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题名非晶氧化镓基日盲紫外探测器的研究进展
被引量：4
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作者
肖演
杨斯铄
程凌云
周游
钱凌轩
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机构
电子科技大学集成电路科学与工程学院(示范性微电子学院)/电子薄膜与集成器件全国重点实验室
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出处
《光电工程》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第6期1-20,共20页
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基金
国家自然科学基金面上项目(62174025)。
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文摘
日盲紫外探测在空间安全通信、臭氧空洞监测、导弹来袭告警等民用与军事领域有着广阔的应用场景和特定的市场价值。氧化镓(Ga_(2)O_(3))具有超宽的带隙(4.4~5.3 eV),几乎覆盖整个日盲波段,被认为是构筑日盲紫外探测器的理想材料之一。相较于单晶和外延氧化镓材料,非晶氧化镓(a-Ga_(2)O_(3))的制备温度更低,工艺相对简单,且衬底的适用范围更广,因此近些年成为Ga_(2)O_(3)基日盲紫外探测领域新的研究热点。本文旨在对a-Ga_(2)O_(3)基日盲紫外探测器的研究进展与现状进行介绍。首先介绍了a-Ga_(2)O_(3)的基本特性以及几种常见的制备方法,进而介绍了各种适用的器件类型、结构及性能。目前,a-Ga_(2)O_(3)基日盲紫外探测器主要分为MSM型、结型、TFT型和阵列型等几大类,通过器件结构优化,进一步提升探测性能。其中,MSM型器件结构简单,响应度高,应用最为广泛;结型器件通过构建肖特基结和异质结等,具有响应速度快、暗电流低和自供电的特点;TFT型器件能够在抑制暗电流的同时放大增益,且可以通过施加栅压脉冲来提升响应速度;阵列型器件主要用于大面积成像。最后,本文对a-Ga_(2)O_(3)日盲紫外探测器未来的发展趋势进行了总结和展望。
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关键词
非晶氧化镓
光电探测器
光电晶体管
薄膜晶体管探测
日盲紫外
超宽禁带半导体
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Keywords
amorphous gallium oxide
photodetector
phototransistor
thin film transistor
solar-blind ultraviolet photodetection
ultra wide band-gap semiconductor
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分类号
TN23
[电子电信—物理电子学]
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