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集成电子薄膜材料研究进展
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作者 李言荣 张万里 +2 位作者 刘兴钊 朱俊 闫裔超 《中国材料进展》 CAS CSCD 2013年第2期102-106,共5页
首先分析了当前我国电子信息产业的现状,特别是电子材料与元器件行业的状况,结合国际上电子信息技术的发展趋势,阐述了研究集成电子材料的重要意义。文章结合作者的工作主要介绍了介电/GaN集成电子薄膜生长控制与性能研究情况,采用TiO2... 首先分析了当前我国电子信息产业的现状,特别是电子材料与元器件行业的状况,结合国际上电子信息技术的发展趋势,阐述了研究集成电子材料的重要意义。文章结合作者的工作主要介绍了介电/GaN集成电子薄膜生长控制与性能研究情况,采用TiO2(诱导层)/MgO(阻挡层)组合缓冲层的方法控制介电/GaN集成薄膜生长取向、界面扩散,保护GaN基半导体材料的性能,降低介电/GaN集成薄膜界面态密度,建立界面可控的相容性生长方法。通过集成结构的设计与加工,研制出介电增强型GaN HEMT器件、高耐压GaN功率器件原型以及一体化集成的微波电容、变容管、压控振荡器、混频器等新型元器件。 展开更多
关键词 薄膜技术 电子材料 电子器件
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GaN基底上集成介电薄膜材料的生长方法研究 被引量:5
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作者 李言荣 朱俊 +2 位作者 罗文博 张万里 刘兴钊 《中国材料进展》 CAS CSCD 2012年第2期45-53,共9页
将以极化为特征、具有丰富功能特性的介电氧化物材料通过外延薄膜的方式,在半导体GaN上制备介电氧化物/GaN集成薄膜,其多功能一体化与界面耦合效应可推动电子系统单片集成化的进一步发展。然而,由于2类材料物理、化学性质的巨大差异,在... 将以极化为特征、具有丰富功能特性的介电氧化物材料通过外延薄膜的方式,在半导体GaN上制备介电氧化物/GaN集成薄膜,其多功能一体化与界面耦合效应可推动电子系统单片集成化的进一步发展。然而,由于2类材料物理、化学性质的巨大差异,在GaN上生长介电薄膜会出现严重的相容性生长问题。采用激光分子束外延技术(LMBE),通过弹性应变的TiO2的缓冲层来减小晶格失配度,降低介电薄膜生长温度,控制界面应变释放而产生的失配位错,提高了介电薄膜外延质量;通过低温外延生长MgO阻挡层,形成稳定的氧化物/GaN界面,阻挡后续高温生长产生的扩散反应;最终采用TiO2/MgO组合缓冲层控制介电/GaN集成薄膜生长取向、界面扩散,降低集成薄膜的界面态密度,保护GaN半导体材料的性能。所建立的界面可控的相容性生长方法,为相关集成器件的研发提供了一条可行的新途径。 展开更多
关键词 介电薄膜 GAN 缓冲层 界面控制 集成生长
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导电聚合物有序超薄膜的合成及其作为有机电致发光器件空穴注入层 被引量:3
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作者 徐建华 杨亚杰 +1 位作者 蒋亚东 于军胜 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第1期19-24,共6页
采用修饰多层LB膜的方法制备了导电聚合物聚-3,4-乙烯二氧噻吩/二十烷酸(PEDOT:AA)复合层状有序膜,构筑了一种导电聚合物镶嵌的多层有序膜结构.将这种导电聚合物有序薄膜沉积于ITO电极表面,将其作为有机电致发光二极管(OLED)的空穴注入... 采用修饰多层LB膜的方法制备了导电聚合物聚-3,4-乙烯二氧噻吩/二十烷酸(PEDOT:AA)复合层状有序膜,构筑了一种导电聚合物镶嵌的多层有序膜结构.将这种导电聚合物有序薄膜沉积于ITO电极表面,将其作为有机电致发光二极管(OLED)的空穴注入层,并研究了ITO/(PEDOT:AA)/MEH-PPV/Al器件的性能.研究结果表明,与采用聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)自组装膜和旋涂膜作为空穴注入层的ITO/(PEDOT:PSS)/MEH-PPV/Al器件相比,器件的发光效率增加,起亮电压降低.我们认为这是由于PEDOT:AA薄膜提供了一种有序层状结构后,减小了ITO与MEH-PPV间的接触势垒,改善了空穴载流子注入效率.进一步的研究表明,由于PEDOT:AA多层膜间靠较弱的亲水、疏水作用结合,这种导电多层有序膜的热稳定性与普通LB膜相似,在较高温度下发生从层状有序态到无序态的变化,这是导致OLED器件性能发生劣化的主要原因. 展开更多
