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集成电子薄膜材料研究进展
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作者 李言荣 张万里 +2 位作者 刘兴钊 朱俊 闫裔超 《中国材料进展》 CAS CSCD 2013年第2期102-106,共5页
首先分析了当前我国电子信息产业的现状,特别是电子材料与元器件行业的状况,结合国际上电子信息技术的发展趋势,阐述了研究集成电子材料的重要意义。文章结合作者的工作主要介绍了介电/GaN集成电子薄膜生长控制与性能研究情况,采用TiO2... 首先分析了当前我国电子信息产业的现状,特别是电子材料与元器件行业的状况,结合国际上电子信息技术的发展趋势,阐述了研究集成电子材料的重要意义。文章结合作者的工作主要介绍了介电/GaN集成电子薄膜生长控制与性能研究情况,采用TiO2(诱导层)/MgO(阻挡层)组合缓冲层的方法控制介电/GaN集成薄膜生长取向、界面扩散,保护GaN基半导体材料的性能,降低介电/GaN集成薄膜界面态密度,建立界面可控的相容性生长方法。通过集成结构的设计与加工,研制出介电增强型GaN HEMT器件、高耐压GaN功率器件原型以及一体化集成的微波电容、变容管、压控振荡器、混频器等新型元器件。 展开更多
关键词 薄膜技术 电子材料 电子器件
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基于移频外差的高速光电子器件自校准高频分析 被引量:1
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作者 张尚剑 王梦珂 +2 位作者 张雅丽 张旨遥 刘永 《应用科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第4期630-639,共10页
高速光电子器件是大容量光通信系统和宽带微波光子系统的基础,器件的高频响应测量对于实现电光和光电转换具有重要的意义.为此,基于光外差理论提出了移频外差方法用于实现从光域光谱到电域电谱的映射,在电域获得光谱和电谱的联合分析.... 高速光电子器件是大容量光通信系统和宽带微波光子系统的基础,器件的高频响应测量对于实现电光和光电转换具有重要的意义.为此,基于光外差理论提出了移频外差方法用于实现从光域光谱到电域电谱的映射,在电域获得光谱和电谱的联合分析.实验中,通过配置电域谱线的频率关系,利用移频外差将所需光载波和边带从光域映射到电域,实现了高速马赫-曾德尔调制器、相位调制器和光电探测器的自校准高频测试,获得了马赫-曾德尔调制器的调制指数、半波电压和啁啾参数、相位调制器的调制指数、半波电压以及光电探测器的响应度等多种高频参数.结果表明,该方法具有宽频段、高分辨率、多参数、自校准测试的优点. 展开更多
关键词 电光调制器 光电探测器 频率响应 微波光子 光学外差
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多元氧化物电子薄膜材料的单胞生长模式与界面应力诱导效应的研究
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作者 李言荣 朱俊 +7 位作者 张鹰 李金隆 魏贤华 梁柱 张万里 吴传贵 刘兴钊 陶伯万 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第S1期577-593,共17页
多元氧化物薄膜,特别是ABO_3钙钛矿结构的薄膜由于有铁电、压电、热释电和超导等特性和在多功能电子器件上的广泛应用而成为电子功能材料研究的热点.该文利用激光分子束外延和磁控溅射等薄膜制备技术,采用反射式高能电子衍射(RHEED)对... 多元氧化物薄膜,特别是ABO_3钙钛矿结构的薄膜由于有铁电、压电、热释电和超导等特性和在多功能电子器件上的广泛应用而成为电子功能材料研究的热点.该文利用激光分子束外延和磁控溅射等薄膜制备技术,采用反射式高能电子衍射(RHEED)对薄膜的生长进行原位实时的检测分析,确定了在不同的工艺条件下氧化物薄膜的层状、层岛混合和岛状生长模式。优化了薄膜的生长条件,实现了对薄膜生长模式的有效控制,绘制出SrTiO_3、BaTiO_3等薄膜的生长模式图谱。测量计算了薄膜的表面活化能和沉积粒子在表面的有效扩散率,发现氧化物薄膜表面的生长运动单元具有活化能小、迁移时间长等重要特点,采用原子力显微镜(AFM)和掠入射XRD对层状生长薄膜的层厚结构进行了精细测量,提出了氧化物薄膜单胞生长动力学模型,即薄膜生长的主要单元是以B-O八面体为主体的单原胞基团.在此基础上,系统地研究了薄膜生长异质界面应力释放行为和对结构性能的影响,在小失配度、中等失配度和大失配度下体现出的不同生长规律,出现了在临界厚度下的相干外延、应变岛、双晶外延和近重位点阵等现象.最后,通过薄膜和衬底的失配度的选择来调整界面应力的影响,并通过工艺条件来诱导薄膜结构取向,如采用薄膜自外延技术和自缓冲层技术,有效地控制和大幅度改善了铁电薄膜、介电薄膜、超导薄膜和热释电薄膜的微结构和电磁性能。 展开更多
