期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到693篇文章
< 1 2 … 35 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
基于移频外差的高速光电子器件自校准高频分析 被引量：1
1
作者 张尚剑 王梦珂 +2 位作者 张雅丽 张旨遥 刘永 《应用科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第4期630-639,共10页
高速光电子器件是大容量光通信系统和宽带微波光子系统的基础,器件的高频响应测量对于实现电光和光电转换具有重要的意义.为此,基于光外差理论提出了移频外差方法用于实现从光域光谱到电域电谱的映射,在电域获得光谱和电谱的联合分析.... 高速光电子器件是大容量光通信系统和宽带微波光子系统的基础,器件的高频响应测量对于实现电光和光电转换具有重要的意义.为此,基于光外差理论提出了移频外差方法用于实现从光域光谱到电域电谱的映射,在电域获得光谱和电谱的联合分析.实验中,通过配置电域谱线的频率关系,利用移频外差将所需光载波和边带从光域映射到电域,实现了高速马赫-曾德尔调制器、相位调制器和光电探测器的自校准高频测试,获得了马赫-曾德尔调制器的调制指数、半波电压和啁啾参数、相位调制器的调制指数、半波电压以及光电探测器的响应度等多种高频参数.结果表明,该方法具有宽频段、高分辨率、多参数、自校准测试的优点. 展开更多
关键词 电光调制器 光电探测器 频率响应 微波光子 光学外差
在线阅读 下载PDF
集成电子薄膜材料研究进展
2
作者 李言荣 张万里 +2 位作者 刘兴钊 朱俊 闫裔超 《中国材料进展》 CAS CSCD 2013年第2期102-106,共5页
首先分析了当前我国电子信息产业的现状,特别是电子材料与元器件行业的状况,结合国际上电子信息技术的发展趋势,阐述了研究集成电子材料的重要意义。文章结合作者的工作主要介绍了介电/GaN集成电子薄膜生长控制与性能研究情况,采用TiO2... 首先分析了当前我国电子信息产业的现状,特别是电子材料与元器件行业的状况,结合国际上电子信息技术的发展趋势,阐述了研究集成电子材料的重要意义。文章结合作者的工作主要介绍了介电/GaN集成电子薄膜生长控制与性能研究情况,采用TiO2(诱导层)/MgO(阻挡层)组合缓冲层的方法控制介电/GaN集成薄膜生长取向、界面扩散,保护GaN基半导体材料的性能,降低介电/GaN集成薄膜界面态密度,建立界面可控的相容性生长方法。通过集成结构的设计与加工,研制出介电增强型GaN HEMT器件、高耐压GaN功率器件原型以及一体化集成的微波电容、变容管、压控振荡器、混频器等新型元器件。 展开更多
关键词 薄膜技术 电子材料 电子器件
在线阅读 下载PDF
多元氧化物电子薄膜材料的单胞生长模式与界面应力诱导效应的研究
3
作者 李言荣 朱俊 +7 位作者 张鹰 李金隆 魏贤华 梁柱 张万里 吴传贵 刘兴钊 陶伯万 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第S1期577-593,共17页
多元氧化物薄膜,特别是ABO_3钙钛矿结构的薄膜由于有铁电、压电、热释电和超导等特性和在多功能电子器件上的广泛应用而成为电子功能材料研究的热点．该文利用激光分子束外延和磁控溅射等薄膜制备技术,采用反射式高能电子衍射(RHEED)对... 多元氧化物薄膜,特别是ABO_3钙钛矿结构的薄膜由于有铁电、压电、热释电和超导等特性和在多功能电子器件上的广泛应用而成为电子功能材料研究的热点．该文利用激光分子束外延和磁控溅射等薄膜制备技术,采用反射式高能电子衍射(RHEED)对薄膜的生长进行原位实时的检测分析,确定了在不同的工艺条件下氧化物薄膜的层状、层岛混合和岛状生长模式。优化了薄膜的生长条件,实现了对薄膜生长模式的有效控制,绘制出SrTiO_3、BaTiO_3等薄膜的生长模式图谱。测量计算了薄膜的表面活化能和沉积粒子在表面的有效扩散率,发现氧化物薄膜表面的生长运动单元具有活化能小、迁移时间长等重要特点,采用原子力显微镜(AFM)和掠入射XRD对层状生长薄膜的层厚结构进行了精细测量,提出了氧化物薄膜单胞生长动力学模型,即薄膜生长的主要单元是以B-O八面体为主体的单原胞基团．在此基础上,系统地研究了薄膜生长异质界面应力释放行为和对结构性能的影响,在小失配度、中等失配度和大失配度下体现出的不同生长规律,出现了在临界厚度下的相干外延、应变岛、双晶外延和近重位点阵等现象．最后,通过薄膜和衬底的失配度的选择来调整界面应力的影响,并通过工艺条件来诱导薄膜结构取向,如采用薄膜自外延技术和自缓冲层技术,有效地控制和大幅度改善了铁电薄膜、介电薄膜、超导薄膜和热释电薄膜的微结构和电磁性能。 展开更多
