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电流模式开关电源中电流检测电路的分析与设计 被引量:1
1
作者 俞德军 赵卉 张波 《中国集成电路》 2005年第11期42-45,共4页
电流检测电路是功率集成电路中重要的功能模块。通常采用的方法是在所要检测电流的支路加入一个小电阻,通过采样电阻上的压降来反映支路上的电流,或是利用MOS管的漏源电压的变化来采样流过该管的电流。前者将会增加一个额外的功率损耗,... 电流检测电路是功率集成电路中重要的功能模块。通常采用的方法是在所要检测电流的支路加入一个小电阻,通过采样电阻上的压降来反映支路上的电流,或是利用MOS管的漏源电压的变化来采样流过该管的电流。前者将会增加一个额外的功率损耗,而后者由于温度等的变化会导致电流检测精度的降低。本文设计了一种新型无额外功率损耗的高精度电流检测电路,克服了传统电流检测技术中增加额外功率损耗和精度较低的缺点。 展开更多
关键词 电流检测电路 分析与设计 开关电源 电流模式 功率集成电路 功率损耗 采样电阻 检测精度 功能模块
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电阻场板LDMOS表面电场解析模型及优化设计 被引量:1
2
作者 李琦 李肇基 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期185-189,共5页
提出具有电阻场板(Resistive field plate,RFP)硅基LDMOS表面电场和击穿电压解析模型。基于求解二维Poisson方程,此模型给出了二维表面电场和电势与器件结构参数和漏偏压关系的解析表达式;计算漂移区长度与击穿电压的关系,提出了一种优... 提出具有电阻场板(Resistive field plate,RFP)硅基LDMOS表面电场和击穿电压解析模型。基于求解二维Poisson方程,此模型给出了二维表面电场和电势与器件结构参数和漏偏压关系的解析表达式;计算漂移区长度与击穿电压的关系,提出了一种优化高压器件的有效方法。解析结果与用MEDICI模拟的数值结果吻合较好,验证了模型的准确性,该模型可用于体硅RFPLDMOS的设计优化。 展开更多
关键词 电阻场板 表面电场 击穿电压 模型
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一种低电压CMOS带隙基准源的分析与设计 被引量:2
3
作者 杨永豪 《电子科技》 2005年第12期20-23,共4页
分析了一种无需低阈值电压器件的低压CMOS带隙基准源结构,通过具体电路分析和设计验证了该结构相比于传统的基准源结构可以大大降低电源电压。基于0.5um商用标准CMOS工艺,使用Hspice仿真该电路得到结果为:最低电源电压为1.45V、输出基... 分析了一种无需低阈值电压器件的低压CMOS带隙基准源结构,通过具体电路分析和设计验证了该结构相比于传统的基准源结构可以大大降低电源电压。基于0.5um商用标准CMOS工艺,使用Hspice仿真该电路得到结果为:最低电源电压为1.45V、输出基准电压604mV、温漂12PPM/℃。 展开更多
关键词 CMOS带隙基准 温度系数 低电压 PTAT电流
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DPA-Switch系列功率IC的原理与应用
4
作者 李强 张波 《中国集成电路》 2004年第6期73-77,共5页
DPA-Switch系列功率IC采用脉宽调制(PWM)和跳周期调制(PSM)相结合的新型调制方式来调节输出电压,并具有外部可编程、外部时钟同步、远程通断、低功耗和高效率等突出优点。本文根据DPA-Switch系列功率IC的工作原理进行功能分析并给出其... DPA-Switch系列功率IC采用脉宽调制(PWM)和跳周期调制(PSM)相结合的新型调制方式来调节输出电压,并具有外部可编程、外部时钟同步、远程通断、低功耗和高效率等突出优点。本文根据DPA-Switch系列功率IC的工作原理进行功能分析并给出其典型应用。 展开更多
关键词 DPA-Switch系列 功率集成电路 脉宽调制 跳周期调制 低功耗 远程通断
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一种自偏置电流CMOS基准源的分析与设计 被引量:2
5
作者 张超 罗萍 杨永豪 《电子科技》 2006年第5期31-33,共3页
采用了一种结构新颖的CMOS基准源结构,该电路结构利用带隙基准结构产生的高精度PTAT电流作为内部OPAMP的自偏置电流,从而省去了PTAT电流产生电路,使芯片面积更小,基准电流更加接近理想的PTAT电流。该电路结构产生的带隙基准电压温漂达到... 采用了一种结构新颖的CMOS基准源结构,该电路结构利用带隙基准结构产生的高精度PTAT电流作为内部OPAMP的自偏置电流,从而省去了PTAT电流产生电路,使芯片面积更小,基准电流更加接近理想的PTAT电流。该电路结构产生的带隙基准电压温漂达到18.8PPM/℃,PTAT电流几乎与电源电压无关。 展开更多
