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GaN基HEMT器件的表面陷阱充电效应研究
1
作者
罗谦
杜江锋
+5 位作者
罗大为
朱磊
龙飞
靳翀
周伟
杨谟华
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第11期856-858,867,共4页
设计了一种实验方法用以研究AlGaN/GaN外延表面陷阱充电效应对于薄膜电阻的影响,该效应与GaN基HEMT电流崩塌现象直接相关。测量获得了AlGaN/GaN异质结结构薄膜电阻在周期栅脉冲信号下的变化规律。薄膜电阻在低频区域对脉冲频率十分敏感...
设计了一种实验方法用以研究AlGaN/GaN外延表面陷阱充电效应对于薄膜电阻的影响,该效应与GaN基HEMT电流崩塌现象直接相关。测量获得了AlGaN/GaN异质结结构薄膜电阻在周期栅脉冲信号下的变化规律。薄膜电阻在低频区域对脉冲频率十分敏感,而在高频时出现饱和。当信号频率足够高时(≥4kHz),AlGaN/GaN薄膜将呈现高阻,器件关断,说明二维电子气已被表面陷阱电荷耗尽。该实验为研究表面陷阱与电流崩塌效应的关系提供了新的证据。
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关键词
氮化镓
表面态
电流崩塌
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职称材料
AlGaN/GaN HEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究
被引量：
1
2
作者
严地
罗谦
+4 位作者
卢盛辉
靳翀
罗大为
周伟
杨谟华
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期226-229,共4页
通过计算沟道电场的分布,研究了受主陷阱对AlGaN/GaN HEMT器件击穿特性的影响。研究发现,有受主陷阱的条件下,漏端出现电场峰值,栅端电场峰值被大幅度削减。当Vg=0 V,Vd=60 V,受主陷阱浓度NA=1×1017cm-3时,栅端电场峰值与不加受主...
通过计算沟道电场的分布,研究了受主陷阱对AlGaN/GaN HEMT器件击穿特性的影响。研究发现,有受主陷阱的条件下,漏端出现电场峰值,栅端电场峰值被大幅度削减。当Vg=0 V,Vd=60 V,受主陷阱浓度NA=1×1017cm-3时,栅端电场峰值与不加受主陷阱时相比可下降到56%。受陷阱电荷影响,当击穿电压大于某个电压时,漏端电场峰值超过栅端电场峰值,此时,击穿发生在漏端。该仿真结果修正了HEMT击穿总发生在栅端边缘处的传统看法。
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关键词
铝镓氮
氮化镓
高电子迁移率晶体管
电场
受主陷阱
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职称材料
题名
GaN基HEMT器件的表面陷阱充电效应研究
1
作者
罗谦
杜江锋
罗大为
朱磊
龙飞
靳翀
周伟
杨谟华
机构
电子科技大学微电子学与固体电子学学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第11期856-858,867,共4页
基金
国家自然科学基金(60076007)
文摘
设计了一种实验方法用以研究AlGaN/GaN外延表面陷阱充电效应对于薄膜电阻的影响,该效应与GaN基HEMT电流崩塌现象直接相关。测量获得了AlGaN/GaN异质结结构薄膜电阻在周期栅脉冲信号下的变化规律。薄膜电阻在低频区域对脉冲频率十分敏感,而在高频时出现饱和。当信号频率足够高时(≥4kHz),AlGaN/GaN薄膜将呈现高阻,器件关断,说明二维电子气已被表面陷阱电荷耗尽。该实验为研究表面陷阱与电流崩塌效应的关系提供了新的证据。
关键词
氮化镓
表面态
电流崩塌
Keywords
GaN
surface state
current collapse
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
AlGaN/GaN HEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究
被引量：
1
2
作者
严地
罗谦
卢盛辉
靳翀
罗大为
周伟
杨谟华
机构
电子科技大学微电子学与固体电子学学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期226-229,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60576007)
文摘
通过计算沟道电场的分布,研究了受主陷阱对AlGaN/GaN HEMT器件击穿特性的影响。研究发现,有受主陷阱的条件下,漏端出现电场峰值,栅端电场峰值被大幅度削减。当Vg=0 V,Vd=60 V,受主陷阱浓度NA=1×1017cm-3时,栅端电场峰值与不加受主陷阱时相比可下降到56%。受陷阱电荷影响,当击穿电压大于某个电压时,漏端电场峰值超过栅端电场峰值,此时,击穿发生在漏端。该仿真结果修正了HEMT击穿总发生在栅端边缘处的传统看法。
关键词
铝镓氮
氮化镓
高电子迁移率晶体管
电场
受主陷阱
Keywords
AlGaN
GaN
HEMT
electrical field
acceptor trap
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TN386 [电子电信—物理电子学]
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出处
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1
GaN基HEMT器件的表面陷阱充电效应研究
罗谦
杜江锋
罗大为
朱磊
龙飞
靳翀
周伟
杨谟华
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
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职称材料
2
AlGaN/GaN HEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究
严地
罗谦
卢盛辉
靳翀
罗大为
周伟
杨谟华
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
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