关键词 导电聚合物 LB膜 OLED 空穴注入层 自组装膜
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NPB/Alq_3双层有机电致发光器件薄膜厚度与器件性能的优化 被引量:2
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作者 锁钒 于军胜 +3 位作者 黎威志 邓静 林慧 蒋亚东 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期2050-2054,共5页
研究了以NPB为空穴传输层、Al_(q3)为发光层的双层异质结有机电致发光器件的薄膜厚度对器件性能的影响.制备了一系列具有不同NPB和Al_(q3)厚度的器件并测试了其电致发光特性.结果表明,器件电流随Al_(q3)与NPB厚度变化的关系并不相同.不... 研究了以NPB为空穴传输层、Al_(q3)为发光层的双层异质结有机电致发光器件的薄膜厚度对器件性能的影响.制备了一系列具有不同NPB和Al_(q3)厚度的器件并测试了其电致发光特性.结果表明,器件电流随Al_(q3)与NPB厚度变化的关系并不相同.不同有机层厚度双层器件的电流机制符合陷阱电荷限制(TCL)理论,随外加电压的增大,器件电流经历了欧姆电导区、TCL电流区、陷阱电荷限制.空间电荷限制(TCL-SCL)过渡区三个区域的变化.当有机层厚度匹配为NPB(20nm)/Al_(q3)(50nm)时可以获得性能优良的器件.器件的流明效率-电压关系曲线的变化规律是在低电压区较快达到最大值,然后随电压的增加逐渐降低. 展开更多
关键词 有机电致发光 NPB ALQ3 薄膜厚度 陷阱电荷限制(TCL) 器件性能
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介电可调薄膜材料及压控微波器件研究 被引量:2
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作者 蒋书文 李汝冠 +2 位作者 王鲁豫 刘兴钊 李言荣 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期609-617,共9页
利用介电可调薄膜材料的调谐特性研制的介质压控微波器件高频特性好、功率容量大、响应速度快,还有易集成、功耗小、成本低、可靠性高的特点,相比半导体管、铁氧体以及MEMS器件有明显的优势。该文系统介绍了近年来国内外介电可调薄膜材... 利用介电可调薄膜材料的调谐特性研制的介质压控微波器件高频特性好、功率容量大、响应速度快,还有易集成、功耗小、成本低、可靠性高的特点,相比半导体管、铁氧体以及MEMS器件有明显的优势。该文系统介绍了近年来国内外介电可调薄膜材料及压控微波器件的研究进展,并结合作者的工作评述了介电可调薄膜材料和压控微波器件的应用情况。除研究最为集中的钛酸锶钡BaxSr1-xTiO3(BST)材料,还介绍了具有较高调谐率的铋基焦绿石铌酸铋镁Bi1.5MgNb1.5O7(BMN)薄膜材料,该材料介电损耗低(约0.002),介电常数适中(约86),温度系数小,是一种极具发展前景的微波介电可调材料。 展开更多
关键词 钛酸锶钡BST薄膜 铌酸铋镁BMN薄膜 介电可调薄膜材料 压控微波器件
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基于移频外差的高速光电子器件自校准高频分析 被引量:1
6
作者 张尚剑 王梦珂 +2 位作者 张雅丽 张旨遥 刘永 《应用科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第4期630-639,共10页