关键词 氧化物薄膜 外延生长 单胞 应力调控
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IUMRS-ICEM2012:电子材料科技前沿
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作者 王宁 李宝文 +1 位作者 刘宝丹 马衍伟 《中国材料进展》 CAS CSCD 2012年第10期56-57,共2页
2012年9月23~28日,"2012年国际材料联合会—电子材料国际会议"(IUMRS-ICEM2012)在日本横滨国际会议中心举行。国际材料联合会—电子材料国际会议是国际材联主办的系列会议,每2年召开1次,先后共举办5届。本次会议由日本材料... 2012年9月23~28日,"2012年国际材料联合会—电子材料国际会议"(IUMRS-ICEM2012)在日本横滨国际会议中心举行。国际材料联合会—电子材料国际会议是国际材联主办的系列会议,每2年召开1次,先后共举办5届。本次会议由日本材料研究学会承办。IUMRS-ICEM2012大会邀请报告共5篇,设专题研讨会39个,内容涉及环境友好电子材料、电子材料和器件、下一代先进电子材料以及先进电子材料的模拟、制造、加工和表征等各个方面。此外,大会还同期举办了3个论坛,分别为有利于"有利于能源与环境可持续发展的材料工程"论坛,"快速发展的世界材料教育战略"论坛,"发展合作式的材料教育网络平台"论坛。电子材料是解决全球性问题的关键,特别是环境和能源的可持续发展问题。本次会议围绕电子材料及相关技术的前沿,汇集国际学术界以及行业专家,旨在交流电子材料领域的最新进展,在展示近2年来全球电子材料科学与器件研究最新成果和进展的同时,探讨进一步发展的方向,从而推动电子材料及相关技术研究的可持续发展。本刊约请了几位参会专家学者,对相关材料前沿进行综合报道。 展开更多
关键词 电子材料 热电材料 科技前沿 环境可持续发展 国际会议中心 材料研究学会 环境友好 专家学者
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Ti-Sn体系合金稳定性及其电子结构的研究 被引量:7
5
作者 彭森 吴孟强 +2 位作者 王秀锋 张树人 何茗 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第22期73-76,共4页
基于第一性原理赝势平面波方法研究了具有不同结构类型的Ti-Sn体系中间相合金的基态性质,包括优化后的形成能、结合能、电荷密度和态密度等。计算结果表明,Ti-Sn体系合金的稳定性随Ti含量的增加而提高,但Ti6Sn5和Ti5Sn3的合金化能力比Ti... 基于第一性原理赝势平面波方法研究了具有不同结构类型的Ti-Sn体系中间相合金的基态性质,包括优化后的形成能、结合能、电荷密度和态密度等。计算结果表明,Ti-Sn体系合金的稳定性随Ti含量的增加而提高,但Ti6Sn5和Ti5Sn3的合金化能力比Ti3Sn、Ti2Sn、Ti2Sn3强得多。Ti-Sn体系合金的态密度显示了成键电子主要由Ti元素的3p、3d轨道电子和Sn元素的5p轨道电子贡献。Ti-Sn体系合金稳定性的差异主要是由于Fermi能级附近低能量区域的单位原子成键电子数不同造成的。 展开更多
关键词 第一性原理 形成能 结合能 电荷密度 态密度
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GaN基底上集成介电薄膜材料的生长方法研究 被引量:5
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作者 李言荣 朱俊 +2 位作者 罗文博 张万里 刘兴钊 《中国材料进展》 CAS CSCD 2012年第2期45-53,共9页
