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InGaAs纳米线雪崩焦平面探测器发展研究 被引量:1
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作者 张伟 徐强 +5 位作者 谢修敏 邓杰 覃文治 胡卫英 陈剑 宋海智 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2021年第1期105-108,共4页
基于InGaAs纳米线的光电探测器,由于其优异的性能而受到广泛的关注和研究。综述了InGaAs纳米线光电探测器的探测机理、材料结构、器件性能和当前的研究现状。讨论了InGaAs纳米线雪崩焦平面探测器结构设计、纳米线材料精密生长、纳米线... 基于InGaAs纳米线的光电探测器,由于其优异的性能而受到广泛的关注和研究。综述了InGaAs纳米线光电探测器的探测机理、材料结构、器件性能和当前的研究现状。讨论了InGaAs纳米线雪崩焦平面探测器结构设计、纳米线材料精密生长、纳米线材料的界面与缺陷控制、纳米线雪崩焦平面器件制备工艺等关键技术。对发展高光子探测效率、低噪声、高增益InGaAs纳米线雪崩焦平面探测器的前景进行了展望。 展开更多
关键词 传感器技术 雪崩焦平面探测器 InGaAs纳米线阵列 光电二极管 探测器
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ZnSn(OH)_(6)基纳米材料在环境光催化中的应用 被引量:3
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作者 陈邦富 欧阳平 +2 位作者 李宇涵 段有雨 董帆 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期756-764,共9页
本征ZnSn(OH)_(6)具有较宽的带隙(约4.0eV),价带和导带位置使其具有较高的氧化还原电势,有利于驱动光催化氧化还原反应,在环境净化和能源开发等领域展现出良好的应用前景。本文从ZnSn(OH)_(6)物理和化学性质出发,介绍了ZnSn(OH)_(6)晶... 本征ZnSn(OH)_(6)具有较宽的带隙(约4.0eV),价带和导带位置使其具有较高的氧化还原电势,有利于驱动光催化氧化还原反应,在环境净化和能源开发等领域展现出良好的应用前景。本文从ZnSn(OH)_(6)物理和化学性质出发,介绍了ZnSn(OH)_(6)晶体结构和表面结构,分析了制备方法对光催化性能的影响;基于ZnSn(OH)_(6)在光催化方面的应用研究,总结了ZnSn(OH)_(6)的改性策略,包括引入缺陷、元素掺杂、构建异质结、晶面调控;最后,重点概述了ZnSn(OH)_(6)基光催化材料在能源(产氢、二氧化碳还原)和环境领域(污水治理、空气净化)的应用。同时指出ZnSn(OH)_(6)基光催化剂在实际应用研究方面仍处于初步阶段,需要进一步探究改性策略对ZnSn(OH)_(6)应用需求的精准性,拓展其应用场景,为后续研究工作提供方向和思路,加速其工业化应用的进程。 展开更多
关键词 ZnSn(OH)_(6) 改性策略 光催化材料 光催化应用
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