期刊文献+
共找到22篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
基于SiC DSRD纳秒级高压脉冲产生电路关键参数研究
1
作者 杨早 陈万军 陈资文 《太赫兹科学与电子信息学报》 2025年第4期331-339,共9页
介绍了一种基于漂移阶跃恢复二极管(DSRD)的纳秒级高压脉冲产生电路的工作原理,对该电路进行建模,并根据模型讨论了影响脉冲输出特性的关键电路参数。实验中采用本实验室研制的高压碳化硅(SiC)DSRD器件在50Ω的标准负载上得到了峰值为2.... 介绍了一种基于漂移阶跃恢复二极管(DSRD)的纳秒级高压脉冲产生电路的工作原理,对该电路进行建模,并根据模型讨论了影响脉冲输出特性的关键电路参数。实验中采用本实验室研制的高压碳化硅(SiC)DSRD器件在50Ω的标准负载上得到了峰值为2.27 kV,上升时间为1.846 ns的纳秒级脉冲电压,并在此基础上改变电路中的关键参数进行测试,得到的脉冲电压峰值变化趋势与从模型中分析的保持一致,验证了模型的合理性。考虑到开关管在关断过程中的漏源极产生的电压过冲问题,在开关管漏源极两端并联缓冲电容,并通过实验调整其参数,在不影响DSRD脉冲放电电压峰值的情况下,降低开关管漏源极两端过冲电压。 展开更多
关键词 漂移阶跃恢复二极管 电路参数 脉冲电路 纳秒级 碳化硅
在线阅读 下载PDF
基于MEMS技术的集成压力-湿度传感器 被引量:1
2
作者 陈果 刘正波 +1 位作者 王韬 张万里 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期21-28,共8页
设计了一种高灵敏度的集成压力和湿度传感单元的芯片。压力传感单元基于SOI和蛇形电阻结构。室温下,传感器在载压范围为3~129 kPa内灵敏度为0.026 mV/kPa,与有限元仿真基本吻合。传感器在25~120℃范围内的热灵敏度漂移为0.004‰FS/℃,... 设计了一种高灵敏度的集成压力和湿度传感单元的芯片。压力传感单元基于SOI和蛇形电阻结构。室温下,传感器在载压范围为3~129 kPa内灵敏度为0.026 mV/kPa,与有限元仿真基本吻合。传感器在25~120℃范围内的热灵敏度漂移为0.004‰FS/℃,热零点漂移为0.25%FS/℃。湿度传感单元采用的叉指电极和电容式结构,引入含氟PI作湿度敏感膜。设计Mo电阻加热结构加快传感器降湿过程,缩短降湿时间近32%。在10%~90%RH的湿度范围,含氟PI湿度传感器的灵敏度为0.121 pF/%RH,略低于无氟PI器件。含氟基团的引入,使得传感器的湿滞较无氟PI降低16%。“电容-湿度”曲线呈指数分布,相关系数R^(2)=0.996。测试结果发现,湿度传感单元和压力传感单元拥有良好的独立工作性能。 展开更多
关键词 电容式湿度传感器 惠斯通电桥 MEMS工艺 聚酰亚胺(PI) 压力传感器
在线阅读 下载PDF
射频异构集成微系统多层级协同仿真建模与PDK技术综述 被引量:2
3
作者 刘军 高爽 +2 位作者 汪曾达 王大伟 陈展飞 《微电子学与计算机》 2024年第1期11-25,共15页
作为后摩尔技术的可选路径之一,基于异构集成工艺实现的集成微系统具有高集成度、低成本、高性能等优点,引起学术界和工业界的广泛关注。异构集成微系统设计是以系统为中心的多层级协同设计,对传统以晶体管为中心的设计方法和设计流程... 作为后摩尔技术的可选路径之一,基于异构集成工艺实现的集成微系统具有高集成度、低成本、高性能等优点,引起学术界和工业界的广泛关注。异构集成微系统设计是以系统为中心的多层级协同设计,对传统以晶体管为中心的设计方法和设计流程带来新的挑战,同时对设计环境的开发带来新的要求。本文对射频集成微系统设计中所需的基础器件/结构建模方法、多工艺混合工艺设计套件(Process Design Kit,PDK)技术、以及电路-模块-系统多层级协同仿真等技术最新进展进行综述。 展开更多
