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微电子用光敏聚酰亚胺材料的分子设计研究 被引量：2
1
作者 李元勋 唐先忠 +1 位作者 何为 韩莉坤 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第12期44-46,共3页
光敏聚酰亚胺(PSPI)具有高耐热性、良好的电绝缘性、优异的机械和感光性能等,被认为是极具应用前景的光电功能材料,已成为新型功能高分子材料的研究热点。从已得到商品化的PSPI材料出发,通过材料的分子结构设计,提出了合成新型PSPI的新... 光敏聚酰亚胺(PSPI)具有高耐热性、良好的电绝缘性、优异的机械和感光性能等,被认为是极具应用前景的光电功能材料,已成为新型功能高分子材料的研究热点。从已得到商品化的PSPI材料出发,通过材料的分子结构设计,提出了合成新型PSPI的新思路,并根据有机合成的原理,简要论述了这几种新型PSPI的制备方法及提高PSPI性能的几条途径。 展开更多
关键词 新型 电绝缘性 感光性能 高耐热性 分子设计 制备方法 有机合成 用光 光敏聚酰亚胺 功能高分子材料
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微电子封装设备市场分析
2
作者 蒋明 杨邦朝 《电子与封装》 2005年第3期23-25,32,共4页
微电子封装与测试产业的快速增长带动了微电子封装设备市场的增长。本文介绍了近年的微电子封装设备市场的发展情况。
关键词 微电子封装 设备
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无铅铁电陶瓷电子发射性能 被引量：3
3
作者 陈忠道 张树人 +2 位作者 蔡雪梅 袁颖 郭曙光 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1607-1610,共4页
　铁电阴极材料,作为一种新型的功能材料,以其高的发射电流密度等优点而受到重视。鉴于目前研究的铁电阴极材料多局限于锆钛酸铅等含铅材料,作者采用无铅铁电陶瓷Na1/2Bi1/2TiO3 BaTiO3(BNBT),进行了电子发射实验,获得发射电流密度达20A... 　铁电阴极材料,作为一种新型的功能材料,以其高的发射电流密度等优点而受到重视。鉴于目前研究的铁电阴极材料多局限于锆钛酸铅等含铅材料,作者采用无铅铁电陶瓷Na1/2Bi1/2TiO3 BaTiO3(BNBT),进行了电子发射实验,获得发射电流密度达20A/cm2。初步实验结果表明,与锆钛酸铅相比,钛酸铋钠发射电流密度略低但性能稳定性较好。作为无铅铁电阴极,BNBT仍然具有良好的研究开发价值。 展开更多
关键词 无铅 铁电阴极 电子发射 电流发射密度 无铅铁电陶瓷
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声表器件压电单晶基片表面损伤的电子显微研究 被引量：3
4
作者 荣丽梅 常嗣和 杨谟华 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期353-353,共1页
关键词 表面损伤 压电单晶 等电子 显微研究 声表面波(SAW) 基片 器件 空中交通管制 加工过程
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用于特殊对象监测的电子传感器平台研究 被引量：1
5
作者 陈宇晓 樊惠隆 +2 位作者 唐丹 杨健 潘云 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期388-391,372,共5页
从安全反恐和连续监测角度出发,对运输过程中特殊对象的监测方法和探测机理进行了研究,提出ESP的总体方案和设计思想,给出各传感器电路原理和电路设计。采取高可靠性的电子和机械工艺制作出ESP原型装置,通过初步测试,证明ESP方案和原理... 从安全反恐和连续监测角度出发,对运输过程中特殊对象的监测方法和探测机理进行了研究,提出ESP的总体方案和设计思想,给出各传感器电路原理和电路设计。采取高可靠性的电子和机械工艺制作出ESP原型装置,通过初步测试,证明ESP方案和原理可行,传感器电路工作正常,可用于陆地运输过程中的敏感对象连续监测。 展开更多
关键词 安全反恐 电子传感器平台 特殊对象 连续监测 测量
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钛原子位置对立方BaTiO_3电子结构的影响 被引量：1
6
作者 张勤勇 李言荣 +2 位作者 蒋书文 李庆刚 杨仕清 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期152-156,共5页