关键词 氧化物薄膜 外延生长 单胞 应力调控
在线阅读 下载PDF
IUMRS-ICEM2012:电子材料科技前沿
4
作者 王宁 李宝文 +1 位作者 刘宝丹 马衍伟 《中国材料进展》 CAS CSCD 2012年第10期56-57,共2页
2012年9月23～28日,"2012年国际材料联合会—电子材料国际会议"(IUMRS-ICEM2012)在日本横滨国际会议中心举行。国际材料联合会—电子材料国际会议是国际材联主办的系列会议,每2年召开1次,先后共举办5届。本次会议由日本材料... 2012年9月23～28日,"2012年国际材料联合会—电子材料国际会议"(IUMRS-ICEM2012)在日本横滨国际会议中心举行。国际材料联合会—电子材料国际会议是国际材联主办的系列会议,每2年召开1次,先后共举办5届。本次会议由日本材料研究学会承办。IUMRS-ICEM2012大会邀请报告共5篇,设专题研讨会39个,内容涉及环境友好电子材料、电子材料和器件、下一代先进电子材料以及先进电子材料的模拟、制造、加工和表征等各个方面。此外,大会还同期举办了3个论坛,分别为有利于"有利于能源与环境可持续发展的材料工程"论坛,"快速发展的世界材料教育战略"论坛,"发展合作式的材料教育网络平台"论坛。电子材料是解决全球性问题的关键,特别是环境和能源的可持续发展问题。本次会议围绕电子材料及相关技术的前沿,汇集国际学术界以及行业专家,旨在交流电子材料领域的最新进展,在展示近2年来全球电子材料科学与器件研究最新成果和进展的同时,探讨进一步发展的方向,从而推动电子材料及相关技术研究的可持续发展。本刊约请了几位参会专家学者,对相关材料前沿进行综合报道。 展开更多
关键词 电子材料 热电材料 科技前沿 环境可持续发展 国际会议中心 材料研究学会 环境友好 专家学者
在线阅读 下载PDF
Ti-Sn体系合金稳定性及其电子结构的研究 被引量：7
5
作者 彭森 吴孟强 +2 位作者 王秀锋 张树人 何茗 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第22期73-76,共4页
基于第一性原理赝势平面波方法研究了具有不同结构类型的Ti-Sn体系中间相合金的基态性质,包括优化后的形成能、结合能、电荷密度和态密度等。计算结果表明,Ti-Sn体系合金的稳定性随Ti含量的增加而提高,但Ti6Sn5和Ti5Sn3的合金化能力比Ti... 基于第一性原理赝势平面波方法研究了具有不同结构类型的Ti-Sn体系中间相合金的基态性质,包括优化后的形成能、结合能、电荷密度和态密度等。计算结果表明,Ti-Sn体系合金的稳定性随Ti含量的增加而提高,但Ti6Sn5和Ti5Sn3的合金化能力比Ti3Sn、Ti2Sn、Ti2Sn3强得多。Ti-Sn体系合金的态密度显示了成键电子主要由Ti元素的3p、3d轨道电子和Sn元素的5p轨道电子贡献。Ti-Sn体系合金稳定性的差异主要是由于Fermi能级附近低能量区域的单位原子成键电子数不同造成的。 展开更多
关键词 第一性原理 形成能 结合能 电荷密度 态密度
在线阅读 下载PDF
GaN基底上集成介电薄膜材料的生长方法研究 被引量：5
6
作者 李言荣 朱俊 +2 位作者 罗文博 张万里 刘兴钊 《中国材料进展》 CAS CSCD 2012年第2期45-53,共9页