关键词 异构集成射频微系统 多层级协同仿真 建模方法 多工艺混合 工艺设计套件(PDK)
在线阅读 下载PDF
基于磁性传感器的低失调温度补偿接口电路设计
4
作者 樊华 常伟鹏 +5 位作者 王策 李国 刘建明 李宗霖 魏琦 冯全源 《电子与信息学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期1521-1528,共8页
面向磁性传感器在物联网(IoT)技术中的广泛应用,该文基于180 nm CMOS工艺设计了一种具有低失调电压,低温度漂移特性的霍尔传感器接口电路。针对霍尔传感器灵敏度的温度漂移特性,该文设计了一种感温电路并与查表法相结合,调节可编程增益... 面向磁性传感器在物联网(IoT)技术中的广泛应用,该文基于180 nm CMOS工艺设计了一种具有低失调电压,低温度漂移特性的霍尔传感器接口电路。针对霍尔传感器灵敏度的温度漂移特性,该文设计了一种感温电路并与查表法相结合,调节可编程增益放大器(PGA)的增益有效地降低了霍尔传感器的温度系数(TC)。在此基础上,通过在信号主通路中使用相关双采样(CDS)技术,极大程度上消除了霍尔传感器的失调电压。仿真结果表明,在–40°C~125°C温度范围内,霍尔传感器的TC从966.4 ppm/°C减小到了58.1 ppm/°C。信号主通路的流片结果表明,霍尔传感器的失调电压从25 mV左右减小到了4 mV左右,霍尔传感器的非线性误差为0.50%。芯片的总面积为0.69 mm^(2)。 展开更多
关键词 霍尔传感器 接口电路 温度补偿 低失调电压
在线阅读 下载PDF
氮化镓基单片功率集成技术 被引量:1
5
作者 周靖贵 陈匡黎 +1 位作者 周琦 张波 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期685-697,共13页
宽禁带、高临界击穿电场和高饱和电子速度的材料优越性,以及铝镓氮/氮化镓(Al GaN/GaN)异质结能通过极化不连续性在其界面极化诱导出具有高浓度、高迁移率的二维电子气并制备出高电子迁移率晶体管,使氮化镓器件正成为下一代功率和射频... 宽禁带、高临界击穿电场和高饱和电子速度的材料优越性,以及铝镓氮/氮化镓(Al GaN/GaN)异质结能通过极化不连续性在其界面极化诱导出具有高浓度、高迁移率的二维电子气并制备出高电子迁移率晶体管,使氮化镓器件正成为下一代功率和射频应用领域的新型高性能电子器件。氮化镓基单片功率集成技术是减小寄生电感影响、提升集成电路开关速度、降低系统功耗和实现系统小型化的关键技术。该文围绕氮化镓单片功率集成技术,对p/n双极性沟道异质结外延结构、单片异质集成、全氮化镓集成电路和p沟道器件关键技术的研究进展进行了全面分析。 展开更多
关键词 氮化镓 异质结 二维电子气 高电子迁移率晶体管 氮化镓单片功率集成 P沟道
在线阅读 下载PDF
一种高PSRR低压差线性稳压器电路 被引量:3
6
作者 黄立朝 丁宁 +4 位作者 沈泊言 余文中 樊华 曾泳钦 冯全源 《电子与封装》 2024年第4期56-62,共7页