高速光电子器件是大容量光通信系统和宽带微波光子系统的基础,器件的高频响应测量对于实现电光和光电转换具有重要的意义.为此,基于光外差理论提出了移频外差方法用于实现从光域光谱到电域电谱的映射,在电域获得光谱和电谱的联合分析.... 高速光电子器件是大容量光通信系统和宽带微波光子系统的基础,器件的高频响应测量对于实现电光和光电转换具有重要的意义.为此,基于光外差理论提出了移频外差方法用于实现从光域光谱到电域电谱的映射,在电域获得光谱和电谱的联合分析.实验中,通过配置电域谱线的频率关系,利用移频外差将所需光载波和边带从光域映射到电域,实现了高速马赫-曾德尔调制器、相位调制器和光电探测器的自校准高频测试,获得了马赫-曾德尔调制器的调制指数、半波电压和啁啾参数、相位调制器的调制指数、半波电压以及光电探测器的响应度等多种高频参数.结果表明,该方法具有宽频段、高分辨率、多参数、自校准测试的优点. 展开更多
关键词 电光调制器 光电探测器 频率响应 微波光子 光学外差
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两步电沉积法制备Zn-Fe PBA薄膜及其在电致变色器件中的性能研究 被引量:1
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作者 张家强 邹馨蕾 +1 位作者 王能泽 贾春阳 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第9期961-968,共8页
电致变色材料因其颜色随外加电压变化的特性,可用于新型显示器件。目前,彩色电致变色器件(Multicolor electrochromic devices,MCECDs)大多使用几种不同颜色的有机材料制备的,流程较为复杂。为了简化制备流程,本课题组提出了一种具有红... 电致变色材料因其颜色随外加电压变化的特性,可用于新型显示器件。目前,彩色电致变色器件(Multicolor electrochromic devices,MCECDs)大多使用几种不同颜色的有机材料制备的,流程较为复杂。为了简化制备流程,本课题组提出了一种具有红、蓝、绿、黄四种典型颜色的普鲁士蓝类似物的复合电致变色(MC-PBA)薄膜,以实现性能优异的变色器件。本工作通过两步电沉积法制备了锌铁普鲁士蓝类似物(Zn-FePBA)薄膜,其循环伏安曲线仅有一对氧化还原峰,对应于FeⅢ/FeⅡ间的氧化还原反应,在10000圈循环后性能几乎不发生衰减。该薄膜为白色且在电化学循环过程中几乎不发生颜色变化,在与MC-PBA薄膜组装相应的电致变色器件(Z-MCECD)时不会对颜色产生影响,并且其作为离子存储层可以显著减低过电势(从4.0 V降低至1.5 V)。得益于此,所组装的Z-MCECD在保有红、蓝、绿、黄四种典型颜色状态的同时,工作电压更低,循环稳定性也得到显著提高(2400 s内透过率调控范围几乎没有发生衰减,在3600s后仍保持有初始的74.4%;而对照组在1200s后发生不可逆的性能衰减)。基于Z-MCECD的电致变色器件在彩色电致变色显示领域表现出相当大的应用潜力。 展开更多
关键词 电致变色 普鲁士蓝类似物 离子存储层 彩色
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多元氧化物电子薄膜材料的单胞生长模式与界面应力诱导效应的研究
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作者 李言荣 朱俊 +7 位作者 张鹰 李金隆 魏贤华 梁柱 张万里 吴传贵 刘兴钊 陶伯万 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第S1期577-593,共17页
