物量子阱密度矩阵方法电场折射率改变; 在线阅读下载PDF 职称材料

氮化物耦合量子阱中的二次谐波产生极化率:压电与自发极化效应: 6; 作者张立《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期251-255,共5页; 理论考察了存在强内建电场的纤锌矿GaN/InxGa1-xN耦合量子阱体系的二次谐波产生(SHG)特性,结果发现共振SHG系数达到了10-7m/V的量级,SHG系数对耦合量子阱的结构与掺杂组份呈现非单调的依赖关系.结果还表明,通过选择小尺寸垒宽与大尺寸... 展开更多; 关键词密度矩阵方法氮化物耦合量子阱内建电场二次谐振波产生; 在线阅读下载PDF 职称材料

氮化物半导体耦合量子阱中非线性光整流特性:压电效应与自发极化效应: 7; 作者张立《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期231-236,共6页; 考虑了由于压电与自发极化引起的强内电场效应,基于密度矩阵与久期处理方法,理论考察了纤锌矿氮化物半导体耦合量子阱体系的非线性光整流特性。根据已经成功建立的耦合量子阱的内建电场模型,精确求解了体系的电子本征态。以典型的GaN/In... 展开更多; 关键词氮化物半导体耦合量子阱内建电场光整流效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

准一维GaN纳米线中类氢杂质态光学特性: 8; 作者张立《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第S4期666-669,673,共5页; 考虑量子结构的各向异性,基于双参数变分方法理论分析了准一维GaN-基纳米线结构的类氢杂质态光学特性。数值结果表明,GaN纳米线体系的杂质结合能达到190meV,是相同尺寸GaAs-基量子线中相应值的2.5倍。这一结果与最近GaN纳米线杂质态的... 展开更多; 关键词 GAN纳米线结合能变分方法杂质态; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多层耦合约化维度量子体系中的界面光学声子模及其与电子的相互作用(英文): 1; 作者张立; 机构番禺职业技术学院电子与机械系; 出处《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期243-250,共8页; 文摘采用传递矩阵方法,在介电连续近似下,推导并给出了n层耦台约化维度量子体系(包括耦合量子阱CQW, 耦合量子阱线CQWW和耦合量子点CQD)中的界面光学声子模与相应的电子-声子相互作用哈密顿的统一表达式。对由二层AlGaAs/GaAs构成的CQW,CQWW与CQD进行了数值计算,并对界面光学声子频率对体系的波矢与量子数的信赖关系进行了分析,特别是对波矢与量子数趋于0与无穷大两个极端情况从数学与物理上进行了合理的解释与说明。; 关键词光电子学耦合约化维度量子系统传递矩阵方法电子-声子相互作用凝聚态; Keywords optoelectronics reduced-dimensionality quantum systems transfer matrix method electron-phonon interaction condensed matter; 分类号 O481.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名施加电场的半抛物量子阱中的二阶非线性光学极化率(英文) 被引量：6: 2; 作者张立谢洪鲸陈传誉; 机构番禺职业技术学院电子与机械系广州大学物理系; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期437-440,共4页; 基金 SupportedbyNaturalScienceFoundationofGuangdongProvince; 文摘利用量子力学中的紧致密度矩阵方法 ,研究了施加电场的半抛物量子阱中的二阶非线性光学极化率 (光整流系数 ) ,得到了此系统的光整流系数的解析表达式数值计算的结果表明 ,随着电场强度的增加 ,光整流系数几乎线性随之增加 ,而且在同样的电场强度及抛物束缚势频率作用下 ,半抛物量子阱模型中的光整流系数比抛物量子阱模型中的值大一个数量级。; 关键词二阶非线性光学极化率半抛物量子阱电场强度光整流系数紧致密度矩阵方法数值计算量子光学; Keywords Second-order nonlinear optical susceptibility Semi-parabolic quantum well Density matrix approach; 分类号 O431.2 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名量子点量子阱中束缚态的能级结构(英文) 被引量：5: 3; 作者张立谢洪鲸陈传誉龚映清; 机构番禺职业技术学院电子与机械系广州市番禺区市桥镇第二中学物理科组; 出处《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期338-344,共7页; 基金 This work is supported by Guangdong Provincial Natural Science Foundation of China(NO.011835); 文摘在有效质量近似下,考察了一个特殊量子点量子阱体系中的电子与空穴束缚态能级结构,以CdS/HgS和ZnS/CdSe构成的量子点量子阱为例进行了数值计算。结果显示,束缚态的本征能量对量子点量子阱的尺寸依赖曲线存在一些拐点,这一结果与均匀量子点体系明显不同;对某个固定的量子点量子阱结构,随量子数n的增加,CdS/HgS量子点量子阱体系中的束缚电子态的能级间隔不是单调增加的,在某些量子数n处存在峰值,而ZnS/CdSe量子点量子阱体系中的空穴束缚态的能级间隔则是单调增加的,这是由构成量子点量子阱的材料的有效质量比率不同造成的。; 关键词能级结构量子点量子阱束缚态电子数值计算 ZnS/CdSe 硫化锌碲化镉; Keywords structures of energy levels quantum dot quantum well bound states; 分类号 O481.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名n层耦合量子阱中的极化光学声子振动:电-声子相互作用哈密顿(英文) 被引量：1: 4; 作者张立谢洪鲸; 机构番禺职业技术学院电子与机械系广州大学物理系; 出处《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期699-706,共8页; 基金 This work is supported by Natural Scienc Foundation of Guangdong Provincial; 文摘在介电连续近似下,推导和讨论了任意层的耦合量子阱系统中的受限纵光学(LO)声子模与界面光学(IO)声子模。为了描述受限纵光学声子的振动,采用了一个正确的LO声子势函数,同时,为了处理系统中的界面光学声子,采用了行列式解线性方程组的方法,得到了量子化的LO与IO声子场以及它们的电-声子相互作用哈密顿.本项工作可以看作是对以前一些工作的普遍化。