基于MEMS技术的集成压力-湿度传感器 被引量：2

1

作者 陈果 刘正波 +1 位作者 王韬 张万里 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期21-28,共8页

设计了一种高灵敏度的集成压力和湿度传感单元的芯片。压力传感单元基于SOI和蛇形电阻结构。室温下,传感器在载压范围为3~129 kPa内灵敏度为0.026 mV/kPa,与有限元仿真基本吻合。传感器在25~120℃范围内的热灵敏度漂移为0.004‰FS/℃,... 设计了一种高灵敏度的集成压力和湿度传感单元的芯片。压力传感单元基于SOI和蛇形电阻结构。室温下,传感器在载压范围为3~129 kPa内灵敏度为0.026 mV/kPa,与有限元仿真基本吻合。传感器在25~120℃范围内的热灵敏度漂移为0.004‰FS/℃,热零点漂移为0.25%FS/℃。湿度传感单元采用的叉指电极和电容式结构,引入含氟PI作湿度敏感膜。设计Mo电阻加热结构加快传感器降湿过程,缩短降湿时间近32%。在10%~90%RH的湿度范围,含氟PI湿度传感器的灵敏度为0.121 pF/%RH,略低于无氟PI器件。含氟基团的引入,使得传感器的湿滞较无氟PI降低16%。“电容-湿度”曲线呈指数分布,相关系数R^(2)=0.996。测试结果发现,湿度传感单元和压力传感单元拥有良好的独立工作性能。 展开更多

关键词 电容式湿度传感器 惠斯通电桥 MEMS工艺 聚酰亚胺(PI) 压力传感器

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基于磁性传感器的低失调温度补偿接口电路设计 被引量：1

2

作者 樊华 常伟鹏 +5 位作者 王策 李国 刘建明 李宗霖 魏琦 冯全源 《电子与信息学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期1521-1528,共8页

面向磁性传感器在物联网(IoT)技术中的广泛应用,该文基于180 nm CMOS工艺设计了一种具有低失调电压,低温度漂移特性的霍尔传感器接口电路。针对霍尔传感器灵敏度的温度漂移特性,该文设计了一种感温电路并与查表法相结合,调节可编程增益... 面向磁性传感器在物联网(IoT)技术中的广泛应用,该文基于180 nm CMOS工艺设计了一种具有低失调电压,低温度漂移特性的霍尔传感器接口电路。针对霍尔传感器灵敏度的温度漂移特性,该文设计了一种感温电路并与查表法相结合,调节可编程增益放大器(PGA)的增益有效地降低了霍尔传感器的温度系数(TC)。在此基础上,通过在信号主通路中使用相关双采样(CDS)技术,极大程度上消除了霍尔传感器的失调电压。仿真结果表明,在–40°C~125°C温度范围内,霍尔传感器的TC从966.4 ppm/°C减小到了58.1 ppm/°C。信号主通路的流片结果表明,霍尔传感器的失调电压从25 mV左右减小到了4 mV左右,霍尔传感器的非线性误差为0.50%。芯片的总面积为0.69 mm^(2)。 展开更多

关键词 霍尔传感器 接口电路 温度补偿 低失调电压

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氮化镓基单片功率集成技术 被引量：2

3

作者 周靖贵 陈匡黎 +1 位作者 周琦 张波 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期685-697,共13页

宽禁带、高临界击穿电场和高饱和电子速度的材料优越性,以及铝镓氮/氮化镓(Al GaN/GaN)异质结能通过极化不连续性在其界面极化诱导出具有高浓度、高迁移率的二维电子气并制备出高电子迁移率晶体管,使氮化镓器件正成为下一代功率和射频... 宽禁带、高临界击穿电场和高饱和电子速度的材料优越性,以及铝镓氮/氮化镓(Al GaN/GaN)异质结能通过极化不连续性在其界面极化诱导出具有高浓度、高迁移率的二维电子气并制备出高电子迁移率晶体管,使氮化镓器件正成为下一代功率和射频应用领域的新型高性能电子器件。氮化镓基单片功率集成技术是减小寄生电感影响、提升集成电路开关速度、降低系统功耗和实现系统小型化的关键技术。该文围绕氮化镓单片功率集成技术,对p/n双极性沟道异质结外延结构、单片异质集成、全氮化镓集成电路和p沟道器件关键技术的研究进展进行了全面分析。 展开更多