通过对低压差线性稳压器(LDO)的电源抑制比(PSRR)进行理论分析得出,功率管栅极电压与LDO输入电压的小信号比值越接近1,PSRR就越高。基于此理论,在传统LDO的基础上增加了1种新结构,将二极管连接形式的MOS管与共源共栅结构串联,使功率管... 通过对低压差线性稳压器(LDO)的电源抑制比(PSRR)进行理论分析得出,功率管栅极电压与LDO输入电压的小信号比值越接近1,PSRR就越高。基于此理论,在传统LDO的基础上增加了1种新结构,将二极管连接形式的MOS管与共源共栅结构串联,使功率管栅极电压与LDO输入电压的小信号比值接近1。随后,对该结构进行了理论分析,分析结果表明相比其他的PSRR提升技术,具有该结构的LDO其PSRR不会随着负载电流的增加而发生较大变化。LDO改进前和改进后PSRR的绝对值分别为65 dB和76 dB;改进后的结构在不同的负载电流下均具有较高的PSRR。相比体驱动前馈以及增加电荷泵将电源回路与LDO主体电路隔离等PSRR提升技术,该方法仅在传统LDO上增加了3个MOS管,减小了电路的功耗和面积。 展开更多
关键词 模拟集成电路 电源管理 模拟LDO 电源抑制比
在线阅读 下载PDF
一种抗辐射16位25 MS/s流水线ADC
7
作者 周晓丹 苏晨 +6 位作者 刘涛 付东兵 王健安 陈光炳 李强 刘杰 郭刚 《电子科技大学学报》 北大核心 2025年第1期1-7,共7页
设计了一款抗辐射16位25 MS/s流水线型模数转换器(ADC)。根据电容失配等因素确定了第一级4位的流水线结构,并设计了改进的自举开关来提高采样线性度。为了降低系统功耗,设计了一种开关电容动态偏置电路,通过减小放大器的平均电流来降低... 设计了一款抗辐射16位25 MS/s流水线型模数转换器(ADC)。根据电容失配等因素确定了第一级4位的流水线结构,并设计了改进的自举开关来提高采样线性度。为了降低系统功耗,设计了一种开关电容动态偏置电路,通过减小放大器的平均电流来降低ADC的系统功耗。为了满足抗辐射的要求,针对电离总剂量效应和单粒子闩锁效应的机理,对电路进行抗辐射加固设计。该款抗辐射ADC在0.18μm CMOS工艺上进行制造,转换器的芯片面积为2.5 mm^(2),经过辐射试验后,在采样率25 MHz、1.8 V电源电压和30.1 MHz正弦输入的条件下,ADC的信噪比(SNR)达到了76.7 dBFS,无杂散动态范围(SFDR)为95.1 dBFS,功耗为38.76 mW,抗辐射能力达到电离总剂量100 Krad(Si)和单粒子闩锁阈值75 MeV·cm^(2)/mg,可满足空间环境的使用要求。 展开更多
关键词 模数转换器 流水线 信噪比 无杂散动态范围 抗辐射
在线阅读 下载PDF
基于丝网印刷的触觉传感器研究综述
8
作者 王一琳 赵佳锋 +3 位作者 黄婧雯 温丫丁 王彦 张晓升 《电子学报》 北大核心 2025年第1期24-40,共17页
触觉传感器是一种模拟人类触觉感知能力的传感器,能够检测和量化物理接触时产生的机械刺激或热刺激,并将这些信息转化为电信号,使电子系统获得感知触摸的能力,在人机接口、机器人等领域中受到广泛关注.随着纳米技术、材料科学和信息技... 触觉传感器是一种模拟人类触觉感知能力的传感器,能够检测和量化物理接触时产生的机械刺激或热刺激,并将这些信息转化为电信号,使电子系统获得感知触摸的能力,在人机接口、机器人等领域中受到广泛关注.随着纳米技术、材料科学和信息技术的发展,触觉传感器在向着柔性化、小型化的方向发展以适应在复杂曲面和可动表面上的运用.丝网印刷作为一种成熟的平面图形化加工工艺已被广泛应用于柔性电子的加工过程中.由于具备材料选择灵活、加工成本低、生产速度快等特点,丝网印刷在推动触觉传感器大规模应用方面具有巨大的潜力.本文对基于丝网印刷的触觉传感器的研究现状与最新进展进行了综述,从“丝网印刷的作用”、“丝网印刷触觉传感器的原理”和“提高丝网印刷触觉传感器灵敏度的方法”三个方面进行了分析与归纳.通过对文献的综述,总结了基于丝网印刷的触觉传感器制造方法,并揭示了丝网印刷的优势.最后基于丝网印刷触觉传感器所面临的问题和挑战,对其未来发展方向进行了展望,为相关研究提供参考. 展开更多
关键词 触觉传感器 压力传感器 丝网印刷 印刷电子 电子皮肤 有源传感 无源传感
在线阅读 下载PDF
