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题名酞菁铜薄膜晶体管气体传感器制备及特性研究
被引量：7
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作者
李娴
蒋亚东
太惠玲
谢光忠
张波
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机构
电子科技大学大学光电信息学院学院光学工程系
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出处
《电子测量与仪器学报》
CSCD
2012年第12期1074-1079,共6页
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基金
总装预研基金项目(9140A23060510DZ02)资助项目
国家自然科学基金青年基金(61101031)资助项目
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文摘
以n型高掺杂硅为衬底,二氧化硅(SiO2)作绝缘层,钛/金(Ti/Au)双层膜为源漏电极层,真空蒸发酞菁铜(CuPc)作敏感层,制备了沟道宽长比为4000/25的有机薄膜晶体管气体传感器(OTFTs),研究了CuPc-OTFT气体传感器的基本电学特性及其在常温下对有毒还原型气体(H2S和NH3)的敏感性能。结果表明,基于CuPc的OTFT器件具有良好的电学特性,阈值电压为-8 V,载流子迁移率2.47×10-4cm2/V.s,开关电流比5。基于CuPc薄膜的OTFT气体传感器对不同浓度的H2S和NH3均具有较好的响应,对SO2气体响应较小,对CH4和H2几乎不响应。通过CuPc薄膜的紫外-可见光光谱和OTFT器件的转移特性曲线对CuPc-OTFT气体传感器的敏感机理进行了分析。
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关键词
酞菁铜
有机薄膜晶体管
气体传感器
H2S
NH3
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Keywords
CuPc
OTFT
gas sensor
H2S
NH3
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分类号
TP212.2
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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