系统级封装(System in Package,Si P)作为新一代的系统小型封装技术,是电子产品小型化和多功能化发展的一个重要方向,并将在包括军事、航天乃至生命科学在内的各领域当中都有广阔的应用前景以及发展空间。本文综述了目前国内外Si P的关...系统级封装(System in Package,Si P)作为新一代的系统小型封装技术,是电子产品小型化和多功能化发展的一个重要方向,并将在包括军事、航天乃至生命科学在内的各领域当中都有广阔的应用前景以及发展空间。本文综述了目前国内外Si P的关键技术研究进展,并对今后面临的挑战与发展趋势进行了讨论。展开更多
本文介绍了一种基于平面肖特基势垒二极管的440GHz次谐波混频器,采用三维建模提取寄生参数的仿真方法,电路为石英基片悬置微带形式,反向并联二极管对倒置黏贴在基片上。电路中的无源结构以及二极管的线性寄生参数部分利用三维建模并进...本文介绍了一种基于平面肖特基势垒二极管的440GHz次谐波混频器,采用三维建模提取寄生参数的仿真方法,电路为石英基片悬置微带形式,反向并联二极管对倒置黏贴在基片上。电路中的无源结构以及二极管的线性寄生参数部分利用三维建模并进行有限元法分析,最后与二极管的非线性部分联合进行谐波平衡仿真,通过仿真优化获得二极管的最佳嵌入电路。最终,仿真结果显示在3.3m W的本振驱动功率下,射频频率420~460GHz范围内单边带变频损耗低于10d B,在437GHz附近取得最佳值7.3 d B。展开更多
文摘系统级封装(System in Package,Si P)作为新一代的系统小型封装技术,是电子产品小型化和多功能化发展的一个重要方向,并将在包括军事、航天乃至生命科学在内的各领域当中都有广阔的应用前景以及发展空间。本文综述了目前国内外Si P的关键技术研究进展,并对今后面临的挑战与发展趋势进行了讨论。
文摘本文介绍了一种基于平面肖特基势垒二极管的440GHz次谐波混频器,采用三维建模提取寄生参数的仿真方法,电路为石英基片悬置微带形式,反向并联二极管对倒置黏贴在基片上。电路中的无源结构以及二极管的线性寄生参数部分利用三维建模并进行有限元法分析,最后与二极管的非线性部分联合进行谐波平衡仿真,通过仿真优化获得二极管的最佳嵌入电路。最终,仿真结果显示在3.3m W的本振驱动功率下,射频频率420~460GHz范围内单边带变频损耗低于10d B,在437GHz附近取得最佳值7.3 d B。
