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基于移频外差的高速光电子器件自校准高频分析 被引量:1
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作者 张尚剑 王梦珂 +2 位作者 张雅丽 张旨遥 刘永 《应用科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第4期630-639,共10页
高速光电子器件是大容量光通信系统和宽带微波光子系统的基础,器件的高频响应测量对于实现电光和光电转换具有重要的意义.为此,基于光外差理论提出了移频外差方法用于实现从光域光谱到电域电谱的映射,在电域获得光谱和电谱的联合分析.... 高速光电子器件是大容量光通信系统和宽带微波光子系统的基础,器件的高频响应测量对于实现电光和光电转换具有重要的意义.为此,基于光外差理论提出了移频外差方法用于实现从光域光谱到电域电谱的映射,在电域获得光谱和电谱的联合分析.实验中,通过配置电域谱线的频率关系,利用移频外差将所需光载波和边带从光域映射到电域,实现了高速马赫-曾德尔调制器、相位调制器和光电探测器的自校准高频测试,获得了马赫-曾德尔调制器的调制指数、半波电压和啁啾参数、相位调制器的调制指数、半波电压以及光电探测器的响应度等多种高频参数.结果表明,该方法具有宽频段、高分辨率、多参数、自校准测试的优点. 展开更多
关键词 电光调制器 光电探测器 频率响应 微波光子 光学外差
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集成电子薄膜材料研究进展
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作者 李言荣 张万里 +2 位作者 刘兴钊 朱俊 闫裔超 《中国材料进展》 CAS CSCD 2013年第2期102-106,共5页
首先分析了当前我国电子信息产业的现状,特别是电子材料与元器件行业的状况,结合国际上电子信息技术的发展趋势,阐述了研究集成电子材料的重要意义。文章结合作者的工作主要介绍了介电/GaN集成电子薄膜生长控制与性能研究情况,采用TiO2... 首先分析了当前我国电子信息产业的现状,特别是电子材料与元器件行业的状况,结合国际上电子信息技术的发展趋势,阐述了研究集成电子材料的重要意义。文章结合作者的工作主要介绍了介电/GaN集成电子薄膜生长控制与性能研究情况,采用TiO2(诱导层)/MgO(阻挡层)组合缓冲层的方法控制介电/GaN集成薄膜生长取向、界面扩散,保护GaN基半导体材料的性能,降低介电/GaN集成薄膜界面态密度,建立界面可控的相容性生长方法。通过集成结构的设计与加工,研制出介电增强型GaN HEMT器件、高耐压GaN功率器件原型以及一体化集成的微波电容、变容管、压控振荡器、混频器等新型元器件。 展开更多
关键词 薄膜技术 电子材料 电子器件
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GaN基底上集成介电薄膜材料的生长方法研究 被引量:5
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作者 李言荣 朱俊 +2 位作者 罗文博 张万里 刘兴钊 《中国材料进展》 CAS CSCD 2012年第2期45-53,共9页
将以极化为特征、具有丰富功能特性的介电氧化物材料通过外延薄膜的方式,在半导体GaN上制备介电氧化物/GaN集成薄膜,其多功能一体化与界面耦合效应可推动电子系统单片集成化的进一步发展。然而,由于2类材料物理、化学性质的巨大差异,在... 将以极化为特征、具有丰富功能特性的介电氧化物材料通过外延薄膜的方式,在半导体GaN上制备介电氧化物/GaN集成薄膜,其多功能一体化与界面耦合效应可推动电子系统单片集成化的进一步发展。然而,由于2类材料物理、化学性质的巨大差异,在GaN上生长介电薄膜会出现严重的相容性生长问题。采用激光分子束外延技术(LMBE),通过弹性应变的TiO2的缓冲层来减小晶格失配度,降低介电薄膜生长温度,控制界面应变释放而产生的失配位错,提高了介电薄膜外延质量;通过低温外延生长MgO阻挡层,形成稳定的氧化物/GaN界面,阻挡后续高温生长产生的扩散反应;最终采用TiO2/MgO组合缓冲层控制介电/GaN集成薄膜生长取向、界面扩散,降低集成薄膜的界面态密度,保护GaN半导体材料的性能。所建立的界面可控的相容性生长方法,为相关集成器件的研发提供了一条可行的新途径。 展开更多