将以极化为特征、具有丰富功能特性的介电氧化物材料通过外延薄膜的方式,在半导体GaN上制备介电氧化物/GaN集成薄膜,其多功能一体化与界面耦合效应可推动电子系统单片集成化的进一步发展。然而,由于2类材料物理、化学性质的巨大差异,在... 将以极化为特征、具有丰富功能特性的介电氧化物材料通过外延薄膜的方式,在半导体GaN上制备介电氧化物/GaN集成薄膜,其多功能一体化与界面耦合效应可推动电子系统单片集成化的进一步发展。然而,由于2类材料物理、化学性质的巨大差异,在GaN上生长介电薄膜会出现严重的相容性生长问题。采用激光分子束外延技术(LMBE),通过弹性应变的TiO2的缓冲层来减小晶格失配度,降低介电薄膜生长温度,控制界面应变释放而产生的失配位错,提高了介电薄膜外延质量;通过低温外延生长MgO阻挡层,形成稳定的氧化物/GaN界面,阻挡后续高温生长产生的扩散反应;最终采用TiO2/MgO组合缓冲层控制介电/GaN集成薄膜生长取向、界面扩散,降低集成薄膜的界面态密度,保护GaN半导体材料的性能。所建立的界面可控的相容性生长方法,为相关集成器件的研发提供了一条可行的新途径。 展开更多
关键词 介电薄膜 GAN 缓冲层 界面控制 集成生长
在线阅读 下载PDF
线性化AlGaN/GaN HEMT费米能级与二维电子气密度关系的解析模型 被引量：7
7
作者 卢盛辉 杜江锋 +1 位作者 周伟 夏建新 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期225-228,共4页
通过化简复杂非线性的费米能级EF与二维电子气密度ns关系,并利用化简后函数的一阶泰勒多项式建立了线性化AlGaN/GaN HEMT中EF与ns关系的解析模型。该模型可以根据二维电子气密度ns的范围及温度计算EF与ns非线性关系之线性近似的参数斜率... 通过化简复杂非线性的费米能级EF与二维电子气密度ns关系,并利用化简后函数的一阶泰勒多项式建立了线性化AlGaN/GaN HEMT中EF与ns关系的解析模型。该模型可以根据二维电子气密度ns的范围及温度计算EF与ns非线性关系之线性近似的参数斜率a和截距EF0。计算结果表明,所述模型的线性EF-ns计算结果对非线性精确解近似效果较好,且基于该模型计算的ns-VG曲线与实验数据符合良好。 展开更多
关键词 铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管 费米能级 线性近似 二维电子气
在线阅读 下载PDF
导电聚合物有序超薄膜的合成及其作为有机电致发光器件空穴注入层 被引量：3
8
作者 徐建华 杨亚杰 +1 位作者 蒋亚东 于军胜 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第1期19-24,共6页
采用修饰多层LB膜的方法制备了导电聚合物聚-3,4-乙烯二氧噻吩/二十烷酸(PEDOT:AA)复合层状有序膜,构筑了一种导电聚合物镶嵌的多层有序膜结构.将这种导电聚合物有序薄膜沉积于ITO电极表面,将其作为有机电致发光二极管(OLED)的空穴注入... 采用修饰多层LB膜的方法制备了导电聚合物聚-3,4-乙烯二氧噻吩/二十烷酸(PEDOT:AA)复合层状有序膜,构筑了一种导电聚合物镶嵌的多层有序膜结构.将这种导电聚合物有序薄膜沉积于ITO电极表面,将其作为有机电致发光二极管(OLED)的空穴注入层,并研究了ITO/(PEDOT:AA)/MEH-PPV/Al器件的性能.研究结果表明,与采用聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)自组装膜和旋涂膜作为空穴注入层的ITO/(PEDOT:PSS)/MEH-PPV/Al器件相比,器件的发光效率增加,起亮电压降低.我们认为这是由于PEDOT:AA薄膜提供了一种有序层状结构后,减小了ITO与MEH-PPV间的接触势垒,改善了空穴载流子注入效率.进一步的研究表明,由于PEDOT:AA多层膜间靠较弱的亲水、疏水作用结合,这种导电多层有序膜的热稳定性与普通LB膜相似,在较高温度下发生从层状有序态到无序态的变化,这是导致OLED器件性能发生劣化的主要原因. 展开更多
关键词 导电聚合物 LB膜 OLED 空穴注入层 自组装膜
在线阅读 下载PDF
NPB/Alq_3双层有机电致发光器件薄膜厚度与器件性能的优化 被引量：2
9