关键词 氮化镓 异质结 二维电子气 高电子迁移率晶体管 氮化镓单片功率集成 P沟道

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基于丝网印刷的触觉传感器研究综述 被引量：2

4

作者 王一琳 赵佳锋 +3 位作者 黄婧雯 温丫丁 王彦 张晓升 《电子学报》 北大核心 2025年第1期24-40,共17页

触觉传感器是一种模拟人类触觉感知能力的传感器,能够检测和量化物理接触时产生的机械刺激或热刺激,并将这些信息转化为电信号,使电子系统获得感知触摸的能力,在人机接口、机器人等领域中受到广泛关注.随着纳米技术、材料科学和信息技... 触觉传感器是一种模拟人类触觉感知能力的传感器,能够检测和量化物理接触时产生的机械刺激或热刺激,并将这些信息转化为电信号,使电子系统获得感知触摸的能力,在人机接口、机器人等领域中受到广泛关注.随着纳米技术、材料科学和信息技术的发展,触觉传感器在向着柔性化、小型化的方向发展以适应在复杂曲面和可动表面上的运用.丝网印刷作为一种成熟的平面图形化加工工艺已被广泛应用于柔性电子的加工过程中.由于具备材料选择灵活、加工成本低、生产速度快等特点,丝网印刷在推动触觉传感器大规模应用方面具有巨大的潜力.本文对基于丝网印刷的触觉传感器的研究现状与最新进展进行了综述,从“丝网印刷的作用”、“丝网印刷触觉传感器的原理”和“提高丝网印刷触觉传感器灵敏度的方法”三个方面进行了分析与归纳.通过对文献的综述,总结了基于丝网印刷的触觉传感器制造方法,并揭示了丝网印刷的优势.最后基于丝网印刷触觉传感器所面临的问题和挑战,对其未来发展方向进行了展望,为相关研究提供参考. 展开更多

关键词 触觉传感器 压力传感器 丝网印刷 印刷电子 电子皮肤 有源传感 无源传感

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一种抗辐射16位25 MS/s流水线ADC

5

作者 周晓丹 苏晨 +6 位作者 刘涛 付东兵 王健安 陈光炳 李强 刘杰 郭刚 《电子科技大学学报》 北大核心 2025年第1期1-7,共7页

设计了一款抗辐射16位25 MS/s流水线型模数转换器(ADC)。根据电容失配等因素确定了第一级4位的流水线结构,并设计了改进的自举开关来提高采样线性度。为了降低系统功耗,设计了一种开关电容动态偏置电路,通过减小放大器的平均电流来降低... 设计了一款抗辐射16位25 MS/s流水线型模数转换器(ADC)。根据电容失配等因素确定了第一级4位的流水线结构,并设计了改进的自举开关来提高采样线性度。为了降低系统功耗,设计了一种开关电容动态偏置电路,通过减小放大器的平均电流来降低ADC的系统功耗。为了满足抗辐射的要求,针对电离总剂量效应和单粒子闩锁效应的机理,对电路进行抗辐射加固设计。该款抗辐射ADC在0.18μm CMOS工艺上进行制造,转换器的芯片面积为2.5 mm^(2),经过辐射试验后,在采样率25 MHz、1.8 V电源电压和30.1 MHz正弦输入的条件下,ADC的信噪比(SNR)达到了76.7 dBFS,无杂散动态范围(SFDR)为95.1 dBFS,功耗为38.76 mW,抗辐射能力达到电离总剂量100 Krad(Si)和单粒子闩锁阈值75 MeV·cm^(2)/mg,可满足空间环境的使用要求。 展开更多