多元氧化物薄膜,特别是ABO_3钙钛矿结构的薄膜由于有铁电、压电、热释电和超导等特性和在多功能电子器件上的广泛应用而成为电子功能材料研究的热点.该文利用激光分子束外延和磁控溅射等薄膜制备技术,采用反射式高能电子衍射(RHEED)对... 多元氧化物薄膜,特别是ABO_3钙钛矿结构的薄膜由于有铁电、压电、热释电和超导等特性和在多功能电子器件上的广泛应用而成为电子功能材料研究的热点.该文利用激光分子束外延和磁控溅射等薄膜制备技术,采用反射式高能电子衍射(RHEED)对薄膜的生长进行原位实时的检测分析,确定了在不同的工艺条件下氧化物薄膜的层状、层岛混合和岛状生长模式。优化了薄膜的生长条件,实现了对薄膜生长模式的有效控制,绘制出SrTiO_3、BaTiO_3等薄膜的生长模式图谱。测量计算了薄膜的表面活化能和沉积粒子在表面的有效扩散率,发现氧化物薄膜表面的生长运动单元具有活化能小、迁移时间长等重要特点,采用原子力显微镜(AFM)和掠入射XRD对层状生长薄膜的层厚结构进行了精细测量,提出了氧化物薄膜单胞生长动力学模型,即薄膜生长的主要单元是以B-O八面体为主体的单原胞基团.在此基础上,系统地研究了薄膜生长异质界面应力释放行为和对结构性能的影响,在小失配度、中等失配度和大失配度下体现出的不同生长规律,出现了在临界厚度下的相干外延、应变岛、双晶外延和近重位点阵等现象.最后,通过薄膜和衬底的失配度的选择来调整界面应力的影响,并通过工艺条件来诱导薄膜结构取向,如采用薄膜自外延技术和自缓冲层技术,有效地控制和大幅度改善了铁电薄膜、介电薄膜、超导薄膜和热释电薄膜的微结构和电磁性能。 展开更多
关键词 氧化物薄膜 外延生长 单胞 应力调控
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TaN薄膜在微波薄膜匹配负载器件中的应用
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作者 彭斌 蒋中东 +1 位作者 王磊 张万里 《微波学报》 CSCD 北大核心 2014年第S1期154-157,共4页
本文研究了Ta N薄膜在微波薄膜匹配负载器件中的应用。利用Ta N薄膜设计了工作频率为DC-18GHz,承受功率10W的匹配负载1,工作频率为DC-18GHz,承受功率60W的匹配负载2,以及工作频率为30-35GHz,承受功率为100W的高频高功率匹配负载3。采用... 本文研究了Ta N薄膜在微波薄膜匹配负载器件中的应用。利用Ta N薄膜设计了工作频率为DC-18GHz,承受功率10W的匹配负载1,工作频率为DC-18GHz,承受功率60W的匹配负载2,以及工作频率为30-35GHz,承受功率为100W的高频高功率匹配负载3。采用磁控溅射制备了Ta N电阻膜,采用掩膜图形化技术制备了所设计的薄膜匹配负载器件。测试结果表明,三款器件的电压驻波比在各自工作频率范围内均小于1.3,和仿真结果基本一致。同时对器件3测试了其功率负载能力,在加载功率100W,加载时间60分钟后,器件表面最高温度为107°C,匹配负载的电阻值变化了1.4%,表明所制备的负载器件具有良好的功率承载能力。 展开更多
关键词 微波匹配负载 TA N薄膜 电压驻波比 高频大功率
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氧化物功能薄膜器件的柔性化策略 被引量:2
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作者 王倩 高能 +4 位作者 张天垚 姚光 潘泰松 高敏 林媛 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期14-21,共8页
以可延展和可弯曲为特点的柔性电子器件因其在信息、医疗、能源等领域的巨大前景而受到众多研究者的广泛关注,成为近年来的研究热点。氧化物功能薄膜材料由于其丰富的电学/磁学/光学等性能及独特的多场耦合特性,成为物理学和材料学的重... 以可延展和可弯曲为特点的柔性电子器件因其在信息、医疗、能源等领域的巨大前景而受到众多研究者的广泛关注,成为近年来的研究热点。氧化物功能薄膜材料由于其丰富的电学/磁学/光学等性能及独特的多场耦合特性,成为物理学和材料学的重要研究对象,并被应用于各种电学/光学器件中。随着器件越来越多地应用于各种复杂曲面环境以及与人体或人体组织密切贴合,对氧化物薄膜器件可延展和可弯曲等柔性化的需求日益迫切。由于高质量氧化物薄膜的生长需要较高的温度,且对生长基底和薄膜之间的界面控制要求较高,因此,氧化物薄膜与可延展柔性基底的集成存在很大的挑战。将氧化物薄膜直接沉积在柔性金属箔片或高分子基底上,需要克服金属基底与薄膜界面控制困难或高分子基底对生长温度的耐受性差等困难。在刚性基底上沉积功能氧化物薄膜后,通过剥离、转印到可延展柔性基底上是一种解决方案。但其中的挑战在于如何可控地将薄膜完整地从生长基底剥离。针对这一挑战,发展了通过化学刻蚀牺牲层的化学转印技术和通过范德瓦尔斯外延或激光剥离的物理剥离方法。本文综述了近年来发展的氧化物薄膜器件柔性化的若干进展,归纳了以上几种主要的柔性化策略,包括在金属基底、高分子基底等柔性基底上直接生长和通过化学刻蚀和物理剥离转印等技术实现的柔性化,分析了几种柔性化策略的优势和局限性,总结了柔性氧化物薄膜器件制备中的挑战和机遇。 展开更多