关键词 自偏置电流 带隙基准电压 PTAT基准电流 运算放大器 温度系数
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基于电荷泵的高效白光LED驱动电路设计 被引量:4
6
作者 景卫兵 王宇华 张波 《中国集成电路》 2005年第6期48-51,共4页
本文设计了一种基于1X/1.5X电荷泵的高效白光LED驱动电路。该电路根据负载调整电荷泵的工作模式,使其尽可能地工作在高效率的1X模式下,进而提高驱动电路的输出效率。理论分析和仿真结果表明,在一定电压输入范围内这种驱动电路比固定工... 本文设计了一种基于1X/1.5X电荷泵的高效白光LED驱动电路。该电路根据负载调整电荷泵的工作模式,使其尽可能地工作在高效率的1X模式下,进而提高驱动电路的输出效率。理论分析和仿真结果表明,在一定电压输入范围内这种驱动电路比固定工作模式的驱动电路,其输出效率提高了25%左右。 展开更多
关键词 白光LED 驱动电路设计 电荷泵 工作模式 输出效率 负载调整 仿真结果 输入范围 高效率 定电压
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一种具有高稳定跨导的OTA设计 被引量:3
7
作者 刘志峰 张波 李肇基 《中国集成电路》 2006年第5期36-39,50,共5页
本文设计了一种具有高稳定跨导的运算跨导放大器(OTA)模块,并将其与经典的双极型OTA的跨导稳定性作了对比分析。在分析中,本文引入并使用了跨导的相对温度系数、跨导对电源电压的敏感度、跨导特性改善因子三项指标。三项指标的分析表明... 本文设计了一种具有高稳定跨导的运算跨导放大器(OTA)模块,并将其与经典的双极型OTA的跨导稳定性作了对比分析。在分析中,本文引入并使用了跨导的相对温度系数、跨导对电源电压的敏感度、跨导特性改善因子三项指标。三项指标的分析表明,改进的OTA的跨导在稳定性方面比经典的双极型OTA具有更好的性能。经过仿真验证,所设计的OTA具有很高的跨导稳定性。 展开更多
关键词 运算跨导放大器 OTA 高稳定 设计 稳定性 温度系数 电源电压 改善因子 仿真验证 双极型
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一种宽带运放的设计及恒定跨导电路稳定性分析
8
作者 魏汝新 魏福立 李肇基 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期66-70,共5页
介绍了一种宽带CMOS运算放大器的设计,通过对其S域传输函数的分析,设计合理的补偿办法,分析了影响电路传输函数的因素,在各种条件下研究了电路偏置的稳定性,最后得到了一种比较理想的实用偏置结构,从而极大地改善了电路的稳定性。
关键词 运算放大器 频率补偿 稳定性 恒定跨导
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Boost变换器跨周期调制(PSM)的状态空间平均模型 被引量:8
9
作者 牛全民 罗萍 +1 位作者 李肇基 张波 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2006年第10期1955-1958,共4页
基于Boost变换器,利用状态空间平均法对跨周调制(PulseSkippingModulation,PSM)进行建模和特性分析,推导出电感电流连续(CCM)和电感电流断续(DCM)时系统变压比,调制度M与负载的关系及系统转换效率的理想化公式,得到PSM具有轻载下高转换... 基于Boost变换器,利用状态空间平均法对跨周调制(PulseSkippingModulation,PSM)进行建模和特性分析,推导出电感电流连续(CCM)和电感电流断续(DCM)时系统变压比,调制度M与负载的关系及系统转换效率的理想化公式,得到PSM具有轻载下高转换效率的结论,并设计具有PSM调制特性的控制电路,给出仿真结果。 展开更多
关键词 BOOST变换器 跨周调制(PSM) 调制度 状态空间平均方程
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一个1.2V,9ppm/℃的CMOS带隙电压基准源 被引量:5
10
作者 钟昌贤 张波 +1 位作者 周浩 卢杨 《现代电子技术》 2006年第16期120-122,125,共4页