关键词 介电薄膜 GAN 缓冲层 界面控制 集成生长
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NPB/Alq_3双层有机电致发光器件薄膜厚度与器件性能的优化 被引量:2
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作者 锁钒 于军胜 +3 位作者 黎威志 邓静 林慧 蒋亚东 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期2050-2054,共5页
研究了以NPB为空穴传输层、Al_(q3)为发光层的双层异质结有机电致发光器件的薄膜厚度对器件性能的影响.制备了一系列具有不同NPB和Al_(q3)厚度的器件并测试了其电致发光特性.结果表明,器件电流随Al_(q3)与NPB厚度变化的关系并不相同.不... 研究了以NPB为空穴传输层、Al_(q3)为发光层的双层异质结有机电致发光器件的薄膜厚度对器件性能的影响.制备了一系列具有不同NPB和Al_(q3)厚度的器件并测试了其电致发光特性.结果表明,器件电流随Al_(q3)与NPB厚度变化的关系并不相同.不同有机层厚度双层器件的电流机制符合陷阱电荷限制(TCL)理论,随外加电压的增大,器件电流经历了欧姆电导区、TCL电流区、陷阱电荷限制.空间电荷限制(TCL-SCL)过渡区三个区域的变化.当有机层厚度匹配为NPB(20nm)/Al_(q3)(50nm)时可以获得性能优良的器件.器件的流明效率-电压关系曲线的变化规律是在低电压区较快达到最大值,然后随电压的增加逐渐降低. 展开更多
关键词 有机电致发光 NPB ALQ3 薄膜厚度 陷阱电荷限制(TCL) 器件性能
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导电聚合物有序超薄膜的合成及其作为有机电致发光器件空穴注入层 被引量:3
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作者 徐建华 杨亚杰 +1 位作者 蒋亚东 于军胜 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第1期19-24,共6页
采用修饰多层LB膜的方法制备了导电聚合物聚-3,4-乙烯二氧噻吩/二十烷酸(PEDOT:AA)复合层状有序膜,构筑了一种导电聚合物镶嵌的多层有序膜结构.将这种导电聚合物有序薄膜沉积于ITO电极表面,将其作为有机电致发光二极管(OLED)的空穴注入... 采用修饰多层LB膜的方法制备了导电聚合物聚-3,4-乙烯二氧噻吩/二十烷酸(PEDOT:AA)复合层状有序膜,构筑了一种导电聚合物镶嵌的多层有序膜结构.将这种导电聚合物有序薄膜沉积于ITO电极表面,将其作为有机电致发光二极管(OLED)的空穴注入层,并研究了ITO/(PEDOT:AA)/MEH-PPV/Al器件的性能.研究结果表明,与采用聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)自组装膜和旋涂膜作为空穴注入层的ITO/(PEDOT:PSS)/MEH-PPV/Al器件相比,器件的发光效率增加,起亮电压降低.我们认为这是由于PEDOT:AA薄膜提供了一种有序层状结构后,减小了ITO与MEH-PPV间的接触势垒,改善了空穴载流子注入效率.进一步的研究表明,由于PEDOT:AA多层膜间靠较弱的亲水、疏水作用结合,这种导电多层有序膜的热稳定性与普通LB膜相似,在较高温度下发生从层状有序态到无序态的变化,这是导致OLED器件性能发生劣化的主要原因. 展开更多
关键词 导电聚合物 LB膜 OLED 空穴注入层 自组装膜
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介电可调薄膜材料及压控微波器件研究 被引量:2
6
作者 蒋书文 李汝冠 +2 位作者 王鲁豫 刘兴钊 李言荣 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期609-617,共9页