作者 锁钒 于军胜 +3 位作者 黎威志 邓静 林慧 蒋亚东 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期2050-2054,共5页
研究了以NPB为空穴传输层、Al_(q3)为发光层的双层异质结有机电致发光器件的薄膜厚度对器件性能的影响.制备了一系列具有不同NPB和Al_(q3)厚度的器件并测试了其电致发光特性.结果表明,器件电流随Al_(q3)与NPB厚度变化的关系并不相同.不... 研究了以NPB为空穴传输层、Al_(q3)为发光层的双层异质结有机电致发光器件的薄膜厚度对器件性能的影响.制备了一系列具有不同NPB和Al_(q3)厚度的器件并测试了其电致发光特性.结果表明,器件电流随Al_(q3)与NPB厚度变化的关系并不相同.不同有机层厚度双层器件的电流机制符合陷阱电荷限制(TCL)理论,随外加电压的增大,器件电流经历了欧姆电导区、TCL电流区、陷阱电荷限制.空间电荷限制(TCL-SCL)过渡区三个区域的变化.当有机层厚度匹配为NPB(20nm)/Al_(q3)(50nm)时可以获得性能优良的器件.器件的流明效率-电压关系曲线的变化规律是在低电压区较快达到最大值,然后随电压的增加逐渐降低. 展开更多
关键词 有机电致发光 NPB ALQ3 薄膜厚度 陷阱电荷限制(TCL) 器件性能
在线阅读 下载PDF
介电可调薄膜材料及压控微波器件研究 被引量：2
10
作者 蒋书文 李汝冠 +2 位作者 王鲁豫 刘兴钊 李言荣 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期609-617,共9页
利用介电可调薄膜材料的调谐特性研制的介质压控微波器件高频特性好、功率容量大、响应速度快,还有易集成、功耗小、成本低、可靠性高的特点,相比半导体管、铁氧体以及MEMS器件有明显的优势。该文系统介绍了近年来国内外介电可调薄膜材... 利用介电可调薄膜材料的调谐特性研制的介质压控微波器件高频特性好、功率容量大、响应速度快,还有易集成、功耗小、成本低、可靠性高的特点,相比半导体管、铁氧体以及MEMS器件有明显的优势。该文系统介绍了近年来国内外介电可调薄膜材料及压控微波器件的研究进展,并结合作者的工作评述了介电可调薄膜材料和压控微波器件的应用情况。除研究最为集中的钛酸锶钡BaxSr1-xTiO3(BST)材料,还介绍了具有较高调谐率的铋基焦绿石铌酸铋镁Bi1.5MgNb1.5O7(BMN)薄膜材料,该材料介电损耗低(约0.002),介电常数适中(约86),温度系数小,是一种极具发展前景的微波介电可调材料。 展开更多
关键词 钛酸锶钡BST薄膜 铌酸铋镁BMN薄膜 介电可调薄膜材料 压控微波器件
在线阅读 下载PDF
精确计算电子重整化链图传播下的Compton散射微分截面 被引量：3
11
作者 汪先友 陈文锁 +2 位作者 方祯云 彭庆军 王凯俊 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期335-343,共9页
采用电子与光子电磁相互作用最小耦合模型,对电子重整化链图传播下Compton散射微分截面作了严格解析计算,获得精确理论结果;并将该计算结果与电子树图和重整化单圈图传播下Compton散射微分截面作对比分析,获得了有关辐射修正的重要信息... 采用电子与光子电磁相互作用最小耦合模型,对电子重整化链图传播下Compton散射微分截面作了严格解析计算,获得精确理论结果;并将该计算结果与电子树图和重整化单圈图传播下Compton散射微分截面作对比分析,获得了有关辐射修正的重要信息.此研究结果对精确描述Compton散射现象以及对电磁相互作用所呈现的复杂内部过程的深入探讨,都将从一个重要研究侧面给出理论计算研究方面某些可供借鉴与参考之处. 展开更多
关键词 COMPTON散射 微分散射截面 重整化链图传播子 最小电磁耦合模型
在线阅读 下载PDF
导电聚合物有序超薄膜结构及光电特性 被引量：1
12
作者 郑华靖 徐建华 +1 位作者 蒋亚东 杨亚杰 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2010年第10期34-40,46,共8页