将以极化为特征、具有丰富功能特性的介电氧化物材料通过外延薄膜的方式,在半导体GaN上制备介电氧化物/GaN集成薄膜,其多功能一体化与界面耦合效应可推动电子系统单片集成化的进一步发展。然而,由于2类材料物理、化学性质的巨大差异,在... 将以极化为特征、具有丰富功能特性的介电氧化物材料通过外延薄膜的方式,在半导体GaN上制备介电氧化物/GaN集成薄膜,其多功能一体化与界面耦合效应可推动电子系统单片集成化的进一步发展。然而,由于2类材料物理、化学性质的巨大差异,在GaN上生长介电薄膜会出现严重的相容性生长问题。采用激光分子束外延技术(LMBE),通过弹性应变的TiO2的缓冲层来减小晶格失配度,降低介电薄膜生长温度,控制界面应变释放而产生的失配位错,提高了介电薄膜外延质量;通过低温外延生长MgO阻挡层,形成稳定的氧化物/GaN界面,阻挡后续高温生长产生的扩散反应;最终采用TiO2/MgO组合缓冲层控制介电/GaN集成薄膜生长取向、界面扩散,降低集成薄膜的界面态密度,保护GaN半导体材料的性能。所建立的界面可控的相容性生长方法,为相关集成器件的研发提供了一条可行的新途径。 展开更多
关键词 介电薄膜 GAN 缓冲层 界面控制 集成生长
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介电可调薄膜材料及压控微波器件研究 被引量:2
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作者 蒋书文 李汝冠 +2 位作者 王鲁豫 刘兴钊 李言荣 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期609-617,共9页
利用介电可调薄膜材料的调谐特性研制的介质压控微波器件高频特性好、功率容量大、响应速度快,还有易集成、功耗小、成本低、可靠性高的特点,相比半导体管、铁氧体以及MEMS器件有明显的优势。该文系统介绍了近年来国内外介电可调薄膜材... 利用介电可调薄膜材料的调谐特性研制的介质压控微波器件高频特性好、功率容量大、响应速度快,还有易集成、功耗小、成本低、可靠性高的特点,相比半导体管、铁氧体以及MEMS器件有明显的优势。该文系统介绍了近年来国内外介电可调薄膜材料及压控微波器件的研究进展,并结合作者的工作评述了介电可调薄膜材料和压控微波器件的应用情况。除研究最为集中的钛酸锶钡BaxSr1-xTiO3(BST)材料,还介绍了具有较高调谐率的铋基焦绿石铌酸铋镁Bi1.5MgNb1.5O7(BMN)薄膜材料,该材料介电损耗低(约0.002),介电常数适中(约86),温度系数小,是一种极具发展前景的微波介电可调材料。 展开更多
关键词 钛酸锶钡BST薄膜 铌酸铋镁BMN薄膜 介电可调薄膜材料 压控微波器件
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精确计算电子重整化链图传播下的Compton散射微分截面 被引量:3
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作者 汪先友 陈文锁 +2 位作者 方祯云 彭庆军 王凯俊 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期335-343,共9页
采用电子与光子电磁相互作用最小耦合模型,对电子重整化链图传播下Compton散射微分截面作了严格解析计算,获得精确理论结果;并将该计算结果与电子树图和重整化单圈图传播下Compton散射微分截面作对比分析,获得了有关辐射修正的重要信息... 采用电子与光子电磁相互作用最小耦合模型,对电子重整化链图传播下Compton散射微分截面作了严格解析计算,获得精确理论结果;并将该计算结果与电子树图和重整化单圈图传播下Compton散射微分截面作对比分析,获得了有关辐射修正的重要信息.此研究结果对精确描述Compton散射现象以及对电磁相互作用所呈现的复杂内部过程的深入探讨,都将从一个重要研究侧面给出理论计算研究方面某些可供借鉴与参考之处. 展开更多
关键词 COMPTON散射 微分散射截面 重整化链图传播子 最小电磁耦合模型
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LaAlO_3/SrTiO_3界面的电子结构及光学性质的第一性原理研究 被引量:2
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作者 唐明君 杨仕清 +2 位作者 梁桃华 杨清学 刘科 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期665-669,共5页
