本文探索了一种能用于大规模 MOS 集成电路的栅氧化技术—补充后的两步 TCE法。笔者采用该法,在一般工厂的工艺条件下,制得了90%以上的 MOS 电容,击穿电场大于6MV/cm,可动电荷密度约为10^(10)cm^(-2),固定电荷密度约为10^(11)cm^(-2)的...本文探索了一种能用于大规模 MOS 集成电路的栅氧化技术—补充后的两步 TCE法。笔者采用该法,在一般工厂的工艺条件下,制得了90%以上的 MOS 电容,击穿电场大于6MV/cm,可动电荷密度约为10^(10)cm^(-2),固定电荷密度约为10^(11)cm^(-2)的优质超薄氧化层。展开更多
本文提出运电容分压原理来解决α-Si:H MOSFET 栅压φ<sub>GS</sub>与表面电势φ<sub>S</sub> 关系的新方法,分析其转移特性和输出特性,唯象地解释了“积累”工作模式的源漏电流饱和现象.根据理论分析,设计并...本文提出运电容分压原理来解决α-Si:H MOSFET 栅压φ<sub>GS</sub>与表面电势φ<sub>S</sub> 关系的新方法,分析其转移特性和输出特性,唯象地解释了“积累”工作模式的源漏电流饱和现象.根据理论分析,设计并制出α-Si:H MOS FET 样品,测试结果表明理论与实验能较好吻合.展开更多
文摘本文提出运电容分压原理来解决α-Si:H MOSFET 栅压φ<sub>GS</sub>与表面电势φ<sub>S</sub> 关系的新方法,分析其转移特性和输出特性,唯象地解释了“积累”工作模式的源漏电流饱和现象.根据理论分析,设计并制出α-Si:H MOS FET 样品,测试结果表明理论与实验能较好吻合.
