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基于磁性传感器的低失调温度补偿接口电路设计被引量：1: 1; 作者樊华常伟鹏 +5 位作者王策李国刘建明李宗霖魏琦冯全源《电子与信息学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期1521-1528,共8页; 面向磁性传感器在物联网(IoT)技术中的广泛应用,该文基于180 nm CMOS工艺设计了一种具有低失调电压,低温度漂移特性的霍尔传感器接口电路。针对霍尔传感器灵敏度的温度漂移特性,该文设计了一种感温电路并与查表法相结合,调节可编程增益... 展开更多; 关键词霍尔传感器接口电路温度补偿低失调电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种高PSRR低压差线性稳压器电路被引量：3: 2; 作者黄立朝丁宁 +4 位作者沈泊言余文中樊华曾泳钦冯全源《电子与封装》 2024年第4期56-62,共7页; 通过对低压差线性稳压器(LDO)的电源抑制比(PSRR)进行理论分析得出,功率管栅极电压与LDO输入电压的小信号比值越接近1,PSRR就越高。基于此理论,在传统LDO的基础上增加了1种新结构,将二极管连接形式的MOS管与共源共栅结构串联,使功率管... 展开更多; 关键词模拟集成电路电源管理模拟LDO 电源抑制比; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于位串行卷积神经网络加速器的运动想象脑电信号识别系统: 3; 作者程筱舒王忆文 +2 位作者娄鸿飞丁玮然李平《电子科技大学学报》北大核心 2025年第3期321-332,共12页; 准确识别运动想象脑电信号是神经科学和生物医学工程领域的重要挑战。设计了基于位串行卷积神经网络加速器的脑电信号识别系统,充分利用其小体积、低能耗和高实时性的优势。从软件层面,介绍了脑电数据的预处理、特征提取及分类过程,并... 展开更多; 关键词脑机接口运动想象卷积神经网络硬件加速器格拉姆角场; 在线阅读下载PDF 职称材料

内嵌NPN结构的高维持电压可控硅器件: 4; 作者陈泓全齐钊 +2 位作者王卓赵菲乔明《电子与封装》 2024年第7期75-79,共5页; 针对传统可控硅(SCR)器件触发电压高、维持电压低、闩锁风险大等问题,提出了一种内嵌NPN结构的高维持电压SCR器件。维持电压由传统器件的1.2 V增大到10.3 V。与传统结构相比,该新型SCR结构体内存在2条电流路径,通过嵌入的NPN电流路径延... 展开更多; 关键词内嵌NPN结构静电放电维持电压 SCR; 在线阅读下载PDF 职称材料

非晶氧化镓基日盲紫外探测器的研究进展被引量：3: 5; 作者肖演杨斯铄 +2 位作者程凌云周游钱凌轩《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期1-20,共20页; 日盲紫外探测在空间安全通信、臭氧空洞监测、导弹来袭告警等民用与军事领域有着广阔的应用场景和特定的市场价值。氧化镓(Ga_(2)O_(3))具有超宽的带隙(4.4~5.3 eV),几乎覆盖整个日盲波段,被认为是构筑日盲紫外探测器的理想材料之一。... 展开更多; 关键词非晶氧化镓光电探测器光电晶体管薄膜晶体管探测日盲紫外超宽禁带半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于磁性传感器的低失调温度补偿接口电路设计被引量：1: 1; 作者樊华常伟鹏王策李国刘建明李宗霖魏琦冯全源; 机构电子科技大学重庆微电子产业技术研究院电子科技大学集成电路科学与工程学院(示范性微电子学院) 电子科技大学广东电子信息工程研究院成都华微电子科技股份有限公司清华大学精密仪器系西南交通大学信息科学与技术学院; 出处《电子与信息学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期1521-1528,共8页; 基金国家自然科学基金(62371109,62090012) 重庆市自然科学基金(2022NSCQ-MSX5348) +2 种基金四川省科技计划(2022YFG0164)。; 文摘面向磁性传感器在物联网(IoT)技术中的广泛应用,该文基于180 nm CMOS工艺设计了一种具有低失调电压,低温度漂移特性的霍尔传感器接口电路。针对霍尔传感器灵敏度的温度漂移特性,该文设计了一种感温电路并与查表法相结合,调节可编程增益放大器(PGA)的增益有效地降低了霍尔传感器的温度系数(TC)。