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,结合局域密度近似(LDA)研究了钙钛矿结构氧化物LaAlO3/SrTiO3界面的电子结构及光学性质.能带结构分析表明当形成(AlO2)-/(TiO2)0界面时其禁带宽度为1.888eV,呈现绝缘体的性质... 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,结合局域密度近似(LDA)研究了钙钛矿结构氧化物LaAlO3/SrTiO3界面的电子结构及光学性质.能带结构分析表明当形成(AlO2)-/(TiO2)0界面时其禁带宽度为1.888eV,呈现绝缘体的性质,当形成(LaO)+/(SrO)0界面时其禁带宽度为0.021eV,呈现半导体或半金属性质.同时,对不同界面的光学性质也进行了研究,结果表明纯相的LaA-lO3和SrTiO3的吸收系数、反射系数及能量损失谱强度明显高于由这两种单质形成不同界面的强度. 展开更多
关键词 LAALO3 SrTiO3界面 电子结构 光学性质 第一性原理
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β-CaSiO_3晶体的电子结构及光学性质 被引量:1
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作者 何茗 张树人 +2 位作者 周晓华 李波 张婷 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期1-3,6,共4页
基于第一性原理的平面波赝势方法(PWP)的局域密度近似(LDA)/广义梯度近似(GGA)计算了β-Ca-SiO3的几何结构、能带结构、态密度和光学性质。其晶胞参数优化结果与实验相比,LDA/GGA的相对误差为-3.62%/1.91%。对优化后的β-CaSiO3晶体进... 基于第一性原理的平面波赝势方法(PWP)的局域密度近似(LDA)/广义梯度近似(GGA)计算了β-Ca-SiO3的几何结构、能带结构、态密度和光学性质。其晶胞参数优化结果与实验相比,LDA/GGA的相对误差为-3.62%/1.91%。对优化后的β-CaSiO3晶体进行能带结构分析表明,β-CaSiO3晶体为间接带隙结构,禁带宽度Eg(LDA)=5.53eV,Eg(GGA)=5.18eV。对态密度图及Mulliken电荷分布的分析表明,Ca的d轨道有电子分布,即Ca的s、p、d轨道均参与了成键。β-CaSiO3晶体中Ca与SiO3基团之间形成的化学键主要是离子键,而Si与O之间的化学键是共价键。 展开更多
关键词 β-CaSiO3 能带结构 电荷分布价键
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TaN薄膜在微波薄膜匹配负载器件中的应用
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作者 彭斌 蒋中东 +1 位作者 王磊 张万里 《微波学报》 CSCD 北大核心 2014年第S1期154-157,共4页
本文研究了Ta N薄膜在微波薄膜匹配负载器件中的应用。利用Ta N薄膜设计了工作频率为DC-18GHz,承受功率10W的匹配负载1,工作频率为DC-18GHz,承受功率60W的匹配负载2,以及工作频率为30-35GHz,承受功率为100W的高频高功率匹配负载3。采用... 本文研究了Ta N薄膜在微波薄膜匹配负载器件中的应用。利用Ta N薄膜设计了工作频率为DC-18GHz,承受功率10W的匹配负载1,工作频率为DC-18GHz,承受功率60W的匹配负载2,以及工作频率为30-35GHz,承受功率为100W的高频高功率匹配负载3。采用磁控溅射制备了Ta N电阻膜,采用掩膜图形化技术制备了所设计的薄膜匹配负载器件。测试结果表明,三款器件的电压驻波比在各自工作频率范围内均小于1.3,和仿真结果基本一致。同时对器件3测试了其功率负载能力,在加载功率100W,加载时间60分钟后,器件表面最高温度为107°C,匹配负载的电阻值变化了1.4%,表明所制备的负载器件具有良好的功率承载能力。 展开更多
关键词 微波匹配负载 TA N薄膜 电压驻波比 高频大功率
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功率集成器件及其兼容技术的发展 被引量:4