一种具有高电流能力的雪崩触发栅控晶闸管
9
作者 孙新淇 杨禹霄 +4 位作者 邓时雨 陈资文 刘超 孙瑞泽 陈万军 《太赫兹科学与电子信息学报》 2025年第4期346-352,共7页
提出一种新的利用雪崩触发的MOS控制晶闸管(AT-MCT),在电容脉冲放电中实现了高电流峰值、高电流上升能力(di/dt)及非工作状态的非激活保护功能。器件结构包含P-body中的高掺杂雪崩层(N-AL)以及阴极区域和MOS结构分离的N+。当施加栅极电... 提出一种新的利用雪崩触发的MOS控制晶闸管(AT-MCT),在电容脉冲放电中实现了高电流峰值、高电流上升能力(di/dt)及非工作状态的非激活保护功能。器件结构包含P-body中的高掺杂雪崩层(N-AL)以及阴极区域和MOS结构分离的N+。当施加栅极电压时,MOS产生的沟道将N-drift电势转移至N-AL中,高掺杂N-AL中由于电场尖峰而发生雪崩,产生的电子-空穴对作为晶闸管的基极电流使AT-MCT快速建立自反馈机制;同时,由于雪崩建立的正反馈过程大大改善了瞬态载流子二维传输效应,增加了瞬态开启过程中元胞的有效导通区域,从而实现更加高效的能量转化。AT-MCT相比于阴极短路的MCT(CS-MCT),电流峰值提高了40%,di/dt能力提升了31%。此外,通过对N-AL掺杂浓度的设计,可实现在非工作状态下的非激活保护功能,提升脉冲功率系统的可靠性。 展开更多
关键词 雪崩 电流峰值 高电流上升能力(di/dt) 瞬态载流子二维传输效应 非激活保护
在线阅读 下载PDF
反激变换器有源钳位技术
10
作者 孙馗苡 王京梅 《电子科技》 2025年第5期76-82,共7页
针对在反激式变换器中,变压器漏感导致开关管需要承受较大应力、能量损耗大、漏感能量无法回收以及电源工作效率偏低等问题,文中研究了反激式变换器的有源钳位技术,分析了反激式变换器中有源钳位电路的工作原理和各阶段工作过程,阐述了... 针对在反激式变换器中,变压器漏感导致开关管需要承受较大应力、能量损耗大、漏感能量无法回收以及电源工作效率偏低等问题,文中研究了反激式变换器的有源钳位技术,分析了反激式变换器中有源钳位电路的工作原理和各阶段工作过程,阐述了在反激变换器中引入有源钳位技术的优势。以反激式变换器设计方法为基础,梳理有源钳位反激变换器(Active Clamp Flyback,ACF)的设计过程,给出有源钳位反激变换器的设计案例,并制作样机进行测试。测试结果表明,样机的原边开关管在工作过程中实现了零电压开通(Zero Voltage Switching,ZVS),对比无源钳位反激电路效率提升了约3%。研究结果表明,在反激变换器中引入有源钳位技术能有效改善由于变压器漏感造成的电压尖峰、能量损耗问题,降低了开关管电压应力,实现了ZVS,有效提高了电源系统的效率和稳定性。 展开更多
关键词 反激变换器 高频变压器 有源钳位 ACF 软开关 ZVS 无源钳位 漏感
在线阅读 下载PDF
压控型脉冲功率半导体器件技术及应用 被引量:3
11
作者 孙瑞泽 陈万军 +3 位作者 刘超 刘红华 姚洪梅 张波 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期94-102,共9页
近年来,采用新一代半导体开关替代传统气体或真空开关是脉冲功率系统的一种重要发展趋势。为了给脉冲功率半导体器件领域的技术发展提供参考,简要介绍了压控型脉冲功率半导体器件技术的发展历程,总结了MOS栅控晶闸管(MCT)在器件设计、... 近年来,采用新一代半导体开关替代传统气体或真空开关是脉冲功率系统的一种重要发展趋势。为了给脉冲功率半导体器件领域的技术发展提供参考,简要介绍了压控型脉冲功率半导体器件技术的发展历程,总结了MOS栅控晶闸管(MCT)在器件设计、工艺和可靠性等方面的研究进展,同时通过比较MCT与一般商业IGBT器件,阐述了MCT相比于其他功率脉冲半导体器件的优劣情况,并结合典型应用场景展示了MCT器件的优势,对压控型脉冲功率半导体器件的发展趋势进行了简要分析。 展开更多
