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空穴阻挡中间层的加入对WOLEDs光谱稳定性的提高
被引量：
1
1
作者
刘新辉
杨健君
于军胜
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第10期1145-1149,共5页
制备了多层结构合成的白光有机电致发光器件(WOLEDs),通过在发光层中加入一层空穴阻挡层TPBi来提高器件的光谱稳定性。当TPBi厚度为2.5 nm时,在电压由8 V升高到12 V的过程中,CIE色坐标的变化量为(0.031,0.006)。器件的电流效率为24.7 cd...
制备了多层结构合成的白光有机电致发光器件(WOLEDs),通过在发光层中加入一层空穴阻挡层TPBi来提高器件的光谱稳定性。当TPBi厚度为2.5 nm时,在电压由8 V升高到12 V的过程中,CIE色坐标的变化量为(0.031,0.006)。器件的电流效率为24.7 cd/A,外部量子效率最大为8.2%。相对于没有加入中间层的器件,8 V电压下的色坐标由(0.435,0.472)变为(0.333,0.439)。实验结果表明,在发光层中添加中间层可以改变器件发光的色坐标并提升光谱的稳定性。
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关键词
WOLEDs
空穴阻挡层
光谱稳定性
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职称材料
题名
空穴阻挡中间层的加入对WOLEDs光谱稳定性的提高
被引量：
1
1
作者
刘新辉
杨健君
于军胜
机构
电子科技大学
光电
信息
学院
薄膜与
集成
器件
国家
重点
实验室
电子科技大学中山学院电子信息学院薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第10期1145-1149,共5页
基金
国家自然科学基金(61421002
61177032)资助项目
文摘
制备了多层结构合成的白光有机电致发光器件(WOLEDs),通过在发光层中加入一层空穴阻挡层TPBi来提高器件的光谱稳定性。当TPBi厚度为2.5 nm时,在电压由8 V升高到12 V的过程中,CIE色坐标的变化量为(0.031,0.006)。器件的电流效率为24.7 cd/A,外部量子效率最大为8.2%。相对于没有加入中间层的器件,8 V电压下的色坐标由(0.435,0.472)变为(0.333,0.439)。实验结果表明,在发光层中添加中间层可以改变器件发光的色坐标并提升光谱的稳定性。
关键词
WOLEDs
空穴阻挡层
光谱稳定性
Keywords
WOLEDs
hole-blocking layer
spectrum stability
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
空穴阻挡中间层的加入对WOLEDs光谱稳定性的提高
刘新辉
杨健君
于军胜
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
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