采用LB膜诱导沉积法制备聚(3,4)乙烯二氧噻吩(PEDOT)高度有序导电聚合物薄膜。实验表明,聚(3,4)乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺(PEDOT-PSS)纳米粒子对单分子层具有包裹作用,形成了稳定的复合单分子膜;二次离子质谱(SIMS)和小角X射线反射(XRR)... 采用LB膜诱导沉积法制备聚(3,4)乙烯二氧噻吩(PEDOT)高度有序导电聚合物薄膜。实验表明,聚(3,4)乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺(PEDOT-PSS)纳米粒子对单分子层具有包裹作用,形成了稳定的复合单分子膜;二次离子质谱(SIMS)和小角X射线反射(XRR)分析表明十八胺-硬脂酸/聚(3,4)乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺(ODA-SA/PEDOT-PSS)组装体优于十八胺/聚(3,4)乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺ODA/PEDOT-PSS,具有更好的成膜性能,表面粗糙度小且稳定可控,薄膜具有较好的有序结构。设计了不同的测试结构,测量了复合膜的垂直电导率和水平电导率,研究了薄膜的直流电流-电压特性,采用变程跳跃模型(VRH)对结果进行了拟合,表明三维变程跳跃模型(3D-VRH)可以较好的解释多层膜中载流子的迁移。 展开更多
关键词 导电聚合物 聚3 4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸 LB膜 电导率
在线阅读 下载PDF
修饰LB膜法制备聚3,4-乙烯二氧噻吩薄膜的光电性能 被引量：1
13
作者 郑华靖 蒋亚东 +1 位作者 徐建华 杨亚杰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期1501-1506,共6页
采用修饰LB膜法以二十烷酸(AA)LB膜为模板,通过3,4-乙烯二氧噻吩(EDOT)单体在LB膜亲水基团间聚合,制备了AA/PEDOT复合LB膜。UV-Vis、FT-IR和XPS分析表明EDOT在多层膜中有效聚合,生成了PEDOT导电聚合物;XRR和SIMS分析表明薄膜具有较好的... 采用修饰LB膜法以二十烷酸(AA)LB膜为模板,通过3,4-乙烯二氧噻吩(EDOT)单体在LB膜亲水基团间聚合,制备了AA/PEDOT复合LB膜。UV-Vis、FT-IR和XPS分析表明EDOT在多层膜中有效聚合,生成了PEDOT导电聚合物;XRR和SIMS分析表明薄膜具有较好的层状有序结构,进一步研究发现EDOT在AA多层膜中的聚合破坏了原有LB膜的有序性,这可能与聚合过程对层状结构产生的破坏作用有关;采用四探针仪及半导体测试仪研究了薄膜导电性能,发现AA/PEDOT多层膜的电导率随处理时间的变化产生突变,这与多层膜中导电通道的"渝渗"有关,在有效导电网络连通后电导率发生了突变。测试结果还表明AA/PEDOT膜导电性明显优于PEDOT旋涂膜和ODA-SA/PEDOT-PSS复合膜,这是由于原位制备的PEDOT共轭度较高,且薄膜具有很好的层状有序结构。 展开更多
关键词 PEDOT LB膜法 光电性能 测量
在线阅读 下载PDF
β-CaSiO_3晶体的电子结构及光学性质 被引量：1
14
作者 何茗 张树人 +2 位作者 周晓华 李波 张婷 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期1-3,6,共4页
基于第一性原理的平面波赝势方法(PWP)的局域密度近似(LDA)/广义梯度近似(GGA)计算了β-Ca-SiO3的几何结构、能带结构、态密度和光学性质。其晶胞参数优化结果与实验相比,LDA/GGA的相对误差为-3.62%/1.91%。对优化后的β-CaSiO3晶体进... 基于第一性原理的平面波赝势方法(PWP)的局域密度近似(LDA)/广义梯度近似(GGA)计算了β-Ca-SiO3的几何结构、能带结构、态密度和光学性质。其晶胞参数优化结果与实验相比,LDA/GGA的相对误差为-3.62%/1.91%。对优化后的β-CaSiO3晶体进行能带结构分析表明,β-CaSiO3晶体为间接带隙结构,禁带宽度Eg(LDA)=5.53eV,Eg(GGA)=5.18eV。对态密度图及Mulliken电荷分布的分析表明,Ca的d轨道有电子分布,即Ca的s、p、d轨道均参与了成键。β-CaSiO3晶体中Ca与SiO3基团之间形成的化学键主要是离子键,而Si与O之间的化学键是共价键。 展开更多