关键词 金属氧化物 功能薄膜 柔性化策略 直接生长法 化学转印法 物理剥离法
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钽酸锂单晶薄膜的退火处理与微结构分析
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作者 杨杰 高艺卓 +3 位作者 朱代磊 帅垚 吴传贵 罗文博 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第4期545-549,共5页
离子注入剥离技术制备的钽酸锂单晶薄膜可用于高品质因数和低热漂移窄带射频滤波器,但高能离子注入使钽酸锂薄膜存在缺陷及晶格损伤,限制了器件性能的提升,无法充分发挥单晶薄膜的性能优势。使用退火工艺对钽酸锂薄膜进行损伤修复,采用... 离子注入剥离技术制备的钽酸锂单晶薄膜可用于高品质因数和低热漂移窄带射频滤波器,但高能离子注入使钽酸锂薄膜存在缺陷及晶格损伤,限制了器件性能的提升,无法充分发挥单晶薄膜的性能优势。使用退火工艺对钽酸锂薄膜进行损伤修复,采用拉曼光谱对不同温度退火的钽酸锂薄膜进行表征测试,分析了退火温度对钽酸锂薄膜成分和缺陷的影响。结果表明,退火处理修复了钽酸锂薄膜的锂空位缺陷,降低了钽酸锂薄膜的氧空位等成分偏析。 展开更多
关键词 钽酸锂单晶薄膜 退火处理 拉曼光谱 晶体缺陷 薄膜成分偏析
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原子层热电堆热流传感器的发展及其应用
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作者 杨凯 陈曦 +3 位作者 朱涛 陶伯万 赵睿鹏 王辉 《实验流体力学》 北大核心 2025年第2期1-14,共14页
高频脉动热流在高超声速边界层转捩、激波/边界层干扰等气动基础问题的实验研究中非常重要。当前,高频脉动热流测试主要依赖于原子层热电堆(Atomic Layer Thermopile,ALTP)热流传感器。采用金属有机化学气相沉积技术路线,在优化沉积环... 高频脉动热流在高超声速边界层转捩、激波/边界层干扰等气动基础问题的实验研究中非常重要。当前,高频脉动热流测试主要依赖于原子层热电堆(Atomic Layer Thermopile,ALTP)热流传感器。采用金属有机化学气相沉积技术路线,在优化沉积环境条件参数的基础上发展了性能更优的ALTP热流传感器。面向传感器小型化、耐高温、柔性等发展需求,通过导电膜连接将多条YBa_(2)Cu_(3)O_(7)-δ(YBCO)薄膜首尾串联,在保持传感器尺寸不变的同时提高灵敏度系数,为传感器小型化奠定了基础;通过替换常规ALTP热流传感器敏感元的热电材料体系,研制了基于La1-xCaxMnO_(3)(LCMO)的耐高温(超过500℃)ALTP热流传感器样件。针对LCMO的能量输运特点,采用半导体材料性能调控方法,以交替串联的方式延长敏感薄膜的有效长度,进而能在有限的传感器感应面上布置更多的敏感薄膜;以表面经特殊处理的金属薄带为基底替换斜切SrTiO_(3)晶片,发展了柔性ALTP热流传感器,便于开展高频脉动热流的密集点测试以及在复杂曲面等位置布放高频脉动热流测点。传感器应用方面,除在激波风洞等实验环境下开展高频脉动热流测试的应用外,针对薄膜热电阻和同轴热电偶标定环节多、测热结果不确定度偏高等问题,讨论了利用ALTP热流传感器在线标定的可行性;针对高超声速低密度风洞中的薄壁量热计、同轴热电偶和红外热图等测热方式易受噪声干扰、不确定度高以及有效时间短等问题,通过风洞实验验证了ALTP热流传感器在高超声速低密度风洞中长时间中低热流测试的可行性,弥补了现有测热手段的不足。 展开更多
关键词 原子层热电堆 热流 标定 柔性 耐高温 高频脉动