关键词 脉冲功率技术 脉冲功率半导体开关 MOS栅控晶闸管 电压控制 重复脉冲
在线阅读 下载PDF
SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究
12
作者 王永维 黄柯月 +4 位作者 王芳 温恒娟 陈浪涛 周锌 赵永瑞 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期758-766,共9页
绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化... 绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化层辐射陷阱电荷主要作用于器件沟道区,而场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷则主要作用于器件漂移区;辐射陷阱电荷在器件内部感生出的镜像电荷改变了器件原有的电场和载流子分布,从而导致器件阈值电压、击穿电压和导通电阻等参数的退化。对80 V SOI高压LDMOS器件进行了总电离剂量辐射实验,结果表明在ON态和OFF态下随着辐射剂量的增加器件性能逐步衰退,当累积辐射剂量为200 krad(Si)时,器件的击穿电压大于80 V,阈值电压漂移为0.3 V,器件抗总电离剂量辐射能力大于200 krad(Si)。 展开更多
关键词 辐射电荷 总电离剂量(TID)辐射效应 绝缘体上硅(SOI) 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 击穿电压 导通电流
在线阅读 下载PDF
100 V SOI厚栅氧LDMOS器件设计与优化
13
作者 王永维 黄柯月 +2 位作者 温恒娟 陈浪涛 周锌 《通讯世界》 2024年第7期1-3,共3页
基于高压模拟开关需求,对100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟... 基于高压模拟开关需求,对100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟道离子补偿注入的方法,通过控制沟道区调整沟道区硼离子注入剂量,调节器件的阈值电压,同时通过优化N阱区(N-well)注入窗口长度改善器件的饱和电流。 展开更多
关键词 SOI LDMOS 绝缘体上硅 功率器件 击穿电压 阈值电压
在线阅读 下载PDF
电磁寄生参数对SAW滤波器性能的影响
14
作者 魏园林 帅垚 +3 位作者 魏子杰 吴传贵 罗文博 张万里 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第4期463-467,共5页
设计了B41频段的声表面波(SAW)滤波器,利用三维电磁场仿真工具HFSS建立表面贴装器件(SMD)封装和芯片级(CSP)封装模型,对比两种封装的声-电磁联合仿真结果得出,在滤波器电路拓扑结构中,当2条不同并联支路连接在一起时,由于SMD封装键合引... 设计了B41频段的声表面波(SAW)滤波器,利用三维电磁场仿真工具HFSS建立表面贴装器件(SMD)封装和芯片级(CSP)封装模型,对比两种封装的声-电磁联合仿真结果得出,在滤波器电路拓扑结构中,当2条不同并联支路连接在一起时,由于SMD封装键合引线的电磁寄生参数影响,滤波器在高频处的带外抑制会出现“上翘”。建立不同键合线数量、直径及长度的SMD封装模型,并仿真计算S参数。对比仿真结果可知,随着键合线直径的增大和长度的减小,其等效电感逐渐变小,即键合线的电磁寄生参数逐渐减小,对SAW滤波器性能的影响逐渐减弱,高频处的带外抑制性能得到优化。结果表明,CSP封装植球倒扣的电磁寄生参数更小,声-电磁联合仿真的结果更优,与实测结果吻合较好。 展开更多