基于传统CMOS带隙电压基准源电路的分析,结合曲率补偿技术设计了一种带衬底驱动运算放大器的低电源电压的电压基准源电路,主体电路采用电流模式基准源结构,并结合所采用的衬底驱动运放作为基准源的负反馈运放。整个电路采用0.5ym标准... 基于传统CMOS带隙电压基准源电路的分析,结合曲率补偿技术设计了一种带衬底驱动运算放大器的低电源电压的电压基准源电路,主体电路采用电流模式基准源结构,并结合所采用的衬底驱动运放作为基准源的负反馈运放。整个电路采用0.5ym标准CMOS工艺实现,在电源电压1.2V的条件下用HSpice进行仿真,仿真结果表明输出基准电压在-40-120℃范围内温度系数为9ppm/℃。 展开更多
关键词 CMOS衬底驱动 低压 曲率补偿 电压基准源
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界面电荷耐压模型:SOI高压器件纵向耐压新理论 被引量:2
11
作者 郭宇锋 张波 +2 位作者 方健 杨舰 李肇基 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期11-15,共5页
基于求解二维Po isson方程,分析了具有埋氧层界面电荷的SO I结构纵向击穿特性,提出了界面电荷耐压模型。该模型通过埋氧层界面电荷来调制硅层和埋氧层电场,获得极高击穿电压。进一步提出临界界面电荷面密度概念,给出其工程化应用的近似... 基于求解二维Po isson方程,分析了具有埋氧层界面电荷的SO I结构纵向击穿特性,提出了界面电荷耐压模型。该模型通过埋氧层界面电荷来调制硅层和埋氧层电场,获得极高击穿电压。进一步提出临界界面电荷面密度概念,给出其工程化应用的近似公式。并对文献中的不同结构SO I器件的纵向耐压进行计算。解析结果和试验结果或M ED IC I仿真结果吻合良好。 展开更多
关键词 绝缘体上硅 界面电荷 击穿电压
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薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF耐压模型 被引量:2
12
作者 李琦 李肇基 张波 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期1-5,共5页
提出薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF结构的耐压解析模型。借助求解二维Po isson方程,获得薄外延阶梯掺杂漂移区的二维表面电场和击穿电压的解析表达式。基于此耐压模型研究了不同阶梯漂移区数(n=1、2、3、5)的击穿特性,计算了击穿电压与结... 提出薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF结构的耐压解析模型。借助求解二维Po isson方程,获得薄外延阶梯掺杂漂移区的二维表面电场和击穿电压的解析表达式。基于此耐压模型研究了不同阶梯漂移区数(n=1、2、3、5)的击穿特性,计算了击穿电压与结构参数的关系,其解析结果与数值结果吻合较好。在相同长度下,阶梯掺杂漂移区结构(n=3)击穿电压由均匀漂移区(n=1)的200 V提高到250 V,增加25%。该模型可用于薄外延阶梯掺杂和线性掺杂漂移区RESURF器件的设计优化。 展开更多
关键词 薄外延 阶梯掺杂 降低表面电场 击穿电压 解析模型
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薄外延层RESURF LDMOS完全耐压模型 被引量:2
13
作者 李琦 张波 李肇基 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期540-544,共5页
提出硅基薄外延RESURF LDMOS不全耗尽和完全耗尽的完全耐压模型。基于求解二维Poisson方程,获得该结构二维表面电场和击穿电压的完整解析表达式。借助此模型研究击穿电压与器件结构参数、外延层掺杂浓度和衬底掺杂浓度的关系;在满足最... 提出硅基薄外延RESURF LDMOS不全耗尽和完全耗尽的完全耐压模型。基于求解二维Poisson方程,获得该结构二维表面电场和击穿电压的完整解析表达式。借助此模型研究击穿电压与器件结构参数、外延层掺杂浓度和衬底掺杂浓度的关系;在满足最优表面电场和完全耗尽条件下,得到器件优化的RESURF判据。解析结果、MEDICI数值结果和实验结果吻合较好,验证了模型的准确性。 展开更多
关键词 薄外延 完全 击穿电压 模型
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Power MOSFET栅电荷分析及结构改进 被引量:7
14
作者 衡草飞 向军利 +2 位作者 李肇基 张波 罗萍 《电子质量》 2004年第9期59-61,80,共4页
本文从驱动电路设计者的角度对MOS器件的输入电容和密勒电容进行了详细分析,并从器件基本原 理上,对决定栅电荷的寄生元件在不同的栅电压下对栅电荷的作用进行了系统的阐述。最后总结了当前国际 上为降低栅电荷提出的最新MOS器件结构。