关键词 模数转换器 流水线 信噪比 无杂散动态范围 抗辐射

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基于位串行卷积神经网络加速器的运动想象脑电信号识别系统

6

作者 程筱舒 王忆文 +2 位作者 娄鸿飞 丁玮然 李平 《电子科技大学学报》 北大核心 2025年第3期321-332,共12页

准确识别运动想象脑电信号是神经科学和生物医学工程领域的重要挑战。设计了基于位串行卷积神经网络加速器的脑电信号识别系统,充分利用其小体积、低能耗和高实时性的优势。从软件层面,介绍了脑电数据的预处理、特征提取及分类过程,并... 准确识别运动想象脑电信号是神经科学和生物医学工程领域的重要挑战。设计了基于位串行卷积神经网络加速器的脑电信号识别系统,充分利用其小体积、低能耗和高实时性的优势。从软件层面,介绍了脑电数据的预处理、特征提取及分类过程,并采用格拉姆角场转换将一维信号映射为二维特征图供网络处理。在硬件层面,提出了列暂存数据流和固定乘数原位串行乘法器等方法,在FPGA上实现了位串行卷积神经网络加速器的原型验证。实验表明,基于位串行LeNet-5加速器的FPGA实现对BCI竞赛Ⅳ数据集2a和2b的分类平均准确率分别达到95.68%和97.32%,kappa值分别为0.942和0.946,展现出的优异性为运动想象脑电信号识别的高效实现提供了思路。 展开更多

关键词 脑机接口 运动想象 卷积神经网络 硬件加速器 格拉姆角场

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Mn_(3)O_(4)掺杂抗还原X7R纳米BaTiO_(3)基陶瓷的性能研究

7

作者 肖蝉吟 迟尚超 +2 位作者 刘叔承 张树人 唐斌 《功能材料》 北大核心 2025年第3期3013-3018,共6页

采用传统固相合成法制备了BaTiO_(3)-SrCO_(3)-MgCO_(3)-xMn_(3)O_(4)-Dy_(2)O_(3)-ZrO_(2)-SiO_(2)(x=0~0.2%(摩尔分数))陶瓷,在1%H_(2)-99%N_(2)混合还原气氛中进行烧结,烧结温度为1320℃。研究了Mn_(3)O_(4)掺杂对纳米BaTiO_(3)基陶... 采用传统固相合成法制备了BaTiO_(3)-SrCO_(3)-MgCO_(3)-xMn_(3)O_(4)-Dy_(2)O_(3)-ZrO_(2)-SiO_(2)(x=0~0.2%(摩尔分数))陶瓷,在1%H_(2)-99%N_(2)混合还原气氛中进行烧结,烧结温度为1320℃。研究了Mn_(3)O_(4)掺杂对纳米BaTiO_(3)基陶瓷的影响,发现掺杂Mn有利于陶瓷介电常数以及绝缘电阻率的提升;陶瓷的容量温度稳定性很大程度取决于Mn的掺杂量,当x=0.05%(摩尔分数)时,得到高介电常数(ε=3267)、良好的绝缘电阻率(ρ_(v)=3.82×10^(11)Ω·cm)和低介质损耗(tanδ=1.03%)的抗还原纳米BaTiO_(3)基陶瓷,温度特性满足EIA X7R(-55~125℃,ΔC/C_(25℃)≤±15%)标准,具有良好的BME-MLCC应用前景。 展开更多

关键词 纳米钛酸钡 抗还原 高介电常数 温度稳定性

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压控型脉冲功率半导体器件技术及应用 被引量：5

8

作者 孙瑞泽 陈万军 +3 位作者 刘超 刘红华 姚洪梅 张波 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期94-102,共9页

近年来,采用新一代半导体开关替代传统气体或真空开关是脉冲功率系统的一种重要发展趋势。为了给脉冲功率半导体器件领域的技术发展提供参考,简要介绍了压控型脉冲功率半导体器件技术的发展历程,总结了MOS栅控晶闸管(MCT)在器件设计、... 近年来,采用新一代半导体开关替代传统气体或真空开关是脉冲功率系统的一种重要发展趋势。为了给脉冲功率半导体器件领域的技术发展提供参考,简要介绍了压控型脉冲功率半导体器件技术的发展历程,总结了MOS栅控晶闸管(MCT)在器件设计、工艺和可靠性等方面的研究进展,同时通过比较MCT与一般商业IGBT器件,阐述了MCT相比于其他功率脉冲半导体器件的优劣情况,并结合典型应用场景展示了MCT器件的优势,对压控型脉冲功率半导体器件的发展趋势进行了简要分析。 展开更多

