期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
基于SiC MOSFET同步BuckDC-DC变换器的宽频混合EMI滤波器设计
被引量：
4
1
作者
徐浩东
罗嗣勇
+3 位作者
毕闯
孙渭薇
赵海英
刘娇健
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2024年第10期3060-3069,共10页
由于SiC MOSFET在高速开关电源中的广泛应用,导致严重的电磁干扰(EMI)问题,因此EMI滤波器的设计成为研究热点。为了满足电磁兼容(EMC)标准,无源EMI滤波器可以有效地降低DC-DC变换器产生的电磁干扰,但是无源磁性器件的体积较大,不利于提...
由于SiC MOSFET在高速开关电源中的广泛应用,导致严重的电磁干扰(EMI)问题,因此EMI滤波器的设计成为研究热点。为了满足电磁兼容(EMC)标准,无源EMI滤波器可以有效地降低DC-DC变换器产生的电磁干扰,但是无源磁性器件的体积较大,不利于提高DC-DC变换器的功率密度。该文分析DC-DC变换器的电磁干扰源和噪声源阻抗特性,建立无源和有源EMI滤波器的理论模型,提出宽频混合EMI滤波器的设计方法。最后,通过实验验证宽频混合EMI滤波器对DC-DC变换器EMI的抑制效果。
展开更多
关键词
SIC
MOSFET
电磁干扰(EMI)
噪声源阻抗
混合
EMI
滤波器
在线阅读
下载PDF
职称材料
基于SiC MOSFET的同步Buck变换器电磁干扰噪声分析及预测
被引量：
7
2
作者
成林
欧宏
+2 位作者
毕闯
冯思朦
吴经锋
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2021年第S02期627-634,643,共9页
碳化硅(SiC)MOSFET相比于传统的硅型MOSFET,具有更高的工作结温和更大的功率密度。但由于其更快的开关速度以及电路中存在的寄生参数,SiC MOSFET的输出波形会产生很大的开关振荡。该文基于开关过程的等效模型,建立分析模型以计算同步Buc...
碳化硅(SiC)MOSFET相比于传统的硅型MOSFET,具有更高的工作结温和更大的功率密度。但由于其更快的开关速度以及电路中存在的寄生参数,SiC MOSFET的输出波形会产生很大的开关振荡。该文基于开关过程的等效模型,建立分析模型以计算同步Buck变换器开关波形的频谱以及相应的频谱边界。通过将实验结果与数值计算结果进行比较,准确地预测出开关波形频谱的边界,并且发现,SiC MOSFET的寄生参数对高频成分含量及其边界具有明显的影响。
展开更多
关键词
碳化硅MOSFET
寄生参数
频谱
频谱边界
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
基于SiC MOSFET同步BuckDC-DC变换器的宽频混合EMI滤波器设计
被引量：
4
1
作者
徐浩东
罗嗣勇
毕闯
孙渭薇
赵海英
刘娇健
机构
国网陕西省电力有限公司电力科学研究院
电子科技大学航空航天学院/飞行器集群智能感知与协同控制四川省重点实验室
国网陕西省电力有限公司营销服务中心
国网西安市南供电公司
出处
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2024年第10期3060-3069,共10页
基金
国网陕西省电力有限公司科技资助项目(5226KY23000H)。
文摘
由于SiC MOSFET在高速开关电源中的广泛应用,导致严重的电磁干扰(EMI)问题,因此EMI滤波器的设计成为研究热点。为了满足电磁兼容(EMC)标准,无源EMI滤波器可以有效地降低DC-DC变换器产生的电磁干扰,但是无源磁性器件的体积较大,不利于提高DC-DC变换器的功率密度。该文分析DC-DC变换器的电磁干扰源和噪声源阻抗特性,建立无源和有源EMI滤波器的理论模型,提出宽频混合EMI滤波器的设计方法。最后,通过实验验证宽频混合EMI滤波器对DC-DC变换器EMI的抑制效果。
关键词
SIC
MOSFET
电磁干扰(EMI)
噪声源阻抗
混合
EMI
滤波器
Keywords
SiC MOSFET
electromagnetic interference(EMI)
noise source impedance
hybrid EMI filter
分类号
TM133 [电气工程—电工理论与新技术]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
基于SiC MOSFET的同步Buck变换器电磁干扰噪声分析及预测
被引量：
7
2
作者
成林
欧宏
毕闯
冯思朦
吴经锋
机构
国网陕西省电力公司电力科学研究院
电子科技大学航空航天学院/飞行器集群智能感知与协同控制四川省重点实验室
国网陕西送变电工程有限公司
出处
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2021年第S02期627-634,643,共9页
基金
国家重点研发计划(2018YFB0106101)
国家自然科学基金(U1866201)
+1 种基金
四川省科技计划(2019YFH0003,2020ZHCG0061)
中央高校基本科研业务费项目(ZYGX2019J089)资助。
文摘
碳化硅(SiC)MOSFET相比于传统的硅型MOSFET,具有更高的工作结温和更大的功率密度。但由于其更快的开关速度以及电路中存在的寄生参数,SiC MOSFET的输出波形会产生很大的开关振荡。该文基于开关过程的等效模型,建立分析模型以计算同步Buck变换器开关波形的频谱以及相应的频谱边界。通过将实验结果与数值计算结果进行比较,准确地预测出开关波形频谱的边界,并且发现,SiC MOSFET的寄生参数对高频成分含量及其边界具有明显的影响。
关键词
碳化硅MOSFET
寄生参数
频谱
频谱边界
Keywords
SiC MOSFET
parasitic parameters
spectrum
spectral bound
分类号
TM46 [电气工程—电器]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于SiC MOSFET同步BuckDC-DC变换器的宽频混合EMI滤波器设计
徐浩东
罗嗣勇
毕闯
孙渭薇
赵海英
刘娇健
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2024
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于SiC MOSFET的同步Buck变换器电磁干扰噪声分析及预测
成林
欧宏
毕闯
冯思朦
吴经锋
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2021
7
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