关键词 MOS器件 MOSFET 驱动电路 元件 电容 电荷分析 电压 基本原理 降低 角度
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0.8μm PD SOI MOS器件研究 被引量:1
15
作者 肖志强 洪根深 张波 《电子与封装》 2005年第6期35-39,共5页
本文重点介绍了0.8μm PD SOI MOS器件的结构、KINK效应、热载流子效应和自加热效应等,并对这些特性从物理机理上进行了简要的阐述。
关键词 PD SOI KINK效应 热载流子效应 自加热效应
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大输出摆幅的多级功率放大器及其频率补偿
16
作者 孙江 叶鹏 张波 《中国集成电路》 2005年第7期39-42,共4页
本文对平衡传输(BTL)功率驱动电路中功率放大器的输出级进行了改进设计,输出摆幅明显改善,在5V的电源电压下,功率放大器的输出摆幅提高了23%。因该功率放大器是多级的,通常驱动的是电感负载,频率补偿时本文采用网巢密勒补偿(NMC)和简单... 本文对平衡传输(BTL)功率驱动电路中功率放大器的输出级进行了改进设计,输出摆幅明显改善,在5V的电源电压下,功率放大器的输出摆幅提高了23%。因该功率放大器是多级的,通常驱动的是电感负载,频率补偿时本文采用网巢密勒补偿(NMC)和简单密勒补偿相结合的方式。在总补偿电容为7pF及0.6μm的BCD工艺条件下,得到了大于95dB的增益值,大于70度的相位裕度,大于2MHZ的增益带宽和0.43V输出摆幅下限。 展开更多
关键词 大输出摆幅 多级功率放大器 频率补偿 平衡传输 网巢密勒补偿
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一种双通道USB限流开关电路 被引量:1
17
作者 潘高 张波 李肇基 《现代电子技术》 2004年第22期13-16,共4页
介绍了一种双通道 USB限流开关 ,通过软启动电路能有效的减小热插拔过程中产生的巨大尖峰电流。并针对USB系统工作时可能出现的意外情况 ,通过限流开关内部电路实现过流检测、过流保护、欠压锁定和过热保护功能。理论分析和仿真结果表... 介绍了一种双通道 USB限流开关 ,通过软启动电路能有效的减小热插拔过程中产生的巨大尖峰电流。并针对USB系统工作时可能出现的意外情况 ,通过限流开关内部电路实现过流检测、过流保护、欠压锁定和过热保护功能。理论分析和仿真结果表明 ,整个设计获得预期的结果。 展开更多
关键词 USB限流开关 软启动 过流保护 欠压锁定 过热保护
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一种高效率开关频率自适应电荷泵
18
作者 曹亮 卢世勇 +1 位作者 张波 李肇基 《中国集成电路》 2004年第8期27-30,共4页
本文提出了一种新型开关频率自适应电荷泵,它通过自动调节电荷泵开关频率,降低了芯片静态电流。与传统的固定开关频率线性控制电荷泵相比,开关频率自适应电荷泵具有更低的静态电流,更高的转换效率,稍高的输出纹波。特别是在电荷泵工作... 本文提出了一种新型开关频率自适应电荷泵,它通过自动调节电荷泵开关频率,降低了芯片静态电流。与传统的固定开关频率线性控制电荷泵相比,开关频率自适应电荷泵具有更低的静态电流,更高的转换效率,稍高的输出纹波。特别是在电荷泵工作于轻负载时,其转换效率提升非常显著。理论分析和仿真结果表明在轻负载情况下,开关频率自适应电荷泵的效率比固定开关频率线性控制电荷泵效率提高了10%~40%。 展开更多
关键词 电荷泵 开关频率 自适应 轻负载 静态电流 转换效率 高效率 线性控制 纹波 节电
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具有安全保护的高性能电荷泵
19
作者 曹亮 张波 李肇基 《电子工程师》 2004年第9期14-16,共3页
设计了一种能有效控制电流过冲与输出短路电流的高性能电荷泵稳压器 ,它通过改变误差放大器输出来控制电荷泵开关管电流 ,使得电荷泵在启动阶段具有输出短路控制 ,在正常工作时能够有效抑制电流过冲。理论分析和仿真结果表明 ,采用此结... 设计了一种能有效控制电流过冲与输出短路电流的高性能电荷泵稳压器 ,它通过改变误差放大器输出来控制电荷泵开关管电流 ,使得电荷泵在启动阶段具有输出短路控制 ,在正常工作时能够有效抑制电流过冲。理论分析和仿真结果表明 ,采用此结构的电荷泵稳压器输出短路电流最大值为 110mA ,远小于电荷泵正常工作时开关充电电流 5 0 0mA。 展开更多
关键词 电荷泵稳压器 安全保护 电流过冲 输出短路
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