关键词 SAW滤波器 表面贴装器件(SMD)封装 芯片级(CSP)封装 电磁寄生参数 带外抑制 键合线
在线阅读 下载PDF
陶瓷封装SAW滤波器除金工艺研究
15
作者 唐盘良 李亚飞 +3 位作者 黄莹 张钧翀 冷俊林 马晋毅 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第5期695-699,共5页
针对陶瓷封装声表面波(SAW)滤波器焊盘除金问题,提出了载板搪锡工艺的解决方案。通过制作外扩焊盘的搪锡载板进行滤波器批量贴装,在加热台上进行回流以溶解焊盘镀金层,取下上锡器件后用真空吸锡枪吸去焊盘表面焊锡,即可达到除金目的。... 针对陶瓷封装声表面波(SAW)滤波器焊盘除金问题,提出了载板搪锡工艺的解决方案。通过制作外扩焊盘的搪锡载板进行滤波器批量贴装,在加热台上进行回流以溶解焊盘镀金层,取下上锡器件后用真空吸锡枪吸去焊盘表面焊锡,即可达到除金目的。详细介绍了搪锡载板的焊盘设计,利用红外测温仪对操作过程进行监控,对除金后的器件进行焊盘表面、焊点界面分析以及环境试验验证。试验表明,焊盘表面镀金层被完全去除,除金后的器件具有较高的可靠性。 展开更多
关键词 陶瓷封装 声表面波(SAW)滤波器 搪锡 除金 可靠性
在线阅读 下载PDF
钽酸锂单晶薄膜的退火处理与微结构分析
16
作者 杨杰 高艺卓 +3 位作者 朱代磊 帅垚 吴传贵 罗文博 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第4期545-549,共5页
离子注入剥离技术制备的钽酸锂单晶薄膜可用于高品质因数和低热漂移窄带射频滤波器,但高能离子注入使钽酸锂薄膜存在缺陷及晶格损伤,限制了器件性能的提升,无法充分发挥单晶薄膜的性能优势。使用退火工艺对钽酸锂薄膜进行损伤修复,采用... 离子注入剥离技术制备的钽酸锂单晶薄膜可用于高品质因数和低热漂移窄带射频滤波器,但高能离子注入使钽酸锂薄膜存在缺陷及晶格损伤,限制了器件性能的提升,无法充分发挥单晶薄膜的性能优势。使用退火工艺对钽酸锂薄膜进行损伤修复,采用拉曼光谱对不同温度退火的钽酸锂薄膜进行表征测试,分析了退火温度对钽酸锂薄膜成分和缺陷的影响。结果表明,退火处理修复了钽酸锂薄膜的锂空位缺陷,降低了钽酸锂薄膜的氧空位等成分偏析。 展开更多
关键词 钽酸锂单晶薄膜 退火处理 拉曼光谱 晶体缺陷 薄膜成分偏析
在线阅读 下载PDF
低频小型化兰姆波谐振器的研究
17
作者 叶昶裕 肖强 +3 位作者 陈正林 董加和 米佳 鲍景富 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第2期174-178,183,共6页
针对低频声学器件的小型化、大带宽问题,该文基于Y切-铌酸锂压电薄膜激发了反对称A0兰姆波模式,并采用有限元法对A0模式进行了结构设计与理论分析。研究了铌酸锂切型、电极材料、金属化比及膜层厚度变化对声速和机电耦合系数等性能的影... 针对低频声学器件的小型化、大带宽问题,该文基于Y切-铌酸锂压电薄膜激发了反对称A0兰姆波模式,并采用有限元法对A0模式进行了结构设计与理论分析。研究了铌酸锂切型、电极材料、金属化比及膜层厚度变化对声速和机电耦合系数等性能的影响。结果表明,特定结构下,与常规声表面波相比,A0模式兰姆波声速较小,机电耦合系数较大,有利于低频声学滤波器小型化设计。通过研究不同结构对谐振器A0模式兰姆波的横向模态的影响,实现了杂波抑制。 展开更多