利用介电可调薄膜材料的调谐特性研制的介质压控微波器件高频特性好、功率容量大、响应速度快,还有易集成、功耗小、成本低、可靠性高的特点,相比半导体管、铁氧体以及MEMS器件有明显的优势。该文系统介绍了近年来国内外介电可调薄膜材... 利用介电可调薄膜材料的调谐特性研制的介质压控微波器件高频特性好、功率容量大、响应速度快,还有易集成、功耗小、成本低、可靠性高的特点,相比半导体管、铁氧体以及MEMS器件有明显的优势。该文系统介绍了近年来国内外介电可调薄膜材料及压控微波器件的研究进展,并结合作者的工作评述了介电可调薄膜材料和压控微波器件的应用情况。除研究最为集中的钛酸锶钡BaxSr1-xTiO3(BST)材料,还介绍了具有较高调谐率的铋基焦绿石铌酸铋镁Bi1.5MgNb1.5O7(BMN)薄膜材料,该材料介电损耗低(约0.002),介电常数适中(约86),温度系数小,是一种极具发展前景的微波介电可调材料。 展开更多
关键词 钛酸锶钡BST薄膜 铌酸铋镁BMN薄膜 介电可调薄膜材料 压控微波器件
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导电聚合物有序超薄膜结构及光电特性 被引量:1
7
作者 郑华靖 徐建华 +1 位作者 蒋亚东 杨亚杰 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2010年第10期34-40,46,共8页
采用LB膜诱导沉积法制备聚(3,4)乙烯二氧噻吩(PEDOT)高度有序导电聚合物薄膜。实验表明,聚(3,4)乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺(PEDOT-PSS)纳米粒子对单分子层具有包裹作用,形成了稳定的复合单分子膜;二次离子质谱(SIMS)和小角X射线反射(XRR)... 采用LB膜诱导沉积法制备聚(3,4)乙烯二氧噻吩(PEDOT)高度有序导电聚合物薄膜。实验表明,聚(3,4)乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺(PEDOT-PSS)纳米粒子对单分子层具有包裹作用,形成了稳定的复合单分子膜;二次离子质谱(SIMS)和小角X射线反射(XRR)分析表明十八胺-硬脂酸/聚(3,4)乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺(ODA-SA/PEDOT-PSS)组装体优于十八胺/聚(3,4)乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺ODA/PEDOT-PSS,具有更好的成膜性能,表面粗糙度小且稳定可控,薄膜具有较好的有序结构。设计了不同的测试结构,测量了复合膜的垂直电导率和水平电导率,研究了薄膜的直流电流-电压特性,采用变程跳跃模型(VRH)对结果进行了拟合,表明三维变程跳跃模型(3D-VRH)可以较好的解释多层膜中载流子的迁移。 展开更多
关键词 导电聚合物 聚3 4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸 LB膜 电导率
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修饰LB膜法制备聚3,4-乙烯二氧噻吩薄膜的光电性能 被引量:1
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作者 郑华靖 蒋亚东 +1 位作者 徐建华 杨亚杰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期1501-1506,共6页
采用修饰LB膜法以二十烷酸(AA)LB膜为模板,通过3,4-乙烯二氧噻吩(EDOT)单体在LB膜亲水基团间聚合,制备了AA/PEDOT复合LB膜。UV-Vis、FT-IR和XPS分析表明EDOT在多层膜中有效聚合,生成了PEDOT导电聚合物;XRR和SIMS分析表明薄膜具有较好的... 采用修饰LB膜法以二十烷酸(AA)LB膜为模板,通过3,4-乙烯二氧噻吩(EDOT)单体在LB膜亲水基团间聚合,制备了AA/PEDOT复合LB膜。UV-Vis、FT-IR和XPS分析表明EDOT在多层膜中有效聚合,生成了PEDOT导电聚合物;XRR和SIMS分析表明薄膜具有较好的层状有序结构,进一步研究发现EDOT在AA多层膜中的聚合破坏了原有LB膜的有序性,这可能与聚合过程对层状结构产生的破坏作用有关;采用四探针仪及半导体测试仪研究了薄膜导电性能,发现AA/PEDOT多层膜的电导率随处理时间的变化产生突变,这与多层膜中导电通道的"渝渗"有关,在有效导电网络连通后电导率发生了突变。测试结果还表明AA/PEDOT膜导电性明显优于PEDOT旋涂膜和ODA-SA/PEDOT-PSS复合膜,这是由于原位制备的PEDOT共轭度较高,且薄膜具有很好的层状有序结构。 展开更多
