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基于Spartan-6的多路网络数据采集卡设计与实现
被引量:
1
1
作者
田丹
李浩
+1 位作者
鄢林
陈曦
《电子产品世界》
2011年第12期68-69,共2页
网络正在成为当今社会通信的骨干力量,网络监控的研究需求日益迫切。本文介绍了多路网络数据采集卡系统设计与实现,以Xilinx Spartan 6系列FPGA为平台,采集8路10/100M网络数据,引入队列管理机制和乒乓原理后,通过PCIe接口发送到PC机做...
网络正在成为当今社会通信的骨干力量,网络监控的研究需求日益迫切。本文介绍了多路网络数据采集卡系统设计与实现,以Xilinx Spartan 6系列FPGA为平台,采集8路10/100M网络数据,引入队列管理机制和乒乓原理后,通过PCIe接口发送到PC机做分析。最后通过实际测试,验证了该卡的正确性。
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关键词
Spartan-6
DMA
队列管理
PCIE
乒乓操作
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职称材料
DSP专用高速乘法器的设计
2
作者
李磊
何春
曾波
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2008年第6期57-59,62,共4页
介绍了一种DSP专用高速乘法器的设计方法.该乘法器采用了最优化Booth编码算法,降低了部分乘积的数目,采用Wallace Tree最优化的演算法和快速超前进位加法器来进一步提高电路的运算速度.该乘法器在一个时钟周期内可以完成16位有符号/无...
介绍了一种DSP专用高速乘法器的设计方法.该乘法器采用了最优化Booth编码算法,降低了部分乘积的数目,采用Wallace Tree最优化的演算法和快速超前进位加法器来进一步提高电路的运算速度.该乘法器在一个时钟周期内可以完成16位有符号/无符号二进制数乘法运算和复乘运算,在slow corner下最高频率可达220MHz以上.本乘法器是一DSP内核的专用乘法单元,整个设计简单高效.
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关键词
乘法器
Booth编码算法
Wallace树形结构
快速超前进位加法器
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职称材料
质子引入的6T SRAM单粒子翻转截面预测模型
3
作者
李磊
周婉婷
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期6-9,87,共5页
提出了一种基于SOI工艺6T SRAM单元质子辐射的单粒子饱和翻转截面的预测模型,该模型通过器件物理来模拟辐照效应,利用版图和工艺参数来预测质子引入的单粒子饱和翻转截面。该模型采用重离子的SPICE测试程序对质子辐射的翻转截面进行预测...
提出了一种基于SOI工艺6T SRAM单元质子辐射的单粒子饱和翻转截面的预测模型,该模型通过器件物理来模拟辐照效应,利用版图和工艺参数来预测质子引入的单粒子饱和翻转截面。该模型采用重离子的SPICE测试程序对质子辐射的翻转截面进行预测,该方法简单高效,测试实例表明在0.15μm SOI工艺下,预测的质子引入的单粒子翻转饱和截面和实际测试的翻转截面一致。
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关键词
质子
静态存储器
绝缘体上硅
翻转截面
线性传输能量
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职称材料
题名
基于Spartan-6的多路网络数据采集卡设计与实现
被引量:
1
1
作者
田丹
李浩
鄢林
陈曦
机构
电子科技大学电科院
出处
《电子产品世界》
2011年第12期68-69,共2页
文摘
网络正在成为当今社会通信的骨干力量,网络监控的研究需求日益迫切。本文介绍了多路网络数据采集卡系统设计与实现,以Xilinx Spartan 6系列FPGA为平台,采集8路10/100M网络数据,引入队列管理机制和乒乓原理后,通过PCIe接口发送到PC机做分析。最后通过实际测试,验证了该卡的正确性。
关键词
Spartan-6
DMA
队列管理
PCIE
乒乓操作
分类号
TP274.2 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
DSP专用高速乘法器的设计
2
作者
李磊
何春
曾波
机构
电子科技大学电科院
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2008年第6期57-59,62,共4页
文摘
介绍了一种DSP专用高速乘法器的设计方法.该乘法器采用了最优化Booth编码算法,降低了部分乘积的数目,采用Wallace Tree最优化的演算法和快速超前进位加法器来进一步提高电路的运算速度.该乘法器在一个时钟周期内可以完成16位有符号/无符号二进制数乘法运算和复乘运算,在slow corner下最高频率可达220MHz以上.本乘法器是一DSP内核的专用乘法单元,整个设计简单高效.
关键词
乘法器
Booth编码算法
Wallace树形结构
快速超前进位加法器
Keywords
multiplier
optimal Booth coder
optimal Wallace Tree
FCLA
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
质子引入的6T SRAM单粒子翻转截面预测模型
3
作者
李磊
周婉婷
机构
电子科技大学电科院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期6-9,87,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60873076和61076096)
文摘
提出了一种基于SOI工艺6T SRAM单元质子辐射的单粒子饱和翻转截面的预测模型,该模型通过器件物理来模拟辐照效应,利用版图和工艺参数来预测质子引入的单粒子饱和翻转截面。该模型采用重离子的SPICE测试程序对质子辐射的翻转截面进行预测,该方法简单高效,测试实例表明在0.15μm SOI工艺下,预测的质子引入的单粒子翻转饱和截面和实际测试的翻转截面一致。
关键词
质子
静态存储器
绝缘体上硅
翻转截面
线性传输能量
Keywords
proton
SRAM
silicon-on-insulator (SOI)
cross section
linear transfer energy
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于Spartan-6的多路网络数据采集卡设计与实现
田丹
李浩
鄢林
陈曦
《电子产品世界》
2011
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
DSP专用高速乘法器的设计
李磊
何春
曾波
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2008
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
质子引入的6T SRAM单粒子翻转截面预测模型
李磊
周婉婷
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
在线阅读
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职称材料
已选择
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