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聚苯胺/二氧化钛复合薄膜的制备及其气敏性能 被引量:13
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作者 太惠玲 蒋亚东 +2 位作者 谢光忠 杜晓松 陈璇 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第6期883-888,共6页
室温条件下,运用静电力自组装和原位化学氧化聚合相结合的方法制备了聚苯胺/纳米二氧化钛(PANI/TiO2)复合薄膜和聚苯胺(PANI)薄膜,并通过XPS和SEM对薄膜进行了分析表征.采用平面叉指电极式器件制备了PANI/TiO2复合薄膜和PANI薄膜气体传... 室温条件下,运用静电力自组装和原位化学氧化聚合相结合的方法制备了聚苯胺/纳米二氧化钛(PANI/TiO2)复合薄膜和聚苯胺(PANI)薄膜,并通过XPS和SEM对薄膜进行了分析表征.采用平面叉指电极式器件制备了PANI/TiO2复合薄膜和PANI薄膜气体传感器,研究了其在常温下对有毒气体NH3和CO的敏感性能.结果表明,PANI/TiO2复合薄膜较PANI薄膜具有更优的灵敏度和响应恢复特性. 展开更多
关键词 PANI/TiO2 复合薄膜 气体传感器 NH3 CO
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高效白色磷光有机电致发光器件 被引量:11
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作者 李璐 于军胜 +3 位作者 王军 娄双玲 蒋亚东 李伟 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1493-1497,共5页
采用真空热蒸镀方法以4,4′-bis(carbazol-9-yl)biphenyl(CBP)为主体材料、以bis[2-(4-tert-butylphenyl)benzothiazolato-N,C2′]iridium(acetylacetonate)[(t-bt)2Ir(acac)]磷光染料为掺杂剂构成黄色发光层,制备了高效白光的有机电致... 采用真空热蒸镀方法以4,4′-bis(carbazol-9-yl)biphenyl(CBP)为主体材料、以bis[2-(4-tert-butylphenyl)benzothiazolato-N,C2′]iridium(acetylacetonate)[(t-bt)2Ir(acac)]磷光染料为掺杂剂构成黄色发光层,制备了高效白光的有机电致发光器件(OLEDs).OLEDs的器件结构为indium tin oxide(ITO)/N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-biphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine(NPB)/CBP:(t-bt)2Ir(acac)/NPB/2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(BCP)/8-hydroxyquinoline aluminum(Alq3)/Mg∶Ag,从ITO阳极开始的第一层NPB为空穴传输层,第二层超薄的NPB为蓝色发光层,BCP为空穴阻挡层和激子阻挡层,Alq3为电子传输层.结果表明,器件电压在3V启亮,在16.5V时,器件的最高亮度达到15460cd·m-2;在4V时,器件达到最大流明效率为7.5lm·W-1,器件启亮后所发出的白光光谱在低电压时随电压变化有稍微的移动,但是都在白光范围内变化.在电压达到8V后Commission Internationale de l′Eclairage(国际照明委员会)(CIE)色坐标为(0.33,0.32),并且光谱及色坐标稳定,不随电压变化而改变,与最佳的白光坐标(0.33,0.33)几乎重合.同时,从机理上解释了光谱移动和效率衰减的原因,并探讨了载流子陷阱和能量传递的关系. 展开更多
关键词 有机电致发光 白色发光 磷光 铱配合物 载流子陷阱 能量传递
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宽禁带功率半导体器件技术 被引量:23
15