本文基于密度泛函理论(DFT)的第一原理方法,计算了Ti原子位置对BaTiO3电子结构的影响.Ti的位置变化导致晶格畸变,使电子结构发生变化;从能带结构、能态密度(DOS)、电子密度、Mulliken布居等计算结果分析表明,导带和价带主要由Ti的3d电子... 本文基于密度泛函理论(DFT)的第一原理方法,计算了Ti原子位置对BaTiO3电子结构的影响.Ti的位置变化导致晶格畸变,使电子结构发生变化;从能带结构、能态密度(DOS)、电子密度、Mulliken布居等计算结果分析表明,导带和价带主要由Ti的3d电子和O的2p电子,Ti原子位置的变化,使Ti的3d电子能量分布上移,而O的2p电子能量下移;Ti位置变化,Ti的3d电子与的sp电子形成的杂化轨道更趋向离子化,以致于使OI出现了正电荷,表明发生了的2p电子向Ti的转移;O原子电子的转移使得Ti原子在导带的3d电子能量降低,与O原子在价带的2p电子能量重叠,禁带消失;随着畸变程度提高,转移逐渐增强,使禁带宽度逐渐减小,直至完全消失. 展开更多
关键词 密度泛函理论 BATIO3 电子结构
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铁电阴极材料压电系数在电子发射过程中的实验规律 被引量：1
7
作者 郭曙光 张树人 陈忠道 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1569-1572,共4页
作为一种新型功能材料,铁电阴极材料的研究日益受人们重视。对铁电材料进行电子发射试验时,偶然观测到材料压电系数随着电子发射次数的增多,其数值大小渐次先由高降低至零,然后又开始反向增大并逐渐稳定于某一绝对值,该绝对值略小于预... 作为一种新型功能材料,铁电阴极材料的研究日益受人们重视。对铁电材料进行电子发射试验时,偶然观测到材料压电系数随着电子发射次数的增多,其数值大小渐次先由高降低至零,然后又开始反向增大并逐渐稳定于某一绝对值,该绝对值略小于预极化初始值,而在这变化过程中,材料的电子发射电流密度基本恒定。对此进行重复验证以及系统考察发现,压电系数的这种变化规律,为铁电材料电子发射时所普遍遵循,这为铁电电子发射的机理研究探索又提供了一种新的实验现象。 展开更多
关键词 压电系数 电子发射 铁电阴极 理论解释
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分形理论及其在电子陶瓷材料中的应用 被引量：1
8
作者 姜斌 恽正中 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期379-382,共4页
介绍了分形理论的基本内容，分形维数的意义及其测量方法，提出将分形理论用到电子陶瓷烧结形貌的分析上，为材料科学的研究提供了新手段。
关键词 分形 分形测量 电子陶瓷 烧结
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超高压SiC电力电子器件及其在电网中的应用 被引量：8
9
作者 邓小川 谭犇 +3 位作者 万殊燕 吴昊 杨霏 张波 《智能电网》 2017年第8期733-741,共9页
碳化硅(SiC)作为近年来备受关注的一种宽禁带半导体材料,具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率以及高电子饱和漂移速度等良好的物理和电学特性。宽禁带半导体SiC电力电子器件,突破了传统硅基器件在耐压、工作频率以及转换效率等方面的... 碳化硅(SiC)作为近年来备受关注的一种宽禁带半导体材料,具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率以及高电子饱和漂移速度等良好的物理和电学特性。宽禁带半导体SiC电力电子器件,突破了传统硅基器件在耐压、工作频率以及转换效率等方面的性能极限,从而使电力系统功耗降低30%以上,在"大容量柔性直流输电"、"高效高体积功率密度电力电子变压器"等未来新一代智能电网领域具有非常广泛的应用前景。首先介绍超高压碳化硅电力电子器件在智能电网中应用的重要性,对近年来国内外超高压碳化硅电力电子器件(>10 kV)的结构设计、研制水平、最新进展以及其面临的挑战进行分析总结,并对超高压碳化硅电力电子器件在智能电网中的应用及未来的发展前景做出概述与展望。 展开更多
关键词 碳化硅 超高压 电力电子器件 智能电网
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优化场板GaN HEMT沟道电子温度分布抑制电流崩塌
10
作者 杜江锋 罗大为 +3 位作者 罗谦 卢盛辉 于奇 杨谟华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期105-108,共4页