关键词 β-CaSiO3 能带结构 电荷分布价键
在线阅读 下载PDF
氧化物功能薄膜器件的柔性化策略 被引量：2
15
作者 王倩 高能 +4 位作者 张天垚 姚光 潘泰松 高敏 林媛 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期14-21,共8页
以可延展和可弯曲为特点的柔性电子器件因其在信息、医疗、能源等领域的巨大前景而受到众多研究者的广泛关注,成为近年来的研究热点。氧化物功能薄膜材料由于其丰富的电学/磁学/光学等性能及独特的多场耦合特性,成为物理学和材料学的重... 以可延展和可弯曲为特点的柔性电子器件因其在信息、医疗、能源等领域的巨大前景而受到众多研究者的广泛关注,成为近年来的研究热点。氧化物功能薄膜材料由于其丰富的电学/磁学/光学等性能及独特的多场耦合特性,成为物理学和材料学的重要研究对象,并被应用于各种电学/光学器件中。随着器件越来越多地应用于各种复杂曲面环境以及与人体或人体组织密切贴合,对氧化物薄膜器件可延展和可弯曲等柔性化的需求日益迫切。由于高质量氧化物薄膜的生长需要较高的温度,且对生长基底和薄膜之间的界面控制要求较高,因此,氧化物薄膜与可延展柔性基底的集成存在很大的挑战。将氧化物薄膜直接沉积在柔性金属箔片或高分子基底上,需要克服金属基底与薄膜界面控制困难或高分子基底对生长温度的耐受性差等困难。在刚性基底上沉积功能氧化物薄膜后,通过剥离、转印到可延展柔性基底上是一种解决方案。但其中的挑战在于如何可控地将薄膜完整地从生长基底剥离。针对这一挑战,发展了通过化学刻蚀牺牲层的化学转印技术和通过范德瓦尔斯外延或激光剥离的物理剥离方法。本文综述了近年来发展的氧化物薄膜器件柔性化的若干进展,归纳了以上几种主要的柔性化策略,包括在金属基底、高分子基底等柔性基底上直接生长和通过化学刻蚀和物理剥离转印等技术实现的柔性化,分析了几种柔性化策略的优势和局限性,总结了柔性氧化物薄膜器件制备中的挑战和机遇。 展开更多
关键词 金属氧化物 功能薄膜 柔性化策略 直接生长法 化学转印法 物理剥离法
在线阅读 下载PDF
PEN为衬底的柔性有机电致发光器件的光电性能 被引量：2
16
作者 李杰 蒋亚东 +1 位作者 于欣格 于军胜 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第2期240-242,246,共4页
采用直流磁控溅射技术,在聚对萘二甲酸乙二醇酯(PEN)柔性衬底上制备了氧化物铟锡(ITO)导电薄膜,研究了衬底温度和薄膜厚度工艺参数对柔性衬底上导电薄膜光学性能与电学性能的影响。在优化工艺的条件下,所制备的PEN导电基板的方阻低至35... 采用直流磁控溅射技术,在聚对萘二甲酸乙二醇酯(PEN)柔性衬底上制备了氧化物铟锡(ITO)导电薄膜,研究了衬底温度和薄膜厚度工艺参数对柔性衬底上导电薄膜光学性能与电学性能的影响。在优化工艺的条件下,所制备的PEN导电基板的方阻低至35Ω/□,且可见光透过率大于95%;以此柔性ITO衬底为阳极,制备了结构为PEN/ITO/NPB/Alq3/Al的柔性有机电致发光器件。作为对比,选用多种不同的衬底材料制备了有机电致发光器件,并比较了各器件性能的差异。 展开更多
关键词 有机电致发光器件 聚对萘二甲酸乙二醇酯(PEN)柔性衬底 氧化物铟锡(ITO)薄膜 磁控溅射
在线阅读 下载PDF
基于USB HID的电子白板的多点触控技术开发 被引量：2
17
作者 刘森 周祖微 +1 位作者 王忆文 李辉 《计算机应用与软件》 CSCD 北大核心 2013年第8期109-112,共4页