作者 张波 邓小川 +1 位作者 陈万军 李肇基 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期618-623,共6页
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。... 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。该文总结了宽禁带SiC和GaN功率半导体器件研发的最新进展,包括各种功率二极管和功率晶体管。同时对宽禁带SiC和GaN功率半导体器件发展所面临的市场和技术挑战进行了分析与概述,并对其发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 氮化镓 功率器件 碳化硅 宽禁带半导体
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氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜稳定性的研究进展 被引量:12
16
作者 廖乃镘 李伟 +3 位作者 蒋亚东 匡跃军 李世彬 吴志明 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期21-24,共4页
氢化非晶硅(a-Si∶H)是一种重要的光敏感薄膜材料,其稳定性的好坏是决定能否应用于器件的重要因素之一。介绍了a-Si∶H薄膜稳定性的研究进展,论述了a-Si∶H薄膜的稳定性与Si-Si弱键的关系,分析了光致衰退效应(S-W效应)产生的几种机理,... 氢化非晶硅(a-Si∶H)是一种重要的光敏感薄膜材料,其稳定性的好坏是决定能否应用于器件的重要因素之一。介绍了a-Si∶H薄膜稳定性的研究进展,论述了a-Si∶H薄膜的稳定性与Si-Si弱键的关系,分析了光致衰退效应(S-W效应)产生的几种机理,提出了在薄膜制备和后处理过程中消除或减少Si-Si弱键以提高a-Si∶H薄膜稳定性的方法。 展开更多
关键词 氢化非晶硅 稳定性 光致衰退效应 物理模型 稳定化处理
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用于N77频段的高优值S_(0)兰姆波声表面波谐振器仿真与制备
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作者 蔡乔 帅垚 +3 位作者 彭斌 吴传贵 潘忻强 张万里 《压电与声光》 北大核心 2025年第2期209-214,共6页
N77频段对声表面波滤波器提出了大带宽、低损耗等要求,但使用低声速声学模态以及单层功能层衬底结构的谐振器无法同时实现高频、宽带的目标,因此提出了基于X-37°Y铌酸锂薄膜与SiO_(2)/Ta_(2)O_(5)布喇格反射层设计,并制备了固态装... N77频段对声表面波滤波器提出了大带宽、低损耗等要求,但使用低声速声学模态以及单层功能层衬底结构的谐振器无法同时实现高频、宽带的目标,因此提出了基于X-37°Y铌酸锂薄膜与SiO_(2)/Ta_(2)O_(5)布喇格反射层设计,并制备了固态装配型的声表面波谐振器。首先确定谐振器的工作模态为高相速度S_(0)兰姆波,通过仿真各层薄膜厚度对器件性能的影响,确定了谐振器中各层薄膜材料的厚度;然后基于该器件结构参数,针对N77频段制备了一组电极周期为1.40~1.86μm的谐振器并对其性能进行测试。结果表明,实测结果与仿真基本一致,实测谐振器具有大机电耦合系数(k^(2)>22%)和高品质因子(Q_(max)>900)的特性,且优值因子超过200,性能优于采用同种声学模式的其他谐振器,有望应用于N77等5G频段的滤波器。 展开更多
关键词 S_(0)兰姆波 声表面波谐振器 布喇格反射层 N77频段 高优值因子
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X切LNOI谐振器的横模抑制方法研究
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作者 王浩东 帅垚 +3 位作者 吴传贵 彭斌 潘忻强 张万里 《压电与声光》 北大核心 2025年第3期474-478,共5页