在此基础上,通过在信号主通路中使用相关双采样(CDS)技术,极大程度上消除了霍尔传感器的失调电压。仿真结果表明,在–40°C~125°C温度范围内,霍尔传感器的TC从966.4 ppm/°C减小到了58.1 ppm/°C。信号主通路的流片结果表明,霍尔传感器的失调电压从25 mV左右减小到了4 mV左右,霍尔传感器的非线性误差为0.50%。芯片的总面积为0.69 mm^(2)。; 关键词霍尔传感器接口电路温度补偿低失调电压; Keywords Hall sensor Readout interface circuit Temperature compensation Low offset voltage; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种高PSRR低压差线性稳压器电路被引量：3: 2; 作者黄立朝丁宁沈泊言余文中樊华曾泳钦冯全源; 机构中国电子科技集团公司第五十八研究所电子科技大学重庆微电子产业技术研究院电子科技大学广东电子信息工程研究院电子科技大学集成电路科学与工程学院(示范性微电子学院) 西南交通大学信息科学与技术学院; 出处《电子与封装》 2024年第4期56-62,共7页; 基金国家自然科学基金面上项目(62371109) 国家自然科学基金重大项目(62090012) 重庆市自然科学基金面上项目(2022NSCQ-MSX5348)。; 文摘通过对低压差线性稳压器(LDO)的电源抑制比(PSRR)进行理论分析得出,功率管栅极电压与LDO输入电压的小信号比值越接近1,PSRR就越高。基于此理论,在传统LDO的基础上增加了1种新结构,将二极管连接形式的MOS管与共源共栅结构串联,使功率管栅极电压与LDO输入电压的小信号比值接近1。随后,对该结构进行了理论分析,分析结果表明相比其他的PSRR提升技术,具有该结构的LDO其PSRR不会随着负载电流的增加而发生较大变化。LDO改进前和改进后PSRR的绝对值分别为65 dB和76 dB;改进后的结构在不同的负载电流下均具有较高的PSRR。相比体驱动前馈以及增加电荷泵将电源回路与LDO主体电路隔离等PSRR提升技术,该方法仅在传统LDO上增加了3个MOS管,减小了电路的功耗和面积。; 关键词模拟集成电路电源管理模拟LDO 电源抑制比; Keywords analog IC power management analog LDO PSRR; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于位串行卷积神经网络加速器的运动想象脑电信号识别系统: 3; 作者程筱舒王忆文娄鸿飞丁玮然李平; 机构电子科技大学集成电路科学与工程学院(示范性微电子学院); 出处《电子科技大学学报》北大核心 2025年第3期321-332,共12页; 文摘准确识别运动想象脑电信号是神经科学和生物医学工程领域的重要挑战。设计了基于位串行卷积神经网络加速器的脑电信号识别系统,充分利用其小体积、低能耗和高实时性的优势。从软件层面,介绍了脑电数据的预处理、特征提取及分类过程,并采用格拉姆角场转换将一维信号映射为二维特征图供网络处理。在硬件层面,提出了列暂存数据流和固定乘数原位串行乘法器等方法,在FPGA上实现了位串行卷积神经网络加速器的原型验证。实验表明,基于位串行LeNet-5加速器的FPGA实现对BCI竞赛Ⅳ数据集2a和2b的分类平均准确率分别达到95.68%和97.32%,kappa值分别为0.942和0.946,展现出的优异性为运动想象脑电信号识别的高效实现提供了思路。; 关键词脑机接口运动想象卷积神经网络硬件加速器格拉姆角场; Keywords brain computer interface motor imagery convolutional neural network hardware accelerator Gramian angular field; 分类号 TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名内嵌NPN结构的高维持电压可控硅器件: 4; 作者陈泓全齐钊王卓赵菲乔明; 机构电子科技大学集成电路科学与工程学院(示范性微电子学院) 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院电子科技大学广东电子信息工程研究院; 出处《电子与封装》 2024年第7期75-79,共5页; 基金四川省重点研发项目(2022YFG0165) 航空科学基金项目(201943080002) 重庆市自然科学基金面上项目(cstc2021jcyj-msxmX1023)。