关键词 PEDOT LB膜法 光电性能 测量
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多元氧化物电子薄膜材料的单胞生长模式与界面应力诱导效应的研究
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作者 李言荣 朱俊 +7 位作者 张鹰 李金隆 魏贤华 梁柱 张万里 吴传贵 刘兴钊 陶伯万 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第S1期577-593,共17页
多元氧化物薄膜,特别是ABO_3钙钛矿结构的薄膜由于有铁电、压电、热释电和超导等特性和在多功能电子器件上的广泛应用而成为电子功能材料研究的热点.该文利用激光分子束外延和磁控溅射等薄膜制备技术,采用反射式高能电子衍射(RHEED)对... 多元氧化物薄膜,特别是ABO_3钙钛矿结构的薄膜由于有铁电、压电、热释电和超导等特性和在多功能电子器件上的广泛应用而成为电子功能材料研究的热点.该文利用激光分子束外延和磁控溅射等薄膜制备技术,采用反射式高能电子衍射(RHEED)对薄膜的生长进行原位实时的检测分析,确定了在不同的工艺条件下氧化物薄膜的层状、层岛混合和岛状生长模式。优化了薄膜的生长条件,实现了对薄膜生长模式的有效控制,绘制出SrTiO_3、BaTiO_3等薄膜的生长模式图谱。测量计算了薄膜的表面活化能和沉积粒子在表面的有效扩散率,发现氧化物薄膜表面的生长运动单元具有活化能小、迁移时间长等重要特点,采用原子力显微镜(AFM)和掠入射XRD对层状生长薄膜的层厚结构进行了精细测量,提出了氧化物薄膜单胞生长动力学模型,即薄膜生长的主要单元是以B-O八面体为主体的单原胞基团.在此基础上,系统地研究了薄膜生长异质界面应力释放行为和对结构性能的影响,在小失配度、中等失配度和大失配度下体现出的不同生长规律,出现了在临界厚度下的相干外延、应变岛、双晶外延和近重位点阵等现象.最后,通过薄膜和衬底的失配度的选择来调整界面应力的影响,并通过工艺条件来诱导薄膜结构取向,如采用薄膜自外延技术和自缓冲层技术,有效地控制和大幅度改善了铁电薄膜、介电薄膜、超导薄膜和热释电薄膜的微结构和电磁性能。 展开更多
关键词 氧化物薄膜 外延生长 单胞 应力调控
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IUMRS-ICEM2012:电子材料科技前沿
10
作者 王宁 李宝文 +1 位作者 刘宝丹 马衍伟 《中国材料进展》 CAS CSCD 2012年第10期56-57,共2页
2012年9月23~28日,"2012年国际材料联合会—电子材料国际会议"(IUMRS-ICEM2012)在日本横滨国际会议中心举行。国际材料联合会—电子材料国际会议是国际材联主办的系列会议,每2年召开1次,先后共举办5届。本次会议由日本材料... 2012年9月23~28日,"2012年国际材料联合会—电子材料国际会议"(IUMRS-ICEM2012)在日本横滨国际会议中心举行。国际材料联合会—电子材料国际会议是国际材联主办的系列会议,每2年召开1次,先后共举办5届。本次会议由日本材料研究学会承办。IUMRS-ICEM2012大会邀请报告共5篇,设专题研讨会39个,内容涉及环境友好电子材料、电子材料和器件、下一代先进电子材料以及先进电子材料的模拟、制造、加工和表征等各个方面。此外,大会还同期举办了3个论坛,分别为有利于"有利于能源与环境可持续发展的材料工程"论坛,"快速发展的世界材料教育战略"论坛,"发展合作式的材料教育网络平台"论坛。电子材料是解决全球性问题的关键,特别是环境和能源的可持续发展问题。本次会议围绕电子材料及相关技术的前沿,汇集国际学术界以及行业专家,旨在交流电子材料领域的最新进展,在展示近2年来全球电子材料科学与器件研究最新成果和进展的同时,探讨进一步发展的方向,从而推动电子材料及相关技术研究的可持续发展。本刊约请了几位参会专家学者,对相关材料前沿进行综合报道。 展开更多
关键词 电子材料 热电材料 科技前沿 环境可持续发展 国际会议中心 材料研究学会 环境友好 专家学者