基于带场板GaN HEMT器件物理模型和电流崩塌效应机理,通过仿真优化场板结构参数调制沟道中二维电子气温度分布,以达到抑制器件电流崩塌目的。研究表明,优化场板长度及绝缘层厚度能有效降低沟道电子峰值温度。对于外加源漏电压为100V,栅... 基于带场板GaN HEMT器件物理模型和电流崩塌效应机理,通过仿真优化场板结构参数调制沟道中二维电子气温度分布,以达到抑制器件电流崩塌目的。研究表明,优化场板长度及绝缘层厚度能有效降低沟道电子峰值温度。对于外加源漏电压为100V,栅长0.5μm,栅漏间距2μm的GaN HEMT器件,获得了场板长度与绝缘层厚度优值分别为1μm和0.5μm,其沟道电子峰值温度比无场板时下降了47%。并研究确定了场板长度优值与栅漏距以及绝缘层厚度与漏压的数学关系模型。 展开更多
关键词 GAN高电子迁移率晶体管 沟道电子温度 场板 电流崩塌
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铁电阴极材料电子发射机理实验研究(英文)
11
作者 陈忠道 白书欣 +1 位作者 张树人 郭曙光 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期1-4,共4页
作为一种新型功能材料,为获得更高的电子发射电流密度和更好的电子束品质,对于铁电电子发射机理的探讨,一直方兴未艾。针对采用锆钛酸铅、钛酸钡和钛酸铋钠这3种不同铁电阴极材料,进行了电子发射实验,并着重对样品电子发射前后的宏微观... 作为一种新型功能材料,为获得更高的电子发射电流密度和更好的电子束品质,对于铁电电子发射机理的探讨,一直方兴未艾。针对采用锆钛酸铅、钛酸钡和钛酸铋钠这3种不同铁电阴极材料,进行了电子发射实验,并着重对样品电子发射前后的宏微观变化进行了对比分析。认为不同种类的铁电材料遵循不同的电子发射机理,等离子体在发射过程中起着重要作用。对于钛酸钡材料,电子发射以等离子体致电子发射为主;对于钛酸铋钠材料,电子发射以快极化反转电子发射为主;而对于锆钛酸铅材料,2种机理作用兼而有之。 展开更多
关键词 铁电材料 铁电电子发射机理 等离子体致电子发射机理
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应用LCP基材低成本化挠性RF电子元器件与天线 被引量：1
12
作者 陈苑明 何为 陈国辉 《印制电路信息》 2010年第9期37-40,共4页
液晶聚合物(LCP)是一种低成本的热塑性有机材料,因具有恒定介电常数、稳定热学与化学稳定性等优良性能[1]-[3],可低成本应用于RF、微波、毫米波等无线通信、电子元器件封装与挠性天线基材等领域[4]-[5]。介绍了LCP基材在无源电阻元器件... 液晶聚合物(LCP)是一种低成本的热塑性有机材料,因具有恒定介电常数、稳定热学与化学稳定性等优良性能[1]-[3],可低成本应用于RF、微波、毫米波等无线通信、电子元器件封装与挠性天线基材等领域[4]-[5]。介绍了LCP基材在无源电阻元器件、双频滤波器与RFID天线等应用,三者的模拟仿真与实际测量结果均表现良好的一致性。 展开更多
关键词 LCP 无源元器件 双频滤波器 RFID天线
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MOS器件热电子退化的电子辐射实验研究
13
作者 陈勇 于奇 杨漠华 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期666-669,共4页
在分析热电子效应与辐射效应在ＭＯＳＦＥＴ产生界面态关系的基础上，给出了采用普通电子直线加速器作辐射源来对ＭＯＳ器件热电子退化效应进行研究的方法和采用该方法对１μｍ工艺Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行热电子退化效应的研究结果，并对... 在分析热电子效应与辐射效应在ＭＯＳＦＥＴ产生界面态关系的基础上，给出了采用普通电子直线加速器作辐射源来对ＭＯＳ器件热电子退化效应进行研究的方法和采用该方法对１μｍ工艺Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行热电子退化效应的研究结果，并对热电子退化与偏置的关系进行了讨论，得到了确定热电子退化寿命的快速而简便的方法。 展开更多
关键词 MOS 场效应晶体管 热电子效应 辐射 界面态
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四硫富瓦烯作为染料敏化太阳能电池有机染料电子给体的理论研究(英文) 被引量：3
14
作者 陈喜明 贾春阳 +1 位作者 万中全 姚小军 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2014年第2期273-280,共8页