关键词 脉冲功率技术 脉冲功率半导体开关 MOS栅控晶闸管 电压控制 重复脉冲

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SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究 被引量：2

9

作者 王永维 黄柯月 +4 位作者 王芳 温恒娟 陈浪涛 周锌 赵永瑞 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期758-766,共9页

绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化... 绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化层辐射陷阱电荷主要作用于器件沟道区,而场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷则主要作用于器件漂移区;辐射陷阱电荷在器件内部感生出的镜像电荷改变了器件原有的电场和载流子分布,从而导致器件阈值电压、击穿电压和导通电阻等参数的退化。对80 V SOI高压LDMOS器件进行了总电离剂量辐射实验,结果表明在ON态和OFF态下随着辐射剂量的增加器件性能逐步衰退,当累积辐射剂量为200 krad(Si)时,器件的击穿电压大于80 V,阈值电压漂移为0.3 V,器件抗总电离剂量辐射能力大于200 krad(Si)。 展开更多

关键词 辐射电荷 总电离剂量(TID)辐射效应 绝缘体上硅(SOI) 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 击穿电压 导通电流

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可变流水级SM4加解密算法硬件设计及FPGA实现 被引量：4

10

作者 朱麒瑾 陈小文 鲁建壮 《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2024年第4期606-614,共9页

SM4加解密算法作为我国第一个商用密码算法,凭借其算法结构简单易实现、加解密速度快和安全性高等优点,被广泛应用在数据加密存储和信息加密通信等领域中。以可变流水级SM4加解密算法硬件设计以及FPGA实现为研究课题,重点研究了不同流... SM4加解密算法作为我国第一个商用密码算法,凭借其算法结构简单易实现、加解密速度快和安全性高等优点,被广泛应用在数据加密存储和信息加密通信等领域中。以可变流水级SM4加解密算法硬件设计以及FPGA实现为研究课题,重点研究了不同流水线级数设计的性能差异,设计了一种可控制流水线级数的SM4加解密电路,并将其封装为带有AXI接口和APB接口的IP核。基于XILINX ZYNQ器件,在XILINX ZYNQ-7020开发板上搭建小型SoC,将设计的SM4 IP核挂载到AXI总线上,模拟实际工作情景并进行性能测试。通过软件加解密数据与仿真测试得到的数据来验证设计功能的正确性;测试不同流水线级数的性能,以此选出最适合的流水线级数。 展开更多

关键词 SM4 流水线设计 ZYNQ AXI APB

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SiC MOSFET器件栅氧可靠性研究综述 被引量：4

11

作者 胡嘉豪 王英伦 +2 位作者 代豪豪 邓小川 张波 《电源学报》 CSCD 北大核心 2024年第4期1-11,共11页

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管SiC MOSFET(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field effect transistor)因具有高压、高频、低导通损耗等优异特性而获得产业界广泛关注,但相比于硅基IGBT,SiC/SiO_(2)栅氧界面高缺陷密度... 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管SiC MOSFET(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field effect transistor)因具有高压、高频、低导通损耗等优异特性而获得产业界广泛关注,但相比于硅基IGBT,SiC/SiO_(2)栅氧界面高缺陷密度引起的栅氧可靠性问题成为制约SiC MOSFET器件规模化应用的关键瓶颈。通过对近年来国内外SiC MOSFET栅氧可靠性研究成果的梳理和分析,阐述了当前栅氧可靠性问题的形成原因,归纳总结了各类常用的栅氧可靠性评估方法,并进行了比较分析,最后重点探讨了极端工况下SiC MOSFET栅氧可靠性及其提升技术的发展现状。 展开更多

关键词 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 栅氧可靠性 评估方法 极端工况

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本征基区尺寸对双极器件总电离剂量辐射效应的影响 被引量：2