关键词 低频小型化 谐振器 兰姆波 铌酸锂 横向模态抑制
在线阅读 下载PDF
本征基区尺寸对双极器件总电离剂量辐射效应的影响
18
作者 葛超洋 杨强 +2 位作者 李燕妃 孙家林 谢儒彬 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第11期1036-1042,共7页
基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极... 基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极接触区和发射极边缘之间的本征基区。对不同本征基区尺寸的双极器件进行了总电离剂量辐射实验,研究了本征基区尺寸对双极器件电流增益随总电离剂量退化的影响。实验结果表明,在相同总电离剂量下,双极器件本征基区尺寸越小,增益衰减比例越小,辐射敏感性越低。将10 V纵向npn(VNPN)器件的本征基区尺寸由1.4μm减小至0.6μm,可将150 krad(Si)总电离剂量辐射后的归一化电流增益由0.6132增大到0.7081。因此,减小本征基区尺寸是一种有效的双极器件总电离剂量辐射加固技术。 展开更多
关键词 双极器件 总电离剂量(TID)辐射 本征基区 0.18μm BCD工艺
在线阅读 下载PDF
太赫兹相控阵系统设计研究进展
19
作者 陈尚轩 鲁成健 +2 位作者 韩畅轩 陈卓恒 程序 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第5期414-424,共11页
太赫兹相控阵系统作为未来通信和雷达技术的核心支柱,在6G通信、卫星通信和超低延迟应用中具有广阔前景。本文综述了太赫兹相控阵系统的主要架构,包括中频移相、本振移相、基带移相和射频移相等方案,并分析了其在不同应用场景中的优缺... 太赫兹相控阵系统作为未来通信和雷达技术的核心支柱,在6G通信、卫星通信和超低延迟应用中具有广阔前景。本文综述了太赫兹相控阵系统的主要架构,包括中频移相、本振移相、基带移相和射频移相等方案,并分析了其在不同应用场景中的优缺点与技术挑战。特别关注基于CMOS工艺的太赫兹相控阵系统以及太赫兹相控阵收发器的研究进展,涵盖了从W波段到超过0.5 THz的设计突破。这些新兴技术为高频相控阵系统提供了新的设计思路,有望在未来超高速通信和低延迟应用中发挥关键作用。 展开更多
关键词 太赫兹相控阵 CMOS工艺 太赫兹相控阵收发器 移相器 毫米波通信
在线阅读 下载PDF
内嵌NPN结构的高维持电压可控硅器件
20
作者 陈泓全 齐钊 +2 位作者 王卓 赵菲 乔明 《电子与封装》 2024年第7期75-79,共5页
针对传统可控硅(SCR)器件触发电压高、维持电压低、闩锁风险大等问题,提出了一种内嵌NPN结构的高维持电压SCR器件。维持电压由传统器件的1.2 V增大到10.3 V。与传统结构相比,该新型SCR结构体内存在2条电流路径,通过嵌入的NPN电流路径延... 针对传统可控硅(SCR)器件触发电压高、维持电压低、闩锁风险大等问题,提出了一种内嵌NPN结构的高维持电压SCR器件。维持电压由传统器件的1.2 V增大到10.3 V。与传统结构相比,该新型SCR结构体内存在2条电流路径,通过嵌入的NPN电流路径延缓了器件中寄生PNP管的开启过程,抑制了SCR结构里NPN管与PNP管的正反馈过程,使得SCR电流路径在电流较大时才能完全开启,从而达到提高维持电压的目的。基于半导体器件仿真软件,模拟了器件在直流下的电学特性,分析其工作机理并讨论了关键器件参数对其电学特性的影响。 展开更多
关键词 内嵌NPN结构 静电放电 维持电压 SCR
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部