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用于单片集成传感系统的多晶硅级联自发光器件研究: 1; 作者唐宇罗谦 +2 位作者刘斯扬 SNYMAN Lukas W 徐开凯《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期180-188,共9页; 针对全硅光电生物传感器的硅基单片集成应用需求,提出了基于多晶硅级联自发光器件的单片集成传感器,对其中作为关键部分的多晶硅光源进行了试制,采用标准0.35μm的CMOS工艺对该光源进行了流片验证,并设计了适配的全硅波导检测结构。结... 展开更多; 关键词单片集成硅基光源氮化硅波导生物传感器折射率传感; 在线阅读下载PDF 职称材料

超宽禁带氧化镓功率器件新结构及其电热特性研究进展: 2; 作者魏雨夕马昕宇 +2 位作者江泽俊魏杰罗小蓉《人工晶体学报》北大核心 2025年第2期263-275,共13页; 氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))具有超宽禁带(E_(g)=4.5~4.9 eV)和高临界击穿场强(E_(br)=8 MV/cm),器件的Baliga优值理论上可达SiC和GaN基器件的4倍和10倍。然而,氧化镓功率器件的耐压仍远低于理论值,且大功率器件及其热稳定性的研究较少;材... 展开更多; 关键词氧化镓功率半导体器件二极管场效应晶体管电热特性可靠性; 在线阅读下载PDF 职称材料

1500 V超结功率MOS器件优化与电容特性研究: 3; 作者种一宁李珏乔明《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期2271-2278,共8页; 本文利用半超结结构进行高压超结功率金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor,MOS)器件的设计,基于Sentaurus TCAD(Technology Computer Aided Design)仿真平台设计超结元胞结构并优化高压超结功率MOS器件的击穿电压与导通电阻,随... 展开更多; 关键词超结VDMOS 元胞击穿电压比导通电阻寄生电容; 在线阅读下载PDF 职称材料