为了研究四硫富瓦烯(TTF)基团对有机染料敏化剂光电性能的影响,以咔唑染料Dye 1为原型,引入TTF基团作为电子给体,设计了咔唑染料Dye 2.采用密度泛函理论(DFT)和含时密度泛函理论(TD-DFT)分别计算模拟了纯染料分子和吸附团簇(TiO2)9后的... 为了研究四硫富瓦烯(TTF)基团对有机染料敏化剂光电性能的影响,以咔唑染料Dye 1为原型,引入TTF基团作为电子给体,设计了咔唑染料Dye 2.采用密度泛函理论(DFT)和含时密度泛函理论(TD-DFT)分别计算模拟了纯染料分子和吸附团簇(TiO2)9后的形貌、分子轨道能级以及紫外-可见吸收光谱,采用周期性密度泛函理论计算模拟染料分子在二氧化钛(101)面吸附的表面形貌.结果发现:在有机染料中引入TTF基团有助于有机染料敏化剂在二氧化钛表面的抗团聚作用和分子内的电荷转移;最为重要的是,TTF基团的强给电子能力极大地增强了有机染料敏化剂的光捕获能力.所有的计算结果表明,TTF基团是一种非常有潜力改善染料敏化剂光电性能的给电子基团. 展开更多
关键词 四硫富瓦烯 染料敏化剂 密度泛函理论 含时密度泛函理论 染料敏化太阳能电池
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RFID电子标签A型卡的防碰撞模块方案 被引量：1
15
作者 陈志云 王豪才 +1 位作者 龚关珍 姜义初 《电子产品世界》 2005年第06A期115-117,共3页
本文介绍了A型RFID电子标签防碰撞的工作原理,设计了一种具有防碰撞功能控制逻辑的VLSI结构,并用VHDL语言进行了仿真,用0.35μm的CMOS单元库综合后,电路规模5000门左右。目前,已成功应用于电子防伪标签实际项目中。
关键词 RFID 电子标签 A型卡 防碰撞 IC设计
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栅脉冲条件下GaN MESFET电子温度分布仿真
16
作者 罗大为 卢盛辉 +3 位作者 罗谦 杜江锋 靳翀 严地 《微纳电子技术》 CAS 2007年第2期66-69,87,共5页
利用数值模拟仿真对GaNMESFET在栅脉冲条件下的电子温度分布进行了研究。结果表明,在器件的栅下靠近漏端一侧的沟道处电子温度最高,当栅脉冲电压为-18V时可达6223K,并且电子温度从最高点向四周逐渐降低最后与晶格温度(300K)达到一致。... 利用数值模拟仿真对GaNMESFET在栅脉冲条件下的电子温度分布进行了研究。结果表明,在器件的栅下靠近漏端一侧的沟道处电子温度最高,当栅脉冲电压为-18V时可达6223K,并且电子温度从最高点向四周逐渐降低最后与晶格温度(300K)达到一致。同时还发现,电子温度与电场方向和电子电流方向密切相关,电子温度的最高点并不在电场的极大值处,而是在电场方向与电子电流方向一致之处。 展开更多
关键词 GaN金属半导体场效应晶体管 电子温度 仿真
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日本纳米科技相关专利分析
17
作者 杨邦朝 韩莉坤 陈金菊 《微纳电子技术》 CAS 2003年第9期15-18,共4页
通过分析1993～2000年日本纳米科技相关专利的数目、专利的领域以及企业申请专利的情况,了解日本纳米科技及其纳米产业,可供我国从事纳米科技研究时参考。
关键词 日本 纳米科技相关专利 碳纳米管 有机纳米材料 纳米微粒 纳米产业
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纳米科技的全球战略及市场前景
18
作者 卢云 邓梅根 杨邦朝 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第F05期2-4,共3页
纳米科技的迅猛发展将在21世纪促使几乎所有工业领域产生一场革命性的变化，一个国家的纳米科技开发政策将对其未来发展产生深远的影响。概述了世界各国纳米科技的研究计划和国际纳米市场的最新发展。
关键词 纳米科技 应用 市场 发展
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中小科技型公司技术期权设计研究
19
作者 滕林 郭刘萍 《武汉船舶职业技术学院学报》 2004年第3期48-52,共5页
技术期权可以解决中小科技型公司技术人员激励的问题 ,本文着重探讨了中小科技型公司技术股份期权的方案设计 ,对技术期权计划中激励基金、授予和考核、行权价格等参数进行了详细地分析设计 ,旨在减少技术期权激励过程中的随意性 。
关键词 中小科技型公司 技术期权 激励.
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日本纳米科技专利公开势态与分析
20
作者 王步冉 杨邦朝 《微纳电子技术》 CAS 2005年第1期19-21,共3页
分析了日本纳米科技专利的数量与领域的分布情况,介绍了日本产业界发展纳米科技的现状,为我国纳米科技研究工作者提供借鉴。
关键词 纳米科技 纳米材料 专利
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