它提供了一种解决声子效应对多层耦合量子阱系统影响问题的统一方法.; 关键词耦合量子阱极化光学声子受限纵光学界面光学电-声子相互作用哈密顿; Keywords polar optical phonon coupling quantum well electron-phonon interaction; 分类号 O436 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电场对非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变的影响被引量：2: 5; 作者张立; 机构广州番禺职业技术学院电子与机械系; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期378-380,385,共4页; 基金广州市属高校科技计划资助项目(编号:2060); 文摘利用量子力学中密度矩阵及谐振子变换与数值求解相结合的方法,理论考察了带偏置电场的非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变特性.以GaAs材料参数计算了总折射率改变对入射光的强度、半抛物量子阱受限势频率、外加直流电场强度的依赖关系.结果发现,总折射率改变敏感地依赖于这些因素.; 关键词非线性光学半抛物量子阱密度矩阵方法电场折射率改变; Keywords nonlinear optics semi-parabolic quantum wells density matrix approach electric field refractive index changes; 分类号 O431.2 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氮化物耦合量子阱中的二次谐波产生极化率:压电与自发极化效应: 6; 作者张立; 机构广州番禺职业技术学院电子与机械系; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期251-255,共5页; 基金国家自然科学基金(60276004与60390073) 广州市属高校科技(2060)资助项目; 文摘理论考察了存在强内建电场的纤锌矿GaN/InxGa1-xN耦合量子阱体系的二次谐波产生(SHG)特性,结果发现共振SHG系数达到了10-7m/V的量级,SHG系数对耦合量子阱的结构与掺杂组份呈现非单调的依赖关系.结果还表明,通过选择小尺寸垒宽与大尺寸阱宽的耦合量子阱,并适当降低掺杂组份,可在氮化物耦合量子阱中获得较强的SHG极化率.; 关键词密度矩阵方法氮化物耦合量子阱内建电场二次谐振波产生; Keywords density-matrix method nitride coupling quantum well built-in electric field second- harmonic generatio; 分类号 O436 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氮化物半导体耦合量子阱中非线性光整流特性:压电效应与自发极化效应: 7; 作者张立; 机构番禺职业技术学院电子与机械系; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期231-236,共6页; 基金国家自然科学基金(60276004 60390073) 广州市属高校科技项目(2060)资助项目; 文摘考虑了由于压电与自发极化引起的强内电场效应,基于密度矩阵与久期处理方法,理论考察了纤锌矿氮化物半导体耦合量子阱体系的非线性光整流特性。根据已经成功建立的耦合量子阱的内建电场模型,精确求解了体系的电子本征态。以典型的GaN/InxGa1-xN纤锌矿氮化物耦合量子阱为例进行了数值计算,结果发现共振光整流系数达到了10-6m/V的量级(体系的偶极矩阵元大小超过了2nm),这比同样尺寸的单氮化物量子阱的相应值高一个数量级。而且,计算还发现光整流系数对耦合量子阱的结构与掺杂组分呈现非单调的依赖关系,这一特性被归结为体系的强内建电场与量子尺寸效应对载流子受限特性的强烈竞争。计算结果还表明,通过选择小尺寸阱宽与垒宽的耦合量子阱,适当降低掺杂组分,可在氮化物耦合量子阱中获得较强的光整流效应。; 关键词氮化物半导体耦合量子阱内建电场光整流效应; Keywords nitride semiconductors coupling quantum wells built-in electric field optical rectification effect; 分类号 O431.2 [机械工程—光学工程] O437 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名准一维GaN纳米线中类氢杂质态光学特性: 8; 作者张立; 机构广州番禺职业技术学院电子与机械系; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第S4期666-669,673,共5页; 基金国家自然科学基金青年科学基金资助项目(60906042) 广州市属高校"羊城学者"科研资助项目(10B010D); 文摘考虑量子结构的各向异性,基于双参数变分方法理论分析了准一维GaN-基纳米线结构的类氢杂质态光学特性。数值结果表明,GaN纳米线体系的杂质结合能达到190meV,是相同尺寸GaAs-基量子线中相应值的2.5倍。这一结果与最近GaN纳米线杂质态的实验测量相当符合。计算发现,采用双参数变分波函数描述准一维GaN纳米线体系各向异性是有必要的,尤其是当纳米线尺寸较小时。讨论了杂质的位置对结合能、杂质基态能量以及变分参数的影响,并对这些观察背后的深刻物理现象进行了分析。; 关键词 GAN纳米线结合能变分方法杂质态; Keywords GaN nanowire binding energy donor impurity state variational approach; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	多层耦合约化维度量子体系中的界面光学声子模及其与电子的相互作用(英文)	张立	《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	施加电场的半抛物量子阱中的二阶非线性光学极化率(英文)	张立谢洪鲸陈传誉	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2003	6	在线阅读下载PDF 职称材料
3	量子点量子阱中束缚态的能级结构(英文)	张立谢洪鲸陈传誉龚映清	《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心	2003	5	在线阅读下载PDF 职称材料
4	n层耦合量子阱中的极化光学声子振动:电-声子相互作用哈密顿(英文)	张立谢洪鲸	《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心	2003	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	电场对非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变的影响	张立	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2005	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	氮化物耦合量子阱中的二次谐波产生极化率:压电与自发极化效应	张立	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	氮化物半导体耦合量子阱中非线性光整流特性:压电效应与自发极化效应	张立	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	准一维GaN纳米线中类氢杂质态光学特性	张立	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	0	在线阅读下载PDF 职称材料