氧分压对a-Ga_(2)O_(3)基日盲紫外光电探测器性能的影响研究被引量：1: 4; 作者杨瑞杨斯铄钱凌轩《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期96-104,共9页; 非晶氧化镓(a-Ga_(2)O_(3))基日盲紫外光电探测器的性能与a-Ga_(2)O_(3)薄膜内的氧空位有关,氧空位的浓度制约着探测器的响应度和响应速度。为了在探测器的响应度和响应速度之间达到平衡,本文通过微调射频磁控溅射过程中的氧分压,调控... 展开更多; 关键词非晶氧化镓日盲紫外光电探测器响应度射频磁控溅射; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于单片集成传感系统的多晶硅级联自发光器件研究: 1; 作者唐宇罗谦刘斯扬 SNYMAN Lukas W 徐开凯; 机构电子科技大学电子薄膜与集成器件全国重点实验室东南大学国家ASIC工程中心南非大学电子工程系; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期180-188,共9页; 基金国家自然科学基金(No.62174018) 四川省科技厅重点研发项目(No.2023YFG0141)。; 文摘针对全硅光电生物传感器的硅基单片集成应用需求,提出了基于多晶硅级联自发光器件的单片集成传感器,对其中作为关键部分的多晶硅光源进行了试制,采用标准0.35μm的CMOS工艺对该光源进行了流片验证,并设计了适配的全硅波导检测结构。结果表明,多晶硅光源发光特征峰为635 nm、700 nm和785 nm,该特征峰作为波导入射光源时,设计的全硅波导检测结构能够实现检测目的。; 关键词单片集成硅基光源氮化硅波导生物传感器折射率传感; Keywords Monolithic integrated Silicon-based light source Silicon nitride waveguide Biosensor Refractive index sensing; 分类号 TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名超宽禁带氧化镓功率器件新结构及其电热特性研究进展: 2; 作者魏雨夕马昕宇江泽俊魏杰罗小蓉; 机构电子科技大学电子薄膜与集成器件全国重点实验室成都信息工程大学微电子学院; 出处《人工晶体学报》北大核心 2025年第2期263-275,共13页; 基金稳定专项(WDZC202446003) 电子薄膜与集成器件全国重点实验室开放课题项目(KFJJ202306)。; 文摘氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))具有超宽禁带(E_(g)=4.5~4.9 eV)和高临界击穿场强(E_(br)=8 MV/cm),器件的Baliga优值理论上可达SiC和GaN基器件的4倍和10倍。然而,氧化镓功率器件的耐压仍远低于理论值,且大功率器件及其热稳定性的研究较少;材料热导率低和缺陷多也导致器件发生电学特性漂移、性能加速退化等可靠性问题。本文首先介绍本团队在氧化镓功率器件新结构方面的研究进展,对研制的样品进行测试分析并研究其电热特性;然后开展了氧化镓金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和异质结场效应晶体管(HJFET)的电热可靠性研究,本团队提出电离陷阱模型和界面偶极子电离模型解释其性能退化机制,此外,提出了一种新的可靠性加固技术,以提高β-Ga_(2)O_(3)HJFET的电热可靠性。结果表明,氧化镓功率器件在高压、低功耗和高可靠性应用方面具有很大潜力。这些研究为氧化镓功率器件设计和优化提供新的思路,有力助推氧化镓功率器件实用化进程。; 关键词氧化镓功率半导体器件二极管场效应晶体管电热特性可靠性; Keywords β-Ga_(2)O_(3) power semiconductor device diode field effect transistor electro-thermal characteristic reliability; 分类号 O47 [理学—半导体物理] TN303 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名1500 V超结功率MOS器件优化与电容特性研究: 3; 作者种一宁李珏乔明; 机构电子科技大学电子薄膜与集成器件全国重点实验室电子科技大学广东电子信息工程研究院电子科技大学(深圳)高等研究院; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期2271-2278,共8页; 基金广东省基础与应用基础研究基金(No.2021B1515020031) 国家自然科学基金(No.62174024) 航空科学基金(No.201943080002)~~。; 文摘本文利用半超结结构进行高压超结功率金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor,MOS)器件的设计,基于Sentaurus TCAD(Technology Computer Aided Design)仿真平台设计超结元胞结构并优化高压超结功率MOS器件的击穿电压与导通电阻,随后探究了寄生电容的特性.最后,基于多次外延工艺自主设计出一款器件结构仿真击穿电压1658 V、工艺仿真击穿电压1598 V、比导通电阻值303 mΩ·cm^(2)的高压超结功率MOS器件,与相同耐压值器件相比,比导通电阻值下降约50%.同时探究了超结掺杂浓度与厚度以及电压支持层掺杂浓度与厚度4个主要结构参数对器件寄生电容特性的影响.; 关键词超结VDMOS 元胞击穿电压比导通电阻寄生电容; Keywords super junction VDMOS cell breakdown voltage specific on-resistance parasitic capacitance; 分类号 TN323.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氧分压对a-Ga_(2)O_(3)基日盲紫外光电探测器性能的影响研究被引量：1: 4; 作者杨瑞杨斯铄钱凌轩; 机构电子科技大学电子薄膜与集成器件全国重点实验室电子科技大学重庆微电子产业技术研究院; 出处《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期96-104,共9页; 基金国家自然科学基金资助项目(62174025)。; 文摘非晶氧化镓(a-Ga_(2)O_(3))基日盲紫外光电探测器的性能与a-Ga_(2)O_(3)薄膜内的氧空位有关,氧空位的浓度制约着探测器的响应度和响应速度。为了在探测器的响应度和响应速度之间达到平衡,本文通过微调射频磁控溅射过程中的氧分压,调控薄膜内的氧空位浓度,并在此基础上成功制备金属-半导体-金属(metal-semiconductor-metal,MSM)型日盲紫外探测器。研究结果显示,通过掺入氧气能减少薄膜内的氧空位,改善薄膜的致密度。适当条件的氧分压可以使探测器在维持良好响应度的前提下,同时拥有较快的响应速度,在两种互相制约的特性上达到了平衡。特别地,在3%氧分压条件下制备得到的日盲探测器在254 nm、80μW/cm^(2)的紫外光照射下具有2.6 A/W的响应度以及2.2 s/0.96 s的快速响应速度。; 关键词非晶氧化镓日盲紫外光电探测器响应度射频磁控溅射; Keywords a-Ga_(2)O_(3) solar-blind photodetector responsivity radio frequency magnetron sputtering; 分类号 TN23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	用于单片集成传感系统的多晶硅级联自发光器件研究	唐宇罗谦刘斯扬 SNYMAN Lukas W 徐开凯	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	超宽禁带氧化镓功率器件新结构及其电热特性研究进展	魏雨夕马昕宇江泽俊魏杰罗小蓉	《人工晶体学报》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	1500 V超结功率MOS器件优化与电容特性研究	种一宁李珏乔明	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	氧分压对a-Ga_(2)O_(3)基日盲紫外光电探测器性能的影响研究	杨瑞杨斯铄钱凌轩	《光电工程》 CAS CSCD 北大核心	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料