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作者 乔明 袁柳 《电子与封装》 2021年第4期71-86,共16页
功率集成器件在交流转直流(AC/DC)电源转换IC、高压栅驱动IC、LED驱动IC等领域均有着广泛的应用。介绍了典型的可集成功率高压器件,包括不同电压等级的横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS)以及基于硅和SOI材料的横向绝缘栅... 功率集成器件在交流转直流(AC/DC)电源转换IC、高压栅驱动IC、LED驱动IC等领域均有着广泛的应用。介绍了典型的可集成功率高压器件,包括不同电压等级的横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS)以及基于硅和SOI材料的横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT),此外还介绍了高低压器件集成的BCD工艺和其他的功率集成关键技术,包括隔离技术、高压互连技术、dV/dt技术、di/dt技术、抗闩锁技术等,最后讨论了功率集成器件及其兼容技术的发展趋势。 展开更多
关键词 功率集成器件 横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 横向绝缘栅双极型晶体管 BCD工艺 兼容技术
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氧化物功能薄膜器件的柔性化策略 被引量:2
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作者 王倩 高能 +4 位作者 张天垚 姚光 潘泰松 高敏 林媛 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期14-21,共8页
以可延展和可弯曲为特点的柔性电子器件因其在信息、医疗、能源等领域的巨大前景而受到众多研究者的广泛关注,成为近年来的研究热点。氧化物功能薄膜材料由于其丰富的电学/磁学/光学等性能及独特的多场耦合特性,成为物理学和材料学的重... 以可延展和可弯曲为特点的柔性电子器件因其在信息、医疗、能源等领域的巨大前景而受到众多研究者的广泛关注,成为近年来的研究热点。氧化物功能薄膜材料由于其丰富的电学/磁学/光学等性能及独特的多场耦合特性,成为物理学和材料学的重要研究对象,并被应用于各种电学/光学器件中。随着器件越来越多地应用于各种复杂曲面环境以及与人体或人体组织密切贴合,对氧化物薄膜器件可延展和可弯曲等柔性化的需求日益迫切。由于高质量氧化物薄膜的生长需要较高的温度,且对生长基底和薄膜之间的界面控制要求较高,因此,氧化物薄膜与可延展柔性基底的集成存在很大的挑战。将氧化物薄膜直接沉积在柔性金属箔片或高分子基底上,需要克服金属基底与薄膜界面控制困难或高分子基底对生长温度的耐受性差等困难。在刚性基底上沉积功能氧化物薄膜后,通过剥离、转印到可延展柔性基底上是一种解决方案。但其中的挑战在于如何可控地将薄膜完整地从生长基底剥离。针对这一挑战,发展了通过化学刻蚀牺牲层的化学转印技术和通过范德瓦尔斯外延或激光剥离的物理剥离方法。本文综述了近年来发展的氧化物薄膜器件柔性化的若干进展,归纳了以上几种主要的柔性化策略,包括在金属基底、高分子基底等柔性基底上直接生长和通过化学刻蚀和物理剥离转印等技术实现的柔性化,分析了几种柔性化策略的优势和局限性,总结了柔性氧化物薄膜器件制备中的挑战和机遇。 展开更多
关键词 金属氧化物 功能薄膜 柔性化策略 直接生长法 化学转印法 物理剥离法
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BaO含量对一种微电子封装材料性能的影响 被引量:2
14
作者 于东英 聂永峰 邓新峰 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第3期438-441,共4页
采用传统固相反应法,制备了一种微电子封装材料,并对其进行了电、力、热性能测试,及XRD、SEM分析表征,具体研究了BaO含量对该材料性能的影响。结果表明:BaO对主晶相石英没有太大的影响,促进钡长石的形成,抑制方石英相的析出,其含量增加... 采用传统固相反应法,制备了一种微电子封装材料,并对其进行了电、力、热性能测试,及XRD、SEM分析表征,具体研究了BaO含量对该材料性能的影响。结果表明:BaO对主晶相石英没有太大的影响,促进钡长石的形成,抑制方石英相的析出,其含量增加能在一定程度上改善材料的介电性能,但会逐渐破坏玻璃网络,影响到材料的力学和热学性能,导致抗弯强度降低,热膨胀系数减小。 展开更多