; 文摘针对传统可控硅(SCR)器件触发电压高、维持电压低、闩锁风险大等问题,提出了一种内嵌NPN结构的高维持电压SCR器件。维持电压由传统器件的1.2 V增大到10.3 V。与传统结构相比,该新型SCR结构体内存在2条电流路径,通过嵌入的NPN电流路径延缓了器件中寄生PNP管的开启过程,抑制了SCR结构里NPN管与PNP管的正反馈过程,使得SCR电流路径在电流较大时才能完全开启,从而达到提高维持电压的目的。基于半导体器件仿真软件,模拟了器件在直流下的电学特性,分析其工作机理并讨论了关键器件参数对其电学特性的影响。; 关键词内嵌NPN结构静电放电维持电压 SCR; Keywords embedded NPN structure electrostatic discharge holding voltage SCR; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非晶氧化镓基日盲紫外探测器的研究进展被引量：3: 5; 作者肖演杨斯铄程凌云周游钱凌轩; 机构电子科技大学集成电路科学与工程学院(示范性微电子学院)/电子薄膜与集成器件全国重点实验室; 出处《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期1-20,共20页; 基金国家自然科学基金面上项目(62174025)。; 文摘日盲紫外探测在空间安全通信、臭氧空洞监测、导弹来袭告警等民用与军事领域有着广阔的应用场景和特定的市场价值。氧化镓(Ga_(2)O_(3))具有超宽的带隙(4.4~5.3 eV),几乎覆盖整个日盲波段,被认为是构筑日盲紫外探测器的理想材料之一。相较于单晶和外延氧化镓材料,非晶氧化镓(a-Ga_(2)O_(3))的制备温度更低,工艺相对简单,且衬底的适用范围更广,因此近些年成为Ga_(2)O_(3)基日盲紫外探测领域新的研究热点。本文旨在对a-Ga_(2)O_(3)基日盲紫外探测器的研究进展与现状进行介绍。首先介绍了a-Ga_(2)O_(3)的基本特性以及几种常见的制备方法,进而介绍了各种适用的器件类型、结构及性能。目前,a-Ga_(2)O_(3)基日盲紫外探测器主要分为MSM型、结型、TFT型和阵列型等几大类,通过器件结构优化,进一步提升探测性能。其中,MSM型器件结构简单,响应度高,应用最为广泛;结型器件通过构建肖特基结和异质结等,具有响应速度快、暗电流低和自供电的特点;TFT型器件能够在抑制暗电流的同时放大增益,且可以通过施加栅压脉冲来提升响应速度;阵列型器件主要用于大面积成像。最后,本文对a-Ga_(2)O_(3)日盲紫外探测器未来的发展趋势进行了总结和展望。; 关键词非晶氧化镓光电探测器光电晶体管薄膜晶体管探测日盲紫外超宽禁带半导体; Keywords amorphous gallium oxide photodetector phototransistor thin film transistor solar-blind ultraviolet photodetection ultra wide band-gap semiconductor; 分类号 TN23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于磁性传感器的低失调温度补偿接口电路设计	樊华常伟鹏王策李国刘建明李宗霖魏琦冯全源	《电子与信息学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	一种高PSRR低压差线性稳压器电路	黄立朝丁宁沈泊言余文中樊华曾泳钦冯全源	《电子与封装》	2024	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于位串行卷积神经网络加速器的运动想象脑电信号识别系统	程筱舒王忆文娄鸿飞丁玮然李平	《电子科技大学学报》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	内嵌NPN结构的高维持电压可控硅器件	陈泓全齐钊王卓赵菲乔明	《电子与封装》	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	非晶氧化镓基日盲紫外探测器的研究进展	肖演杨斯铄程凌云周游钱凌轩	《光电工程》 CAS CSCD 北大核心	2023	3	在线阅读下载PDF 职称材料