12

作者 葛超洋 杨强 +2 位作者 李燕妃 孙家林 谢儒彬 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第11期1036-1042,共7页

基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极... 基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极接触区和发射极边缘之间的本征基区。对不同本征基区尺寸的双极器件进行了总电离剂量辐射实验,研究了本征基区尺寸对双极器件电流增益随总电离剂量退化的影响。实验结果表明,在相同总电离剂量下,双极器件本征基区尺寸越小,增益衰减比例越小,辐射敏感性越低。将10 V纵向npn(VNPN)器件的本征基区尺寸由1.4μm减小至0.6μm,可将150 krad(Si)总电离剂量辐射后的归一化电流增益由0.6132增大到0.7081。因此,减小本征基区尺寸是一种有效的双极器件总电离剂量辐射加固技术。 展开更多

关键词 双极器件 总电离剂量(TID)辐射 本征基区 0.18μm BCD工艺

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基于声表面波传感器的转子叶片应变无线测量研究 被引量：3

13

作者 杨正兵 肖潇 +1 位作者 彭斌 吴亚锋 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2024年第1期6-9,共4页

声表面波传感器可以实现无线无源工作,该特性使其在高速旋转部件测试中有重要的应用前景。利用硅酸镓镧压电晶体设计并制备了谐振型SAW传感器,研究了其应变敏感特性,并成功应用于转子叶片应变的无线测试试验。结果表明,所制备的SAW传感... 声表面波传感器可以实现无线无源工作,该特性使其在高速旋转部件测试中有重要的应用前景。利用硅酸镓镧压电晶体设计并制备了谐振型SAW传感器,研究了其应变敏感特性,并成功应用于转子叶片应变的无线测试试验。结果表明,所制备的SAW传感器的谐振频率为217.794 MHz,品质因子达到5807,应变灵敏度为-317 Hz/με。在3000~15000 r/min转速下,无线测试了转子叶片应变,测试结果与电阻应变计测量结果及有限元仿真计算结果基本一致。研究结果可以为SAW传感器在高速旋转设备的无线测试工程应用提供参考。 展开更多

关键词 声表面波 谐振频率 无线测量 转子叶片 应变

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电磁寄生参数对SAW滤波器性能的影响 被引量：1

14

作者 魏园林 帅垚 +3 位作者 魏子杰 吴传贵 罗文博 张万里 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第4期463-467,共5页

设计了B41频段的声表面波(SAW)滤波器,利用三维电磁场仿真工具HFSS建立表面贴装器件(SMD)封装和芯片级(CSP)封装模型,对比两种封装的声-电磁联合仿真结果得出,在滤波器电路拓扑结构中,当2条不同并联支路连接在一起时,由于SMD封装键合引... 设计了B41频段的声表面波(SAW)滤波器,利用三维电磁场仿真工具HFSS建立表面贴装器件(SMD)封装和芯片级(CSP)封装模型,对比两种封装的声-电磁联合仿真结果得出,在滤波器电路拓扑结构中,当2条不同并联支路连接在一起时,由于SMD封装键合引线的电磁寄生参数影响,滤波器在高频处的带外抑制会出现“上翘”。建立不同键合线数量、直径及长度的SMD封装模型,并仿真计算S参数。对比仿真结果可知,随着键合线直径的增大和长度的减小,其等效电感逐渐变小,即键合线的电磁寄生参数逐渐减小,对SAW滤波器性能的影响逐渐减弱,高频处的带外抑制性能得到优化。结果表明,CSP封装植球倒扣的电磁寄生参数更小,声-电磁联合仿真的结果更优,与实测结果吻合较好。 展开更多

关键词 SAW滤波器 表面贴装器件(SMD)封装 芯片级(CSP)封装 电磁寄生参数 带外抑制 键合线

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陶瓷封装SAW滤波器除金工艺研究 被引量：1

15

作者 唐盘良 李亚飞 +3 位作者 黄莹 张钧翀 冷俊林 马晋毅 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第5期695-699,共5页