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PEN为衬底的柔性有机电致发光器件的光电性能 被引量:2
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作者 李杰 蒋亚东 +1 位作者 于欣格 于军胜 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第2期240-242,246,共4页
采用直流磁控溅射技术,在聚对萘二甲酸乙二醇酯(PEN)柔性衬底上制备了氧化物铟锡(ITO)导电薄膜,研究了衬底温度和薄膜厚度工艺参数对柔性衬底上导电薄膜光学性能与电学性能的影响。在优化工艺的条件下,所制备的PEN导电基板的方阻低至35... 采用直流磁控溅射技术,在聚对萘二甲酸乙二醇酯(PEN)柔性衬底上制备了氧化物铟锡(ITO)导电薄膜,研究了衬底温度和薄膜厚度工艺参数对柔性衬底上导电薄膜光学性能与电学性能的影响。在优化工艺的条件下,所制备的PEN导电基板的方阻低至35Ω/□,且可见光透过率大于95%;以此柔性ITO衬底为阳极,制备了结构为PEN/ITO/NPB/Alq3/Al的柔性有机电致发光器件。作为对比,选用多种不同的衬底材料制备了有机电致发光器件,并比较了各器件性能的差异。 展开更多
关键词 有机电致发光器件 聚对萘二甲酸乙二醇酯(PEN)柔性衬底 氧化物铟锡(ITO)薄膜 磁控溅射
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氧化物功能薄膜器件的柔性化策略 被引量:2
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作者 王倩 高能 +4 位作者 张天垚 姚光 潘泰松 高敏 林媛 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期14-21,共8页
以可延展和可弯曲为特点的柔性电子器件因其在信息、医疗、能源等领域的巨大前景而受到众多研究者的广泛关注,成为近年来的研究热点。氧化物功能薄膜材料由于其丰富的电学/磁学/光学等性能及独特的多场耦合特性,成为物理学和材料学的重... 以可延展和可弯曲为特点的柔性电子器件因其在信息、医疗、能源等领域的巨大前景而受到众多研究者的广泛关注,成为近年来的研究热点。氧化物功能薄膜材料由于其丰富的电学/磁学/光学等性能及独特的多场耦合特性,成为物理学和材料学的重要研究对象,并被应用于各种电学/光学器件中。随着器件越来越多地应用于各种复杂曲面环境以及与人体或人体组织密切贴合,对氧化物薄膜器件可延展和可弯曲等柔性化的需求日益迫切。由于高质量氧化物薄膜的生长需要较高的温度,且对生长基底和薄膜之间的界面控制要求较高,因此,氧化物薄膜与可延展柔性基底的集成存在很大的挑战。将氧化物薄膜直接沉积在柔性金属箔片或高分子基底上,需要克服金属基底与薄膜界面控制困难或高分子基底对生长温度的耐受性差等困难。在刚性基底上沉积功能氧化物薄膜后,通过剥离、转印到可延展柔性基底上是一种解决方案。但其中的挑战在于如何可控地将薄膜完整地从生长基底剥离。针对这一挑战,发展了通过化学刻蚀牺牲层的化学转印技术和通过范德瓦尔斯外延或激光剥离的物理剥离方法。本文综述了近年来发展的氧化物薄膜器件柔性化的若干进展,归纳了以上几种主要的柔性化策略,包括在金属基底、高分子基底等柔性基底上直接生长和通过化学刻蚀和物理剥离转印等技术实现的柔性化,分析了几种柔性化策略的优势和局限性,总结了柔性氧化物薄膜器件制备中的挑战和机遇。 展开更多
关键词 金属氧化物 功能薄膜 柔性化策略 直接生长法 化学转印法 物理剥离法
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原子层热电堆热流传感器的发展及其应用
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作者 杨凯 陈曦 +3 位作者 朱涛 陶伯万 赵睿鹏 王辉 《实验流体力学》 北大核心 2025年第2期1-14,共14页