关键词 微电子 封装材料 石英 方石英 抗弯强度 热膨胀系数
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双轴应变对纤锌矿GaN、AlN、InN及其合金电子有效质量的影响(英文)
15
作者 周卓帆 张继华 +3 位作者 刘伟 杨传仁 陈宏伟 赵强 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期318-324,340,共8页
利用第一性原理计算方法密度泛函理论的局域密度近似计算了纤锌矿氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)及其合金在双轴应变下的电子有效质量。对于GaN和AlN,张应变使电子有效质量增大而压应变使电子有效质量减少,但却使InN电子有效质... 利用第一性原理计算方法密度泛函理论的局域密度近似计算了纤锌矿氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)及其合金在双轴应变下的电子有效质量。对于GaN和AlN,张应变使电子有效质量增大而压应变使电子有效质量减少,但却使InN电子有效质量在张应变和压应变下都增大。由于三元合金(AlxGa1-xN,InxGa1-xN和AlxIn1-xN)与GaN异质结的新颖特性,同时计算了三元合金在松弛和应变下电子有效质量的变化趋势。受制于GaN基板的平面应力,外延AlxGa1-xN和AlxIn1-xN电子有效质量将减少,而InxGa1-xN电子有效质量增大,且随着In含量变大而更显著。对铟氮化合物应变下电子有效质量异常的机制也做了讨论。 展开更多
关键词 Ⅲ族氮化物 电子有效质量 双轴应变 能带结构 第一性原理
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闪锌矿GaN(110)表面原子和电子结构的理论计算
16
作者 吴松 杨传仁 +2 位作者 吴强 陈宏伟 张继华 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期615-620,共6页
在密度泛函理论的基础上,采用平面波赝势方法计算了立方GaN(110)表面的原子和电子结构。结构优化表明最表层原子都向体内弛豫,且金属Ga原子弛豫幅度比非金属N原子大,同时各层层间距呈交错分布。表面弛豫后,最表层原子发生键长收缩的弛... 在密度泛函理论的基础上,采用平面波赝势方法计算了立方GaN(110)表面的原子和电子结构。结构优化表明最表层原子都向体内弛豫,且金属Ga原子弛豫幅度比非金属N原子大,同时各层层间距呈交错分布。表面弛豫后,最表层原子发生键长收缩的弛豫特性,表面Ga原子趋于形成sp2杂化得到的平面型构形,而表面N原子趋于形成p3型锥形结构。另外,理想立方GaN(110)表面在带隙中有两个明显的表面态,经过弛豫后,分别向价带和导带方向移动,并解释了导带底附近的表面态移动的幅度比价带顶附近的表面态大的原因主要由于表面Ga、N原子弛豫幅度不同引起的。此外,弛豫后,表面电荷重新分布,Ga原子周围的部分电子转移到N原子上。 展开更多
关键词 第一性原理 氮化镓 电子结构 表面弛豫
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钽酸锂单晶薄膜的退火处理与微结构分析
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作者 杨杰 高艺卓 +3 位作者 朱代磊 帅垚 吴传贵 罗文博 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第4期545-549,共5页
离子注入剥离技术制备的钽酸锂单晶薄膜可用于高品质因数和低热漂移窄带射频滤波器,但高能离子注入使钽酸锂薄膜存在缺陷及晶格损伤,限制了器件性能的提升,无法充分发挥单晶薄膜的性能优势。使用退火工艺对钽酸锂薄膜进行损伤修复,采用... 离子注入剥离技术制备的钽酸锂单晶薄膜可用于高品质因数和低热漂移窄带射频滤波器,但高能离子注入使钽酸锂薄膜存在缺陷及晶格损伤,限制了器件性能的提升,无法充分发挥单晶薄膜的性能优势。使用退火工艺对钽酸锂薄膜进行损伤修复,采用拉曼光谱对不同温度退火的钽酸锂薄膜进行表征测试,分析了退火温度对钽酸锂薄膜成分和缺陷的影响。结果表明,退火处理修复了钽酸锂薄膜的锂空位缺陷,降低了钽酸锂薄膜的氧空位等成分偏析。 展开更多