针对陶瓷封装声表面波(SAW)滤波器焊盘除金问题,提出了载板搪锡工艺的解决方案。通过制作外扩焊盘的搪锡载板进行滤波器批量贴装,在加热台上进行回流以溶解焊盘镀金层,取下上锡器件后用真空吸锡枪吸去焊盘表面焊锡,即可达到除金目的。... 针对陶瓷封装声表面波(SAW)滤波器焊盘除金问题,提出了载板搪锡工艺的解决方案。通过制作外扩焊盘的搪锡载板进行滤波器批量贴装,在加热台上进行回流以溶解焊盘镀金层,取下上锡器件后用真空吸锡枪吸去焊盘表面焊锡,即可达到除金目的。详细介绍了搪锡载板的焊盘设计,利用红外测温仪对操作过程进行监控,对除金后的器件进行焊盘表面、焊点界面分析以及环境试验验证。试验表明,焊盘表面镀金层被完全去除,除金后的器件具有较高的可靠性。 展开更多

关键词 陶瓷封装 声表面波(SAW)滤波器 搪锡 除金 可靠性

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钽酸锂单晶薄膜的退火处理与微结构分析

16

作者 杨杰 高艺卓 +3 位作者 朱代磊 帅垚 吴传贵 罗文博 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第4期545-549,共5页

离子注入剥离技术制备的钽酸锂单晶薄膜可用于高品质因数和低热漂移窄带射频滤波器,但高能离子注入使钽酸锂薄膜存在缺陷及晶格损伤,限制了器件性能的提升,无法充分发挥单晶薄膜的性能优势。使用退火工艺对钽酸锂薄膜进行损伤修复,采用... 离子注入剥离技术制备的钽酸锂单晶薄膜可用于高品质因数和低热漂移窄带射频滤波器,但高能离子注入使钽酸锂薄膜存在缺陷及晶格损伤,限制了器件性能的提升,无法充分发挥单晶薄膜的性能优势。使用退火工艺对钽酸锂薄膜进行损伤修复,采用拉曼光谱对不同温度退火的钽酸锂薄膜进行表征测试,分析了退火温度对钽酸锂薄膜成分和缺陷的影响。结果表明,退火处理修复了钽酸锂薄膜的锂空位缺陷,降低了钽酸锂薄膜的氧空位等成分偏析。 展开更多

关键词 钽酸锂单晶薄膜 退火处理 拉曼光谱 晶体缺陷 薄膜成分偏析

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低频小型化兰姆波谐振器的研究

17

作者 叶昶裕 肖强 +3 位作者 陈正林 董加和 米佳 鲍景富 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第2期174-178,183,共6页

针对低频声学器件的小型化、大带宽问题,该文基于Y切-铌酸锂压电薄膜激发了反对称A0兰姆波模式,并采用有限元法对A0模式进行了结构设计与理论分析。研究了铌酸锂切型、电极材料、金属化比及膜层厚度变化对声速和机电耦合系数等性能的影... 针对低频声学器件的小型化、大带宽问题,该文基于Y切-铌酸锂压电薄膜激发了反对称A0兰姆波模式,并采用有限元法对A0模式进行了结构设计与理论分析。研究了铌酸锂切型、电极材料、金属化比及膜层厚度变化对声速和机电耦合系数等性能的影响。结果表明,特定结构下,与常规声表面波相比,A0模式兰姆波声速较小,机电耦合系数较大,有利于低频声学滤波器小型化设计。通过研究不同结构对谐振器A0模式兰姆波的横向模态的影响,实现了杂波抑制。 展开更多

关键词 低频小型化 谐振器 兰姆波 铌酸锂 横向模态抑制

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基于MEDICI软件的高维持电流SCR器件的仿真优化 被引量：1

18

作者 刘继芝 彭钰航 刘志伟 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2023年第12期99-106,共8页