高频脉动热流在高超声速边界层转捩、激波/边界层干扰等气动基础问题的实验研究中非常重要。当前,高频脉动热流测试主要依赖于原子层热电堆(Atomic Layer Thermopile,ALTP)热流传感器。采用金属有机化学气相沉积技术路线,在优化沉积环... 高频脉动热流在高超声速边界层转捩、激波/边界层干扰等气动基础问题的实验研究中非常重要。当前,高频脉动热流测试主要依赖于原子层热电堆(Atomic Layer Thermopile,ALTP)热流传感器。采用金属有机化学气相沉积技术路线,在优化沉积环境条件参数的基础上发展了性能更优的ALTP热流传感器。面向传感器小型化、耐高温、柔性等发展需求,通过导电膜连接将多条YBa_(2)Cu_(3)O_(7)-δ(YBCO)薄膜首尾串联,在保持传感器尺寸不变的同时提高灵敏度系数,为传感器小型化奠定了基础;通过替换常规ALTP热流传感器敏感元的热电材料体系,研制了基于La1-xCaxMnO_(3)(LCMO)的耐高温(超过500℃)ALTP热流传感器样件。针对LCMO的能量输运特点,采用半导体材料性能调控方法,以交替串联的方式延长敏感薄膜的有效长度,进而能在有限的传感器感应面上布置更多的敏感薄膜;以表面经特殊处理的金属薄带为基底替换斜切SrTiO_(3)晶片,发展了柔性ALTP热流传感器,便于开展高频脉动热流的密集点测试以及在复杂曲面等位置布放高频脉动热流测点。传感器应用方面,除在激波风洞等实验环境下开展高频脉动热流测试的应用外,针对薄膜热电阻和同轴热电偶标定环节多、测热结果不确定度偏高等问题,讨论了利用ALTP热流传感器在线标定的可行性;针对高超声速低密度风洞中的薄壁量热计、同轴热电偶和红外热图等测热方式易受噪声干扰、不确定度高以及有效时间短等问题,通过风洞实验验证了ALTP热流传感器在高超声速低密度风洞中长时间中低热流测试的可行性,弥补了现有测热手段的不足。 展开更多
关键词 原子层热电堆 热流 标定 柔性 耐高温 高频脉动
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聚苯胺/二氧化钛复合薄膜的制备及其气敏性能 被引量:13
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作者 太惠玲 蒋亚东 +2 位作者 谢光忠 杜晓松 陈璇 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第6期883-888,共6页
室温条件下,运用静电力自组装和原位化学氧化聚合相结合的方法制备了聚苯胺/纳米二氧化钛(PANI/TiO2)复合薄膜和聚苯胺(PANI)薄膜,并通过XPS和SEM对薄膜进行了分析表征.采用平面叉指电极式器件制备了PANI/TiO2复合薄膜和PANI薄膜气体传... 室温条件下,运用静电力自组装和原位化学氧化聚合相结合的方法制备了聚苯胺/纳米二氧化钛(PANI/TiO2)复合薄膜和聚苯胺(PANI)薄膜,并通过XPS和SEM对薄膜进行了分析表征.采用平面叉指电极式器件制备了PANI/TiO2复合薄膜和PANI薄膜气体传感器,研究了其在常温下对有毒气体NH3和CO的敏感性能.结果表明,PANI/TiO2复合薄膜较PANI薄膜具有更优的灵敏度和响应恢复特性. 展开更多
关键词 PANI/TiO2 复合薄膜 气体传感器 NH3 CO
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公-自转磁控溅射镀膜系统薄膜沉积均匀性的研究 被引量:12
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作者 于贺 王涛 +4 位作者 吴志明 蒋亚东 陈超 董翔 靖红军 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期149-153,共5页
研究了公-自转磁控溅射镀膜系统的机理。通过物理建模,使用交点采集和时间步长划分两种模型,分别计算模拟了矩形靶沉积时间的三维分布图,并讨论自转与公转转速比对沉积时间均匀性的影响。模拟结果表明:两种模型仿真结果一致,验证了理论... 研究了公-自转磁控溅射镀膜系统的机理。通过物理建模,使用交点采集和时间步长划分两种模型,分别计算模拟了矩形靶沉积时间的三维分布图,并讨论自转与公转转速比对沉积时间均匀性的影响。模拟结果表明:两种模型仿真结果一致,验证了理论模型的正确性。同时得到结论:此公-自转系统可以通过调节转速比的方法来改善薄膜厚度的均匀性,采用文中指定工艺参数,当转速比等于0.5的时候,薄膜厚度最均匀。仿真得到的偏差结果与实验较好的吻合。 展开更多
关键词 磁控溅射 矩形靶 转速比 膜厚均匀性
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高效白色磷光有机电致发光器件 被引量:11
