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无源RFID的集成电容式传感器接口电路设计
被引量：
2
1
作者
陈宏
邓芳明
吴翔
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2015年第11期4-6,10,共4页
针对射频识别技术(RFID)迅猛发展的需求,采用0.18μm CMOS工艺设计并制造了一种电容式传感器接口电路。该接口电路为全数字结构,能将传感器电容值转换到频域进行处理。它采用了一种新型的内部限幅的环形振荡器结构,比传统反相器结构振...
针对射频识别技术(RFID)迅猛发展的需求,采用0.18μm CMOS工艺设计并制造了一种电容式传感器接口电路。该接口电路为全数字结构,能将传感器电容值转换到频域进行处理。它采用了一种新型的内部限幅的环形振荡器结构,比传统反相器结构振荡器降低了约30%功耗。后期测试结果显示,所设计的集成接口电路获得了良好的线性度和稳定性能,占用0.21 mm^2芯片面积,1 V电源电压下仅消耗0.92μW功率,尤其适合于无源RFID传感器标签设计中。
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关键词
传感器接口电路
RFID标签
CMOS工艺
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职称材料
题名
无源RFID的集成电容式传感器接口电路设计
被引量：
2
1
作者
陈宏
邓芳明
吴翔
机构
畅华东交通大学轨道交通学院
畅华东
交通大学
电子电气
学院
出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2015年第11期4-6,10,共4页
基金
国家自然科学基金(51468020)
江西省科技厅青年科学基金(20142BAB217008)
江西省教育规划重点课题(12ZD049)
文摘
针对射频识别技术(RFID)迅猛发展的需求,采用0.18μm CMOS工艺设计并制造了一种电容式传感器接口电路。该接口电路为全数字结构,能将传感器电容值转换到频域进行处理。它采用了一种新型的内部限幅的环形振荡器结构,比传统反相器结构振荡器降低了约30%功耗。后期测试结果显示,所设计的集成接口电路获得了良好的线性度和稳定性能,占用0.21 mm^2芯片面积,1 V电源电压下仅消耗0.92μW功率,尤其适合于无源RFID传感器标签设计中。
关键词
传感器接口电路
RFID标签
CMOS工艺
Keywords
Sensor Interface
RFID tag
CMOS technology
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
无源RFID的集成电容式传感器接口电路设计
陈宏
邓芳明
吴翔
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2015
2
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