为了设计满足不同静电放电(ESD)设计窗口需求的可控硅整流器(SCR)器件,提出一种提高ESD用SCR器件维持电流的方法。该方法基于器件仿真软件MEDICI,通过仿真分析SCR器件在ESD工作条件下的内部电流流向、载流子分布和电导调制过程,从器件... 为了设计满足不同静电放电(ESD)设计窗口需求的可控硅整流器(SCR)器件,提出一种提高ESD用SCR器件维持电流的方法。该方法基于器件仿真软件MEDICI,通过仿真分析SCR器件在ESD工作条件下的内部电流流向、载流子分布和电导调制过程,从器件尺寸、掺杂浓度和电流路径三个方面对SCR器件的维持电流进行了仿真优化。仿真结果表明,优化后的SCR器件的维持电流增大了10倍。该仿真优化方法可以提高学生的器件仿真能力,同时使他们对微电子器件的优化设计过程有更加直观和全面的认识。 展开更多

关键词 静电放电 可控硅整流器 维持电流

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非晶氧化镓基日盲紫外探测器的研究进展 被引量：4

19

作者 肖演 杨斯铄 +2 位作者 程凌云 周游 钱凌轩 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期1-20,共20页

日盲紫外探测在空间安全通信、臭氧空洞监测、导弹来袭告警等民用与军事领域有着广阔的应用场景和特定的市场价值。氧化镓(Ga_(2)O_(3))具有超宽的带隙(4.4~5.3 eV),几乎覆盖整个日盲波段,被认为是构筑日盲紫外探测器的理想材料之一。... 日盲紫外探测在空间安全通信、臭氧空洞监测、导弹来袭告警等民用与军事领域有着广阔的应用场景和特定的市场价值。氧化镓(Ga_(2)O_(3))具有超宽的带隙(4.4~5.3 eV),几乎覆盖整个日盲波段,被认为是构筑日盲紫外探测器的理想材料之一。相较于单晶和外延氧化镓材料,非晶氧化镓(a-Ga_(2)O_(3))的制备温度更低,工艺相对简单,且衬底的适用范围更广,因此近些年成为Ga_(2)O_(3)基日盲紫外探测领域新的研究热点。本文旨在对a-Ga_(2)O_(3)基日盲紫外探测器的研究进展与现状进行介绍。首先介绍了a-Ga_(2)O_(3)的基本特性以及几种常见的制备方法,进而介绍了各种适用的器件类型、结构及性能。目前,a-Ga_(2)O_(3)基日盲紫外探测器主要分为MSM型、结型、TFT型和阵列型等几大类,通过器件结构优化,进一步提升探测性能。其中,MSM型器件结构简单,响应度高,应用最为广泛;结型器件通过构建肖特基结和异质结等,具有响应速度快、暗电流低和自供电的特点;TFT型器件能够在抑制暗电流的同时放大增益,且可以通过施加栅压脉冲来提升响应速度;阵列型器件主要用于大面积成像。最后,本文对a-Ga_(2)O_(3)日盲紫外探测器未来的发展趋势进行了总结和展望。 展开更多

关键词 非晶氧化镓 光电探测器 光电晶体管 薄膜晶体管探测 日盲紫外 超宽禁带半导体

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新型微波介质陶瓷HoVO4 被引量：1

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作者 张忠泉 陈丽 李波 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第12期12219-12224,共6页

采用固相法制备了新型微波介质陶瓷HoVO_(4)。研究了微波性能与微观形貌、致密度和拉曼半高宽之间的关系,并分析了拉曼光谱中化学键的振动模。HoVO_(4)在1150℃烧结得到最优微波介电性能:ε_(r)=11.52,Q×f=27271 GHz,τ_(f)=-22.39... 采用固相法制备了新型微波介质陶瓷HoVO_(4)。研究了微波性能与微观形貌、致密度和拉曼半高宽之间的关系,并分析了拉曼光谱中化学键的振动模。HoVO_(4)在1150℃烧结得到最优微波介电性能:ε_(r)=11.52,Q×f=27271 GHz,τ_(f)=-22.39×10^(-6)/℃。选取正τf值的TiO_(2)与负τf值的HoVO_(4)进行复合,得到谐振频率温度系数近零的微波陶瓷,当TiO_(2)掺杂量为6%、烧结温度为1200℃时获得最佳微波介电性能为:ε_(r)=14.14,Q×f=18978 GHz,τ_(f)=2.4324×10^(-6)/℃。 展开更多

关键词 稀土 HoVO_(4) TiO_(2)

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