16
作者 李璐 于军胜 +3 位作者 王军 娄双玲 蒋亚东 李伟 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1493-1497,共5页
采用真空热蒸镀方法以4,4′-bis(carbazol-9-yl)biphenyl(CBP)为主体材料、以bis[2-(4-tert-butylphenyl)benzothiazolato-N,C2′]iridium(acetylacetonate)[(t-bt)2Ir(acac)]磷光染料为掺杂剂构成黄色发光层,制备了高效白光的有机电致... 采用真空热蒸镀方法以4,4′-bis(carbazol-9-yl)biphenyl(CBP)为主体材料、以bis[2-(4-tert-butylphenyl)benzothiazolato-N,C2′]iridium(acetylacetonate)[(t-bt)2Ir(acac)]磷光染料为掺杂剂构成黄色发光层,制备了高效白光的有机电致发光器件(OLEDs).OLEDs的器件结构为indium tin oxide(ITO)/N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-biphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine(NPB)/CBP:(t-bt)2Ir(acac)/NPB/2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(BCP)/8-hydroxyquinoline aluminum(Alq3)/Mg∶Ag,从ITO阳极开始的第一层NPB为空穴传输层,第二层超薄的NPB为蓝色发光层,BCP为空穴阻挡层和激子阻挡层,Alq3为电子传输层.结果表明,器件电压在3V启亮,在16.5V时,器件的最高亮度达到15460cd·m-2;在4V时,器件达到最大流明效率为7.5lm·W-1,器件启亮后所发出的白光光谱在低电压时随电压变化有稍微的移动,但是都在白光范围内变化.在电压达到8V后Commission Internationale de l′Eclairage(国际照明委员会)(CIE)色坐标为(0.33,0.32),并且光谱及色坐标稳定,不随电压变化而改变,与最佳的白光坐标(0.33,0.33)几乎重合.同时,从机理上解释了光谱移动和效率衰减的原因,并探讨了载流子陷阱和能量传递的关系. 展开更多
关键词 有机电致发光 白色发光 磷光 铱配合物 载流子陷阱 能量传递
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宽禁带功率半导体器件技术 被引量:23
17
作者 张波 邓小川 +1 位作者 陈万军 李肇基 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期618-623,共6页
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。... 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。该文总结了宽禁带SiC和GaN功率半导体器件研发的最新进展,包括各种功率二极管和功率晶体管。同时对宽禁带SiC和GaN功率半导体器件发展所面临的市场和技术挑战进行了分析与概述,并对其发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 氮化镓 功率器件 碳化硅 宽禁带半导体
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氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜稳定性的研究进展 被引量:12
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作者 廖乃镘 李伟 +3 位作者 蒋亚东 匡跃军 李世彬 吴志明 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期21-24,共4页