关键词 钽酸锂单晶薄膜 退火处理 拉曼光谱 晶体缺陷 薄膜成分偏析
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横向超结器件耐压与比导的优值仿真与实验验证
18
作者 杨昆 乔明 +1 位作者 何俊卿 王睿 《电子与封装》 2020年第10期53-56,共4页
从超结电荷场对电势场的调制机理出发,以等效衬底模型(ES模型)和理想衬底条件为指导,在横向SOI超结器件中利用电荷补偿的思想得到理想衬底。对于已拥有理想衬底的横向超结器件固定其条宽W,长度LSJ,不断增加超结浓度NSJ,并观察得到的仿... 从超结电荷场对电势场的调制机理出发,以等效衬底模型(ES模型)和理想衬底条件为指导,在横向SOI超结器件中利用电荷补偿的思想得到理想衬底。对于已拥有理想衬底的横向超结器件固定其条宽W,长度LSJ,不断增加超结浓度NSJ,并观察得到的仿真结果,通过计算FOM=VB2/Ron,sp的值发现优质在6×10^16cm^-3掺杂浓度下所对应的击穿电压VB(Voltage-Breakdown)和比导通导通电阻(specific on-resistance Ron,sp)最佳折中关系。利用此思想在0.5μm工艺平台上通过对不同的超结注入剂量的实验,实现了0.8μm超结条宽下横向超结器件的最高优值。 展开更多
关键词 超结器件 导通电阻Ron sp 击穿电压VB
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高温老化和可靠性试验对Pt薄膜微型温度传感器的性能影响
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作者 叶先微 李江 +3 位作者 张羽 乔正阳 刘成明 蒋洪川 《微纳电子技术》 CAS 2024年第5期121-126,共6页
设计了一种铂(Pt)薄膜热电阻微型温度传感器,采用磁控溅射方法制备传感器薄膜,使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、能谱仪(EDS)等手段对老化前后的Pt薄膜组织进行了系统表征;采用温度标定法对Pt薄膜电阻的温度-电阻特性进行了... 设计了一种铂(Pt)薄膜热电阻微型温度传感器,采用磁控溅射方法制备传感器薄膜,使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、能谱仪(EDS)等手段对老化前后的Pt薄膜组织进行了系统表征;采用温度标定法对Pt薄膜电阻的温度-电阻特性进行了研究;通过振动、冲击、温度冲击等试验研究了温度传感器的环境可靠性。结果表明,老化处理增加了Pt薄膜组织结晶度,减少了组织中的杂质元素、降低了Pt薄膜电阻;线性拟合得出Pt薄膜温度-电阻线性度为0.999 93,具有良好的线性关系;可靠性试验后Pt薄膜电阻上升,测温精度一定程度上受到影响,但误差不大于0.205 K,满足高精度传感器的要求。 展开更多
关键词 Pt薄膜热电阻 微型温度传感器 磁控溅射 可靠性试验 高精度
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宽禁带功率半导体器件技术 被引量:22
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作者 张波 邓小川 +1 位作者 陈万军 李肇基 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期618-623,共6页
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。... 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。该文总结了宽禁带SiC和GaN功率半导体器件研发的最新进展,包括各种功率二极管和功率晶体管。同时对宽禁带SiC和GaN功率半导体器件发展所面临的市场和技术挑战进行了分析与概述,并对其发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 氮化镓 功率器件 碳化硅 宽禁带半导体
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