针对基于视觉的电子白板,提出一种能去除伪点干扰的两点识别算法,并开发了基于USB的多点触控技术。在开发过程中,白板系统通过HID(Human Interface Device)规范实现了与Windows7操作系统的无缝对接,免去了复杂的系统驱动程序开发工作,... 针对基于视觉的电子白板,提出一种能去除伪点干扰的两点识别算法,并开发了基于USB的多点触控技术。在开发过程中,白板系统通过HID(Human Interface Device)规范实现了与Windows7操作系统的无缝对接,免去了复杂的系统驱动程序开发工作,简便地实现了单点和两点触控。开发的多点触控技术已经通过实验进行了验证,提升了电子白板的用户体验。 展开更多
关键词 USB 多点触控 ARM Cotex-M3 HID
在线阅读 下载PDF
BaO含量对一种微电子封装材料性能的影响 被引量：2
18
作者 于东英 聂永峰 邓新峰 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第3期438-441,共4页
采用传统固相反应法,制备了一种微电子封装材料,并对其进行了电、力、热性能测试,及XRD、SEM分析表征,具体研究了BaO含量对该材料性能的影响。结果表明:BaO对主晶相石英没有太大的影响,促进钡长石的形成,抑制方石英相的析出,其含量增加... 采用传统固相反应法,制备了一种微电子封装材料,并对其进行了电、力、热性能测试,及XRD、SEM分析表征,具体研究了BaO含量对该材料性能的影响。结果表明:BaO对主晶相石英没有太大的影响,促进钡长石的形成,抑制方石英相的析出,其含量增加能在一定程度上改善材料的介电性能,但会逐渐破坏玻璃网络,影响到材料的力学和热学性能,导致抗弯强度降低,热膨胀系数减小。 展开更多
关键词 微电子 封装材料 石英 方石英 抗弯强度 热膨胀系数
在线阅读 下载PDF
机器视觉电子白板的校准实现技术 被引量：1
19
作者 徐霄 王润 +3 位作者 彭国杰 杨琦 王忆文 李辉 《计算机应用》 CSCD 北大核心 2014年第1期139-141,153,共4页
针对基于机器视觉的电子白板屏幕较大、目标识别误差分布不均的特点,选用了一种分块校准方法进行系统校准。在完成了人机交互设备(HID)实现的基础上,进行了上位机软件的开发。建立了上位机与电子白板间的通信,完成了校准点设置、坐标接... 针对基于机器视觉的电子白板屏幕较大、目标识别误差分布不均的特点,选用了一种分块校准方法进行系统校准。在完成了人机交互设备(HID)实现的基础上,进行了上位机软件的开发。建立了上位机与电子白板间的通信,完成了校准点设置、坐标接收和校准系数的计算,实现了电子白板的校准。测试结果表明:经过校准后,在140 cm×105 cm的大面积白板上,目标识别平均精度可达1.2 mm。经过校准后的电子白板样机能精准地完成基本的触控操作。 展开更多
关键词 电子白板 机器视觉 校准 映射 透视投影 分块
在线阅读 下载PDF
机器视觉电子白板系统的防抖与坐标插值技术 被引量：1
20
作者 周祖微 刘森 +1 位作者 王忆文 李辉 《计算机应用》 CSCD 北大核心 2012年第12期3408-3410,共3页
在基于机器视觉的电子白板系统应用中,为了消除各种因素导致的触控点抖动,提出了一种改进的均值滤波的防抖方法。为了突破硬件设备的限制提高系统工作的流畅性,采用了一种基于曲线拟合的坐标插值方法来提高系统实时性并平滑处理触控点... 在基于机器视觉的电子白板系统应用中,为了消除各种因素导致的触控点抖动,提出了一种改进的均值滤波的防抖方法。为了突破硬件设备的限制提高系统工作的流畅性,采用了一种基于曲线拟合的坐标插值方法来提高系统实时性并平滑处理触控点的运动轨迹。实验结果表明:触控点的抖动情况得到了消除,在摄像头最高工作频率60 fps的情况下,系统能以每秒输出180个触控点坐标的速度实时工作,在不增加硬件成本的情况下提高了系统实时性。 展开更多
关键词 机器视觉 人机交互 防抖 坐标插值 实时性
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 35 下一页 到第 页
关于我们 | 版权声明 | 联系我们 | 帮助中心| 意见反馈
主办单位：上海市教育委员会
技术支持：重庆维普资讯有限公司
渝公网安备 50019002500403号
使用帮助 返回顶部