氢化非晶硅(a-Si∶H)是一种重要的光敏感薄膜材料,其稳定性的好坏是决定能否应用于器件的重要因素之一。介绍了a-Si∶H薄膜稳定性的研究进展,论述了a-Si∶H薄膜的稳定性与Si-Si弱键的关系,分析了光致衰退效应(S-W效应)产生的几种机理,... 氢化非晶硅(a-Si∶H)是一种重要的光敏感薄膜材料,其稳定性的好坏是决定能否应用于器件的重要因素之一。介绍了a-Si∶H薄膜稳定性的研究进展,论述了a-Si∶H薄膜的稳定性与Si-Si弱键的关系,分析了光致衰退效应(S-W效应)产生的几种机理,提出了在薄膜制备和后处理过程中消除或减少Si-Si弱键以提高a-Si∶H薄膜稳定性的方法。 展开更多
关键词 氢化非晶硅 稳定性 光致衰退效应 物理模型 稳定化处理
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有机电致发光器件中染料掺杂类型的研究 被引量:6
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作者 李璐 于军胜 +3 位作者 黎威志 林慧 李青 蒋亚东 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期121-123,126,共4页
采用对主体材料8-hydroxyquinoline aluminum(Alq_3)掺杂的方法,通过对3种小分子荧光染料Dimeth- ylquinacridone(DMQA)、4-(Dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran (DCJTB)、5,6,11,12-tetrap... 采用对主体材料8-hydroxyquinoline aluminum(Alq_3)掺杂的方法,通过对3种小分子荧光染料Dimeth- ylquinacridone(DMQA)、4-(Dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran (DCJTB)、5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene(Rubrene)的研究,比较了其光致发光光谱和吸收光谱,利用F(?)rster能量传递(ET)理论和直接载流子俘获(DCT)理论对这3种材料作为掺杂染料的类型进行了讨论。研究表明,3种荧光染料同时具有F(?)rster ET类型和DCT类型掺杂剂的性质,并不只是一种单一类型的掺杂染料,由此推测大多数掺杂染料可能应同时属于此两种类型。 展开更多
关键词 有机电致发光 掺杂 光致发光 Forster能量传递 直接载流子俘获
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衬底温度对用RF-PECVD法制备的非晶硅薄膜光学性能影响 被引量:8
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作者 李世彬 吴志明 +3 位作者 朱魁鹏 蒋亚东 李伟 廖乃镘 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1252-1256,共5页
采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)工艺制备非晶硅(a-Si:H)薄膜,KBr衬底在175-275℃范围内变化,用傅立叶红外光谱仪(FTIR)测试KBr衬底上的薄膜红外光谱峰随衬底温度的变化情况,结合红外光谱峰的理论分析确定薄膜中氢含量随衬底... 采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)工艺制备非晶硅(a-Si:H)薄膜,KBr衬底在175-275℃范围内变化,用傅立叶红外光谱仪(FTIR)测试KBr衬底上的薄膜红外光谱峰随衬底温度的变化情况,结合红外光谱峰的理论分析确定薄膜中氢含量随衬底温度的变化规律.光谱式椭圆偏振仪中用ForouhiBloomer(FB)模型拟合得到薄膜的折射率(n),消光系数(k),膜厚及光学禁带宽度(Eg),并用扫描电镜(SEM)断面分析对椭偏仪测试结果的准确性进行验证.根据Tauc公式推出薄膜的Eg和截止波长,并和FB模型得到的结果进行了比较,Eg(FB)和Eg(Tauc)的差值在0.015eV内. 展开更多
关键词 非晶硅 光学常数 光学禁带 傅立叶红外光谱 薄膜
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