研究了基于X切LNOI(LiNbO_(3)on Insulator)衬底的声表面波谐振器。在保持谐振器品质因数(Q)值不变的情况下,采用电极假指长度加权的方法来抑制横向模态。设计并制备了不同结构的加权电极结构谐振器,系统地探讨了电极加权周期及幅值对... 研究了基于X切LNOI(LiNbO_(3)on Insulator)衬底的声表面波谐振器。在保持谐振器品质因数(Q)值不变的情况下,采用电极假指长度加权的方法来抑制横向模态。设计并制备了不同结构的加权电极结构谐振器,系统地探讨了电极加权周期及幅值对横向模态的影响规律。通过对比分析,确定了在频率2.5 GHz下X切LNOI结构的最佳加权电极结构。实验结果表明,调整加权电极的设计可以有效抑制因X切LN(LiNbO_(3))材料引发的横向模态,进而优化谐振器的性能。 展开更多
关键词 LNOI 声表面波 机电耦合系数 横向模态抑制 加权电极
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PVDF薄膜的极化及其电性能研究 被引量:13
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作者 叶芸 郭太良 +1 位作者 蒋亚东 黎威智 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期463-466,共4页
利用傅里叶红外光谱(FTIR)、示差扫描量热分析(DSC)、电滞回线和漏电流的分析,研究热极化和电晕极化对PVDF薄膜电性能的影响。结果表明,热极化和电晕极化都可以提高PVDF薄膜的铁电性能,但是不同的极化温度、极化电场强度和极化时间使得P... 利用傅里叶红外光谱(FTIR)、示差扫描量热分析(DSC)、电滞回线和漏电流的分析,研究热极化和电晕极化对PVDF薄膜电性能的影响。结果表明,热极化和电晕极化都可以提高PVDF薄膜的铁电性能,但是不同的极化温度、极化电场强度和极化时间使得PVDF薄膜具有不同的漏电流性能。在强电场作用下,热极化的温度更高,时间更长,偶极电荷的沿电场取向更完全,晶型向晶型的转变更彻底,因此剩余极化值、结晶度和晶型的含量均高于电晕极化后的薄膜。热极化中注入的空间电荷主要被PVDF的深阱俘获;而电晕极化过程中大量的空间电荷被聚合物材料的浅阱俘获。浅阱俘获的空间电荷稳定性要弱于深阱中的电荷,因此电晕极化的PVDF薄膜的漏电流需要更长的稳定时间。 展开更多
关键词 电晕极化 铁电性能 漏电流 PVDF薄膜 热极化
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衬底温度对用RF-PECVD法制备的非晶硅薄膜光学性能影响 被引量:8
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作者 李世彬 吴志明 +3 位作者 朱魁鹏 蒋亚东 李伟 廖乃镘 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1252-1256,共5页
采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)工艺制备非晶硅(a-Si:H)薄膜,KBr衬底在175-275℃范围内变化,用傅立叶红外光谱仪(FTIR)测试KBr衬底上的薄膜红外光谱峰随衬底温度的变化情况,结合红外光谱峰的理论分析确定薄膜中氢含量随衬底... 采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)工艺制备非晶硅(a-Si:H)薄膜,KBr衬底在175-275℃范围内变化,用傅立叶红外光谱仪(FTIR)测试KBr衬底上的薄膜红外光谱峰随衬底温度的变化情况,结合红外光谱峰的理论分析确定薄膜中氢含量随衬底温度的变化规律.光谱式椭圆偏振仪中用ForouhiBloomer(FB)模型拟合得到薄膜的折射率(n),消光系数(k),膜厚及光学禁带宽度(Eg),并用扫描电镜(SEM)断面分析对椭偏仪测试结果的准确性进行验证.根据Tauc公式推出薄膜的Eg和截止波长,并和FB模型得到的结果进行了比较,Eg(FB)和Eg(Tauc)的差值在0.015eV内. 展开更多
关键词 非晶硅 光学常数 光学禁带 傅立叶红外光谱 薄膜
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